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《工艺适配下的时序收敛策略》
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工艺适配下的时序收敛策略
📚 共计 30 章节
01
时序收敛概述
什么是时序收敛、为什么工艺适配如此重要、课程目标与学习路径
基础
概念
02
工艺库基础
PVT(工艺、电压、温度)角的概念、典型工艺角(SS、FF、TT)及其对时序的影响
工艺
PVT
03
时序约束基础
SDC文件结构、时钟定义(create_clock)、生成时钟(create_generated_clock)、输入输出延迟
SDC
约束
04
时序路径分析
建立时间(Setup)与保持时间(Hold)检查机制、关键路径识别方法
STA
路径
05
工艺缩放效应
不同工艺节点(如28nm vs 7nm)下互连线延迟与单元延迟的变化趋势
工艺节点
缩放
06
多工艺角收敛策略
同时满足SS(最慢)和FF(最快)工艺角下的Setup与Hold约束
多角
收敛
07
片上波动(OCV)
OCV概念、Derate因子设置、悲观度去除(CRPR/AOCV/POCV)
OCV
CRPR
08
时钟树综合(CTS)与工艺
时钟偏差(Skew)与时钟抖动(Jitter)对时序的影响、低工艺节点下的时钟树设计挑战
CTS
时钟
09
功耗与时序的权衡
动态功耗、漏电流与单元驱动强度的关系、低功耗工艺下的时序优化
功耗
低功耗
10
电压降(IR Drop)与时序
IR Drop对单元延迟的影响、静态与动态IR Drop分析、时序降额
IR Drop
降额
11
串扰(Crosstalk)与时序
耦合电容导致的延迟变化、串扰噪声分析、屏蔽与间距策略
串扰
噪声
12
布局规划(Floorplan)对时序的影响
I/O规划、宏单元(Memory)摆放、电源网络规划
Floorplan
布局
13
单元放置(Placement)优化
拥塞控制、高驱动强度单元的使用、物理综合(Physical Synthesis)
Placement
物理综合
14
时钟门控(Clock Gating)与时序
时钟门控的建立与保持时间检查、门控逻辑的时序收敛
门控
时钟
15
复位信号时序
异步复位、同步释放的时序分析、复位树的时序收敛
复位
异步
16
多周期路径(Multi-Cycle Path)
定义与约束、适用场景、对Setup/Hold的影响
多周期
MCP
17
伪路径(False Path)
定义与约束、异步时钟域处理、如何避免误约束
伪路径
异步
18
时序例外(Timing Exception)管理
set_max_delay/set_min_delay、case_analysis、disable_timing
例外
约束
19
增量编译(Incremental Compilation)
ECO流程、小范围改动下的时序修复策略
ECO
增量
20
时序修复技术(一)
插入缓冲器(Buffer)、调整单元尺寸(Upsize/Downsize)、逻辑重组
Buffer
尺寸调整
21
时序修复技术(二)
调整时钟相位、插入延迟单元、使用可调节延迟单元
延迟
相位
22
工艺偏差与良率
工艺波动对时序分布的影响、统计静态时序分析(SSTA)简介
良率
SSTA
23
先进工艺下的机器学习应用
ML在预测关键路径、优化单元尺寸中的应用
ML
预测
24
时序收敛的脚本自动化
Tcl脚本实现批量时序修复、报告解析与自动化分析
Tcl
自动化
25
时序收敛的签收(Sign-off)流程
PrimeTime/STA工具使用、多角多模(MCMM)分析
Sign-off
MCMM
26
跨时钟域(CDC)处理
同步器设计、CDC验证、对时序收敛的影响
CDC
同步器
27
模拟与数字混合信号时序
模拟IP接口时序约束、数模混合仿真中的时序检查
混合信号
IP
28
工艺设计套件(PDK)与时序
PDK中的时序模型(NLDM/CCS/ECSM)、模型精度对比
PDK
模型
29
案例研究(一):28nm高频处理器核
28nm工艺下高频处理器核的时序收敛实战
28nm
案例
30
案例研究(二):7nm AI加速芯片
7nm工艺下AI加速芯片的时序收敛挑战与解决方案
7nm
AI
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