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《Sentaurus SiC功率器件仿真工程》
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本课程属于:219-Synopsys Sentaurus半导体器件TCAD工程
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Sentaurus SiC功率器件仿真工程
共计 30 章节
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01
课程导入与仿真环境搭建
目标=SiC功率器件仿真工程概述 · Sentaurus TCAD工具链组… · Workbench与Sentauru…
课程导入
仿真环境搭建
02
SiC材料特性与物理模型选择
目标=4H-SiC与6H-SiC晶型… · 各向异性迁移率模型 · 不完全电离模型
SiC
材料特性
03
Sentaurus SDE与结构编辑实战
目标=使用Sentaurus Str… · 掺杂分布定义 · 网格划分策略
Sentaurus
SDE
04
Sentaurus Sprocess工艺仿真入门
目标=SiC离子注入仿真 · 注入损伤与退火激活模型 · 氧化工艺仿真
Sentaurus
Sprocess
05
Sentaurus Device基础与仿真控制
目标=物理模型方程体系 · 漂移-扩散与热力学模型选择 · 求解器设置
Sentaurus
Device
06
SiC功率二极管仿真工程
目标=4H-SiC肖特基二极管与PI… · 正向导通特性 · 反向击穿特性
SiC
功率二极管仿真工…
07
SiC MOSFET导通特性仿真
目标=平面栅与沟槽栅MOSFET结构… · 沟道迁移率模型 · 界面态陷阱模型
SiC
MOSFET
08
SiC MOSFET击穿与雪崩仿真
目标=碰撞电离模型参数校准 · 击穿电压仿真 · 雪崩击穿与动态雪崩过程
SiC
MOSFET
09
SiC功率器件电容特性仿真
目标=C-V特性仿真方法 · 栅极电荷仿真 · 输入/输出电容提取
SiC
功率器件电容特性…
10
SiC器件热仿真与电热耦合
目标=Sentaurus Therm… · 自热效应建模 · 热网络提取
SiC
器件热仿真
11
SiC JBS与MPS二极管仿真
目标=结势垒肖特基二极管与混合PiN… · 正向压降与反向漏电折中 · 双极退化相关仿真分析
SiC
JBS
12
SiC IGBT与BJT仿真探索
目标=SiC IGBT结构建模 · 漂移区电导调制 · 开关特性仿真
SiC
IGBT
13
Sentaurus SPECTRA与器件-电路混合仿真
目标=SPECTRA工具介绍 · SiC MOSFET SPICE模型… · 双脉冲测试电路搭建
Sentaurus
SPECTRA
14
SiC功率模块寄生效应仿真
目标=模块封装寄生电感与电容提取 · Sentaurus与寄生参数联合仿真 · 开关振荡与电压过冲分析
SiC
功率模块寄生效应…
15
SiC器件可靠性仿真专题
目标=栅氧可靠性仿真 · 阈值电压漂移 · 体二极管退化
SiC
器件可靠性仿真专…
16
SiC功率器件仿真中的网格与收敛优化
目标=自适应网格细化 · 网格收敛性验证 · 求解器参数调优
SiC
功率器件仿真
17
SiC材料参数校准与实验对标
目标=迁移率模型参数提取 · 碰撞电离系数校准 · 界面态密度提取
SiC
材料参数校准
18
SiC MOSFET开关特性仿真进阶
目标=栅极电阻与开关速度关系 · 米勒平台仿真 · 开关损耗分离
SiC
MOSFET
19
SiC功率器件短路与过流仿真
目标=短路耐受时间仿真 · 电流饱和机制 · 热失控临界条件
SiC
功率器件短路
20
SiC器件辐射效应与空间应用仿真
目标=总剂量效应与单粒子烧毁仿真 · 辐射诱导电荷收集 · 宇航级SiC器件加固仿真评估
SiC
器件辐射效应
21
Sentaurus Workbench自动化与参数扫描
目标=SWB实验设计 · 参数化仿真 · 结果自动提取与可视化
Sentaurus
Workbench
22
SiC功率器件仿真中的高级物理模型
目标=载流子输运的流体动力学模型 · 蒙特卡洛方法简介 · 量子修正模型
SiC
功率器件仿真
23
SiC超结与新型终端结构仿真
目标=SiC超结器件可行性仿真 · 深槽刻蚀终端 · 斜场板与复合终端结构优化
SiC
超结
24
SiC功率器件动态特性与可靠性协同仿真
目标=动态导通电阻退化仿真 · 栅极偏置温度不稳定性仿真 · 体二极管双极退化仿真与寿命预测
SiC
功率器件动态特性
25
SiC器件仿真与版图/工艺协同设计
目标=Sentaurus与版图工具数… · 工艺设计套件参数提取 · 可制造性仿真评估
SiC
器件仿真
26
SiC功率器件仿真结果后处理与可视化
目标=Sentaurus Visua… · 电场/电流密度/温度分布图绘制 · 一维/二维数据提取
SiC
功率器件仿真结果…
27
SiC MOSFET栅极氧化层可靠性仿真专题
目标=栅氧电场分布仿真 · TDDB与击穿仿真 · 界面态与氧化层陷阱对阈值电压影响
SiC
MOSFET
28
SiC功率器件高频开关仿真与EMI分析
目标=高频开关损耗仿真 · dv/dt与di/dt控制 · 共模/差模噪声源分析
SiC
EMI
29
SiC功率器件仿真项目实战
目标=从规格到仿真报告——以1200… · 完成结构设计 · 工艺仿真
SiC
功率器件仿真项目…
30
课程总结与仿真工程能力提升
目标=知识体系回顾 · 常见仿真陷阱与最佳实践 · 仿真与实验迭代方法
课程总结
仿真工程能力提升
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