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本课程属于：001-先进逻辑器件与工艺整合 芯片硬件与光电工程 · 共 6 门相关课程，组合学习更完整。
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GAA源漏选择性外延与应力工程、器件性能与工艺整合实战

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=GAA器件演进背景 · 源漏选择性外延与应力工程在先进节点中… · 课程学习目标与整体知识框架
课程导入GAA
02
GAA器件基础
目标=纳米片/纳米线沟道结构 · 环绕栅极工作原理 · 与FinFET的关键差异
GAA器件基础
03
选择性外延基础
目标=外延生长热力学与动力学 · 选择性成核机制 · Si
选择性外延基础目标=外延生长热…
04
源漏外延工艺窗口
目标=温度 · 压力 · 前驱体流量
源漏外延工艺窗口目标=温度
05
应力工程核心概念
目标=本征应力与外部应力 · 晶格失配 · 应力松弛与缺陷
应力工程核心概念目标=本征应力
06
GAA源漏应力源设计
目标=嵌入式SiGe · SiC · Si:P等应力源选择
GAA源漏应力源设计
07
选择性外延设备与量测
目标=CVD/ALD外延设备 · 原位掺杂 · 在线监测
选择性外延设备量测
08
工艺整合流程
目标=前道模块衔接 · 沟道释放 · 界面处理
工艺整合流程目标=前道模块衔…
09
器件性能关联
目标=应力对驱动电流 · 阈值电压 · 亚阈值摆幅
器件性能关联目标=应力对驱动…
10
入门实战
目标=基于典型GAA结构建立源漏外延… · 完成关键参数敏感性初步分析
入门实战GAA
11
选择性外延形貌控制
目标=面依赖生长 · 侧向生长与纵向生长竞争 · 空洞与合并缺陷
选择性外延形貌控…目标=面依赖生长
12
SiGe源漏应力工程
目标=Ge组分梯度设计 · 应变弛豫控制 · 缺陷抑制
SiGe源漏应力工程
13
SiC与Si
目标=P源漏应力工程：n型应力源选择 · 碳掺杂与磷掺杂外延 · 张应力引入
SiCSi
14
掺杂与外延协同
目标=原位掺杂与离子注入对比 · 掺杂激活 · 扩散抑制
掺杂外延协同
15
界面工程与缺陷控制
目标=外延/沟道界面 · 外延/金属接触界面 · 氧化层残留
界面工程缺陷控制
16
热预算与工艺集成
目标=退火工艺对应力松弛和掺杂扩散的… · 热预算窗口优化 · 与后道工艺的兼容性分析
热预算工艺集成
17
器件电学表征
目标=I-V · C-V · 传输线法
器件电学表征I-V
18
工艺变异与良率
目标=外延厚度 · 组分 · 掺杂
工艺变异良率
19
案例实战一
目标=GAA纳米片源漏SiGe外延应… · 从工艺参数到器件性能的完整分析与迭代
案例实战一GAA
20
案例实战二
目标=GAA纳米线n型源漏SiC/S… · 接触电阻与张应力协同优化实战
案例实战二GAA
21
案例实战三
目标=选择性外延缺陷导致的器件失效分… · 包括空洞 · 位错
案例实战三目标=选择性外延…
22
常见问题一
目标=外延选择性差 · 成核异常 · 负载效应
常见问题一目标=外延选择性…
23
常见问题二
目标=应力松弛 · 应变不均匀 · 界面态过高
常见问题二目标=应力松弛
24
常见问题三
目标=工艺整合冲突 · 如外延与栅极 · 接触
常见问题三目标=工艺整合冲…
25
先进应力工程方法
目标=多应力源协同 · 应变记忆技术 · 选择性衬底工程
先进应力工程方法目标=多应力源协…
26
工艺仿真与建模
目标=TCAD应力-电学耦合仿真 · 外延形貌模拟 · 掺杂扩散模型
工艺仿真建模
27
量测与数据分析实战
目标=XRD倒易空间 mapping · TEM截面分析 · SIMS深度剖析
量测数据分析实战
28
综合提升一
目标=从器件目标反推源漏外延与应力工… · 完成工艺窗口定义与设计规则制定
综合提升一目标=从器件目标…
29
综合提升二
目标=面向先进节点的工艺整合方案设计 · 平衡性能 · 良率
综合提升二目标=面向先进节…
30
课程总结与前沿展望
目标=核心知识回顾 · 实战经验提炼 · GAA源漏外延与应力工程未来趋势与持…
课程总结前沿展望