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寄生电容分析对FinFET架构迁移率增强的工程实践

共计 30 章节

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FinFET技术概述

FinFET结构演进 · 平面MOSFET vs FinFET · 迁移率增强的物理机制

FinFET技术概述

寄生电容基础

MOS电容模型 · 栅极-源极/漏极重叠电容 · 边缘场电容

寄生电容基础MOS

FinFET关键尺寸与电容

鳍片高度(Hfin) · 鳍片宽度(Wfin) · 栅极长度(Lg)对寄生电容的定量影响

FinFET关键尺寸

迁移率增强原理

应力工程（单轴/双轴） · 晶向选择 · 沟道掺杂优化

迁移率增强原理应力工程

寄生电容与迁移率的耦合关系

C-V特性与I-V特性的交互 · RC延迟与载流子速度饱和

寄生电容迁移率的耦合关系

栅极-源极/漏极重叠电容分析

重叠长度(Lov)优化 · 侧墙间隔(spacer)材料与厚度的…

边缘场电容建模

Fringing capacitan… · 3D TCAD仿真验证 · 对器件开关速度的影响

边缘场电容建模Fringing

鳍片形状与电容

矩形鳍 vs 梯形鳍 · 鳍片顶部圆角效应 · 侧壁粗糙度引起的电容波动

鳍片形状电容

栅极功函数金属与电容

金属厚度 · 功函数调谐对等效氧化层厚度(EOT)…

栅极功函数金属电容

高k介质与界面层

HfO2/SiO2叠层 · 界面层厚度优化 · 固定电荷与界面态对迁移率的退化

高k介质界面层

源漏外延层(S/D EPI)设计

抬升源漏(RSD)几何尺寸 · 掺杂浓度对结电容与寄生电阻的权衡

接触孔与硅化物

接触电阻(Rcont)与接触电容(C… · NiPtSi工艺优化

接触孔硅化物

浅槽隔离(STI)与衬底电容

STI深度 · 鳍片底部隔离 · 衬底偏置效应对寄生电容的调制

STI浅槽隔离

多栅极耦合效应

双栅/三栅/全环绕栅极(GAA)的电… · 鳍间耦合电容

多栅极耦合效应GAA

寄生电容提取方法

Y-参数法 · S-参数测量 · 去嵌技术

寄生电容提取方法Y

TCAD仿真流程

Sentaurus/TCAD设置 · 网格优化 · 物理模型选择（密度梯度

TCAD仿真流程

迁移率模型与校准

Lombardi模型 · Klaassen模型 · 远程库仑散射(RCS)模型

迁移率模型校准

寄生电容对迁移率提取的影响

C-V法提取有效迁移率 · 分栅法 · 伪MOSFET法的误差分析

寄生电容对迁移率…C-V

低功耗应用中的电容优化

动态功耗公式 · 降低寄生电容的工艺技巧 · VT与电容的折中

低功耗应用电容优化

高频/射频FinFET

截止频率fT与最大振荡频率fmax · 寄生电容对fT的退化 · 布局优化

SRAM单元中的寄生电容

读/写稳定性 · 位线电容 · 字线电容

热载流子效应与电容退化

HCI应力下界面态生成 · C-V曲线漂移 · 迁移率退化机制

热载流子效应电容退化

负偏置温度不稳定性(NBTI)

空穴陷阱 · 界面态 · C-V特性漂移

NBTI负偏置温度不稳定…

工艺波动性对电容的影响

鳍片CD波动 · 栅极线边缘粗糙度(LER) · 随机掺杂波动(RDF)

工艺波动性对电容…CD

机器学习在寄生电容建模中的应用

神经网络代理模型 · 特征工程 · 快速预测电容与迁移率

机器学习寄生电容建模

先进节点（3nm/2nm）挑战

GAA/CFET架构 · 寄生电容新问题 · 内部间隔层设计

nm/2nm先进节点

寄生电容与迁移率的协同优化(CTO)

设计-工艺协同优化(DTCO) · 鳍片/栅极/接触的联合优化

CTO寄生电容

测量与表征技术

CV/IV快速测试 · 多频CV · 脉冲IV

测量表征技术

14nm FinFET工艺寄生电容优… · 迁移率提升20%的工程实践

2D材料沟道 · 负电容FinFET · 量子隧穿FET中的寄生电容与迁移率挑…

未来趋势2D材料沟道