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006-先进CMOS工艺
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《3D集成工艺中HKMG对ESD防护结构的可靠性评估》
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3D集成工艺中HKMG对ESD防护结构的可靠性评估
共计 30 章节
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01
课程导论
3D集成技术概述 · HKMG工艺简介 · ESD防护的重要性
课程导论
3D集成技术概述
02
3D集成工艺基础
TSV技术 · 微凸点键合 · 晶圆堆叠
3D集成工艺基础
TSV
03
HKMG工艺原理
高k介电材料(HfO2 · ZrO2) · 金属栅极(TiN
HKMG
工艺原理
04
ESD防护基础
ESD事件模型(HBM · CDM · MM)
ESD
防护基础
05
HKMG对ESD器件的影响
栅氧化层完整性 · 界面陷阱密度 · 漏电流增加
HKMG
ESD
06
3D集成中的ESD挑战
多芯片堆叠的ESD路径 · TSV耦合效应 · 热机械应力对ESD的影响
ESD
3D集成
07
可靠性评估方法
TLP测试 · VF-TLP测试 · 传输线脉冲测试原理
可靠性评估方法
TLP
08
HKMG ESD器件的TLP特性
回滞特性 · 二次击穿电流It2 · 导通电阻Ron
HKMG
ESD
09
温度对HKMG ESD性能的影响
高温漏电 · 负偏置温度不稳定性(NBTI) · 热载流子注入(HCI)
HKMG
ESD
10
3D堆叠中的热耦合效应
芯片间热传递 · 局部热点 · ESD器件的热分布仿真
3D堆叠
热耦合效应
11
TSV对ESD防护的影响
TSV寄生电容 · TSV电感效应 · TSV与ESD器件的互连可靠性
TSV
ESD
12
HKMG工艺变异对ESD的影响
栅氧化层厚度波动 · 金属功函数变异 · 界面层均匀性
HKMG
ESD
13
ESD防护器件设计优化
GGNMOS的栅耦合技术 · SCR的触发电压调节 · 二极管串的优化
ESD
防护器件设计优化
14
3D集成ESD网络设计
全局ESD总线 · 分层ESD保护 · 跨芯片ESD协同设计
ESD
3D集成
15
HKMG ESD器件的射频特性
截止频率fT · 最大振荡频率fmax · 噪声系数
HKMG
ESD
16
ESD器件的建模与仿真
紧凑模型(BSIM · PSP) · TCAD仿真(Sentaurus
ESD
器件的建模
17
3D集成ESD的TCAD仿真
多芯片热-电耦合仿真 · TSV模型集成 · HKMG材料参数校准
ESD
TCAD
18
失效分析案例
HKMG ESD器件栅击穿 · 金属熔丝 · TSV空洞失效
失效分析案例
HKMG
19
工艺可靠性测试
TDDB测试 · SILC测试 · BTI测试
工艺可靠性测试
TDDB
20
HKMG ESD器件的寿命预测
加速老化模型 · Arrhenius方程 · Coffin-Manson模型
HKMG
ESD
21
3D集成ESD的测试方法
晶圆级TLP测试 · 封装级ESD测试 · 系统级ESD测试
ESD
3D集成
22
ESD防护与电路性能的权衡
寄生电容 · 导通电阻 · 漏电流
ESD
防护
23
先进HKMG工艺(FinFET、GAA)对ESD的影响
3D结构 · 散热路径 · 寄生效应
HKMG
FinFET
24
3D集成中的ESD保护策略
主动钳位 · 被动钳位 · 分布式保护
ESD
3D集成
25
HKMG ESD器件的可靠性筛选
晶圆级可靠性测试 · 老化筛选 · 统计过程控制
HKMG
ESD
26
ESD与闩锁效应(Latch-up)
闩锁机制 · HKMG对闩锁的影响 · 防护措施
ESD
Latch-up
27
3D集成ESD的标准化
JEDEC标准 · AEC-Q100 · ESDA标准
ESD
3D集成
28
案例研究
3D NAND中的ESD防护 · HBM堆叠中的ESD设计 · AI芯片的ESD挑战
案例研究
NAND
29
未来趋势
新型ESD材料(2D材料 · 铁电材料) · AI辅助ESD设计
未来趋势
ESD
30
课程总结与项目实践
综合设计一个3D集成HKMG ESD… · 可靠性评估报告撰写 · 课程回顾与展望
课程总结
项目实践
所属VIP或分类
同VIP:3D集成工艺中ESD防护结构设计与应力技术优化
同VIP:3D集成工艺中应力技术对迁移率增强的故障排查实践
同VIP:3D集成工艺寄生电容分析与先进CMOS工艺优化