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本课程属于：001-先进逻辑器件与工艺整合 芯片硬件与光电工程 · 共 6 门相关课程，组合学习更完整。
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GAA、CFET与背面供电先进逻辑工艺整合项目

共计 30 章节
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01
课程导入与先进逻辑工艺全景
目标=学习目标 · GAA/CFET/背面供电三大技术支… · 从FinFET到GAA再到CFET的…
课程导入先进逻辑工艺全景
02
半导体器件与工艺基础回顾
目标=MOSFET工作原理 · 短沟道效应 · FinFET结构优势与局限
半导体器件工艺基础回顾
03
GAA纳米片器件核心概念
目标=纳米片/纳米线沟道结构 · 全环绕栅极的静电控制优势 · 阈值电压调控
GAA纳米片器件核心概…
04
GAA关键工艺模块（一）
目标=外延生长与沟道释放 · 选择性刻蚀与沟道释放 · 内墙隔离形成
GAA关键工艺模块
05
GAA关键工艺模块（二）
目标=栅极堆叠与功函数工程 · 界面层优化 · 功函数金属填充
GAA关键工艺模块
06
CFET器件架构与集成概念
目标=CFET的定义与动机 · 垂直堆叠nFET与pFET的结构 · 与GAA的继承关系
CFET器件架构
07
CFET关键工艺模块
目标=单片集成与顺序集成 · 中间介质层与键合工艺 · 上下器件隔离
CFET关键工艺模块
08
背面供电网络（BSPDN）基础
目标=BSPDN的定义与分类（埋入式… · 纳米TSV等） · 与正面供电的对比
BSPDN背面供电网络
09
BSPDN关键工艺模块
目标=晶圆减薄 · 载片键合 · TSV刻蚀与填充
BSPDN关键工艺模块
10
GAA与BSPDN的工艺整合
目标=GAA器件与背面供电的协同设计 · 源漏接触与背面互连的衔接 · 热预算冲突与解决方案
GAABSPDN
11
CFET与BSPDN的工艺整合
目标=CFET上下器件与背面供电的互… · 电源轨分配 · 信号与电源的隔离
CFETBSPDN
12
先进逻辑工艺中的材料与集成方案
目标=新型沟道材料（SiGe · Ge · III-V）
先进逻辑工艺材料
13
工艺集成中的热预算与应力管理
目标=热预算定义与来源 · GAA/CFET/BSPDN各模块热… · 应力工程（源漏
工艺集成热预算
14
工艺集成中的寄生参数与性能优化
目标=寄生电容来源（栅极 · 源漏 · 互连）
工艺集成寄生参数
15
设计-工艺协同优化（DTCO）方法
目标=DTCO流程 · 标准单元设计 · 布局与布线约束
DTCO设计
16
TCAD与工艺仿真在集成中的应用
目标=TCAD工具介绍 · 工艺仿真（刻蚀 · 沉积
TCAD工艺仿真
17
先进逻辑工艺中的量测与表征
目标=关键尺寸量测（CD-SEM · AFM） · 薄膜厚度与成分（XRD
先进逻辑工艺量测
18
良率与可靠性工程
目标=良率模型 · 缺陷来源（颗粒 · 刻蚀残留
良率可靠性工程
19
实战案例（一）
目标=GAA纳米片工艺集成流程设计 · 沟道释放 · 栅极堆叠
实战案例GAA
20
实战案例（二）
目标=CFET集成方案设计与挑战分析 · 设计上下器件隔离 · 源漏接触
实战案例CFET
21
实战案例（三）
目标=BSPDN集成与电源分配网络设… · 包括TSV布局 · 电源轨
实战案例BSPDN
22
实战案例（四）
目标=GAA+CFET+BSPDN综… · 制定完整工艺流程图 · 识别关键集成问题
实战案例GAA+CFET+BSP…
23
常见问题与故障排除（一）
目标=GAA工艺问题：沟道释放不完全 · 栅极填充空洞 · 源漏外延缺陷
常见问题故障排除
24
常见问题与故障排除（二）
目标=CFET工艺问题 · 中间层键合空洞 · 热预算冲突
常见问题故障排除
25
常见问题与故障排除（三）
目标=BSPDN工艺问题 · TSV填充不良 · 背面金属粘附性差
常见问题故障排除
26
先进逻辑工艺的未来趋势
目标=CFET之后的器件（如二维材料 · 碳纳米管） · BSPDN的演进（埋入式电源轨
先进逻辑工艺的未…CFET
27
产业生态与供应链
目标=关键设备（EUV · ALD · 键合机）
产业生态供应链
28
项目实战
目标=从需求到工艺规范 · 功耗 · 面积）
项目实战目标=从需求到工…
29
项目实战
目标=集成流程模拟与验证 · 仿真电学与热学性能 · 验证工艺可行性
项目实战目标=集成流程模…
30
课程总结与综合提升
目标=回顾核心知识点 · 集成方法论 · 项目实战经验
课程总结综合提升