01
跨层互连概述
从单层布线到多层互连的演进，跨层互连的定义与核心挑战。
演进定义
02
工艺基础回顾
CMOS工艺中的金属层、通孔与接触孔的基本结构与材料。
CMOS通孔
03
互连寄生参数
电阻、电容、电感的物理来源及其对信号完整性的影响。
寄生信号完整性
04
RC延迟模型
Elmore延迟模型及其在互连优化中的应用。
Elmore延迟
05
互连缩放效应
随着工艺节点缩小，互连延迟与门延迟的博弈（互连危机）。
缩放互连危机
06
低k介质材料
低介电常数材料的种类、工艺集成挑战与可靠性问题。
低k集成
07
铜互连工艺
大马士革工艺（Damascene）流程详解，从沉积到CMP。
DamasceneCMP
08
阻挡层与种子层
Ta/TaN阻挡层、铜种子层的溅射工艺与界面工程。
Ta/TaN溅射
09
电镀与退火
铜电镀填充高深宽比通孔的原理，退火对晶粒结构的影响。
电镀退火
10
化学机械抛光（CMP）
CMP在铜互连平坦化中的角色，碟形坑与侵蚀缺陷。
平坦化缺陷
11
通孔电阻优化
通孔尺寸、接触电阻与阵列布局对整体互连性能的影响。
通孔电阻
12
应力与可靠性
电迁移（EM）与应力迁移（SM）的物理机制与缓解策略。
EMSM
13
热效应与散热
互连中的焦耳热，热导率对芯片温度分布的影响。
焦耳热散热
14
跨层时钟分布
时钟树综合中的跨层互连设计，时钟偏差与抖动控制。
时钟树抖动
15
电源分配网络（PDN）
跨层电源网格设计，IR压降与电迁移的协同优化。
PDNIR压降
16
信号完整性（SI）
串扰、反射与振铃的跨层耦合机制。
串扰反射
17
屏蔽与隔离技术
同层屏蔽、跨层隔离环与深沟槽隔离（DTI）的应用。
屏蔽DTI
18
3D IC与硅通孔（TSV）
TSV工艺、热机械应力与跨层互连的异构集成。
TSV异构集成
19
中介层（Interposer）技术
硅中介层与有机中介层的互连设计与工艺适配。
Interposer硅/有机
20
混合键合（Hybrid Bonding）
Cu-Cu直接键合与介质键合在三维堆叠中的应用。
Cu-Cu3D堆叠
21
光刻对准挑战
多层光刻中的套刻精度（OVL）对跨层互连良率的影响。
OVL良率
22
刻蚀与填充工艺
高深宽比通孔刻蚀，介电层与金属层的填充均匀性。
刻蚀填充
23
工艺设计协同优化（DTCO）
跨层互连设计中，工艺参数与电路性能的联合优化。
DTCO协同
24
设计规则检查（DRC）
跨层互连相关的设计规则，如最小间距、通孔包围面积。
DRC间距
25
寄生参数提取（PEX）
跨层互连的3D寄生参数提取方法与工具流程。
PEX3D提取
26
时序收敛策略
跨层互连延迟的静态时序分析（STA）与优化迭代。
STA收敛
27
先进封装中的互连
扇出型晶圆级封装（FOWLP）中的RDL跨层设计。
FOWLPRDL
28
光互连与片上光网络
硅光子在跨层互连中的潜在应用与工艺挑战。
硅光子光网络
29
AI驱动的互连优化
机器学习在互连寄生预测、布线优化与工艺控制中的应用。
AI机器学习
30
未来趋势
2D材料互连、超导互连与量子互连的探索与展望。
2D材料量子互连