01
PDN基础概念
什么是PDN、PDN在芯片设计中的重要性、PDN的关键指标（IR Drop、电流密度、电感）
概念指标
02
PDN设计目标
目标阻抗、电源噪声容限、功耗与面积权衡
目标噪声
03
布局规划与PDN
IO Pad规划、电源域划分、宏单元（Memory/IP）布局对PDN的影响
布局电源域
04
电源地网络拓扑
网格结构（Mesh）、环状结构（Ring）、梳状结构（Comb）、混合结构
拓扑Mesh
05
电源地网络层次
顶层金属、中间层金属、底层金属的分配策略
金属层策略
06
电源地网络宽度与间距
电流承载能力计算、EM（电迁移）规则、IR Drop约束
EMIR Drop
07
电源地网络打孔（Via）
Via stack、Via array、Via pillar的设计与优化
Via优化
08
去耦电容（Decap）规划
Decap的作用、Decap类型（MOS Cap、MIM Cap、Metal Cap）、Decap放置策略
Decap电容
09
电源地网络与标准单元连接
Strap、Rail、Tie-cell的连接方式
标准单元连接
10
电源地网络与宏单元连接
Memory的电源环、IP的电源域连接
宏单元Memory
11
电源地网络与IO单元连接
ESD与PDN的协同设计
IOESD
12
IR Drop分析基础
静态IR Drop、动态IR Drop、分析工具介绍
IR Drop分析
13
IR Drop优化方法
加宽金属、增加电源环、增加Decap、调整布局
优化金属
14
电流密度分析
EM规则检查、热点识别与修复
EM热点
15
电源地网络电感分析
电源地网络的自感与互感、dI/dt噪声抑制
电感噪声
16
PDN设计流程
从Floorplan到Routing的PDN实现步骤
流程实现
17
PDN设计工具
Innovus/ICC2中的PDN实现命令与流程
工具Innovus
18
PDN设计规则检查
DRC、LVS、EM/IR检查
DRCLVS
19
多电压域PDN设计
DVFS（动态电压频率调整）场景下的PDN挑战
多电压DVFS
20
低功耗PDN设计
电源门控（Power Gating）、电压降（Voltage Drop）管理
低功耗门控
21
3D IC PDN设计
TSV、微凸点、中介层（Interposer）的PDN挑战
3D ICTSV
22
PDN设计中的寄生参数提取
R、L、C提取方法
寄生RLC
23
PDN与信号完整性
电源噪声对信号质量的影响、同步开关噪声（SSN）
信号完整性SSN
24
PDN与热设计
电流密度与热点的关系、热感知PDN设计
热热点
25
PDN设计中的可靠性
电迁移（EM）、应力迁移（SM）、热循环
可靠性EM
26
PDN设计中的工艺角分析
不同工艺角下的PDN性能变化
工艺角PVT
27
PDN设计中的蒙特卡洛分析
统计性IR Drop分析
蒙特卡洛统计
28
PDN设计中的机器学习应用
基于ML的IR Drop预测与优化
ML预测
29
PDN设计案例
一个28nm芯片的PDN设计全流程
案例28nm
30
PDN设计趋势
先进工艺（5nm/3nm）下的PDN挑战与解决方案
趋势5nm