VIP20
本课程属于：006-先进CMOS工艺 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

先进CMOS工艺迁移率增强与寄生电容的协同优化案例

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
课程导论
迁移率增强与寄生电容协同优化的背景与… · 摩尔定律延续面临的挑战
课程导论迁移率增强
02
载流子迁移率基础
迁移率定义 · 漂移速度 · 散射机制（晶格散射
载流子迁移率基础迁移率定义
03
应变硅技术原理
单轴应变与双轴应变 · SiGe源漏与SiN应力衬垫技术
应变硅技术原理单轴应变
04
高迁移率沟道材料
Ge · SiGe · III-V族化合物半导体（InGaA…
高迁移率沟道材料Ge
05
HKMG工艺中的迁移率退化
高k介质与金属栅极对沟道载流子迁移率… · 远程声子散射
HKMG工艺
06
寄生电容基础
栅极电容 · 交叠电容 · 边缘电容
寄生电容基础栅极电容
07
先进FinFET结构中的寄生电容
FinFET的寄生电容组成（栅-鳍电… · 栅-源漏交叠电容）
FinFET先进
08
GAA (Gate-All-Around) 纳米片/纳米线器件中的寄生电容
纳米片堆叠带来的额外耦合电容
GAAGate-All-Aro…
09
迁移率与寄生电容的权衡关系
载流子迁移率提升与寄生电容增加之间的…
迁移率寄生电容的权衡关…
10
协同优化方法论
TCAD仿真流程 · 从工艺步骤到电学参数的闭环优化
协同优化方法论TCAD
11
应力工程与电容的协同
应力源（SiGe S/D）的几何尺寸…
应力工程电容的协同
12
源漏工程优化
提升源漏外延质量 · 降低接触电阻与寄生电容的协同设计
源漏工程优化提升源漏外延质量
13
栅极功函数金属选择
不同金属层厚度与功函数对迁移率及栅极…
栅极功函数金属选…不同金属层厚度
14
高k介质厚度优化
EOT缩放对迁移率退化与栅极漏电 · 电容的平衡
高k介质厚度优化EOT
15
侧墙（Spacer）工程
低k侧墙材料与厚度对寄生电容及沟道应…
Spacer侧墙
16
接触孔（Contact）优化
自对准接触工艺 · 降低接触电阻与寄生电容
Contact接触孔
17
MOL (Middle-Of-Line) 工艺优化
局部互连层对寄生电容的贡献与优化
MOLMiddle-Of-Li…
18
BEOL (Back-End-Of-Line) 低k介质
低k介电常数材料对后端寄生电容的降低
BEOLBack-End-Of-…
19
器件结构创新
Fork-Sheet FET与CFE…
器件结构创新Fork-Sheet
20
迁移率增强新机制
负电容效应（NCFET）对迁移率与电…
迁移率增强新机制NCFET
21
机器学习在协同优化中的应用
使用神经网络预测迁移率与电容的Par…
机器学习协同优化
22
TCAD仿真案例
Sentaurus/TCAD中迁移率…
TCAD仿真案例
23
RC延迟模型
迁移率与寄生电容对电路级RC延迟的综…
RC延迟模型
24
SRAM单元优化
迁移率增强与寄生电容对SRAM读/写…
SRAM单元优化
25
环形振荡器性能
迁移率与寄生电容对环形振荡器频率与功…
环形振荡器性能迁移率
26
工艺波动性分析
迁移率与寄生电容对工艺波动（RDF · LER）的敏感性
工艺波动性分析RDF
27
热效应与自热效应
高迁移率材料（如Ge）的自热效应对迁…
热效应自热效应
28
可靠性考量
NBTI/PBTI对迁移率退化与电容…
可靠性考量NBTI/PBTI
29
未来技术展望
2D材料（MoS2 · Graphene）在迁移率与寄生电容…
未来技术展望MoS2
30
课程总结与项目实践
综合案例设计 · 从工艺参数到电路性能的完整协同优化流…
课程总结项目实践