VIP20
本课程属于：219-Synopsys Sentaurus半导体器件TCAD工程 芯片硬件与光电工程 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

Sentaurus MOS器件工艺建模与验证

共计 30 章节
可可资料掘金营 · 点击在线试看
01
课程导入与Sentaurus TCAD工具链概览
目标=MOS器件工艺建模与验证的完整… · Sentaurus Workbenc… · 典型工程任务与学习路径
SentaurusTCAD
02
MOS器件工艺建模的物理基础
目标=氧化 · 扩散 · 离子注入
MOS器件工艺建模的物…
03
Sentaurus Process命令语言与仿真流程搭建
目标=SProcess命令语法 · 网格定义 · 材料区域
SentaurusProcess
04
MOSFET工艺仿真中的网格策略
目标=一维/二维/三维网格生成 · 自适应网格细化 · 关键区域网格密度控制
MOSFET工艺仿真
05
栅氧生长与界面陷阱建模
目标=干氧/湿氧氧化模型 · 氧化速率参数校准 · Si/SiO2界面陷阱电荷与固定电荷…
栅氧生长界面陷阱建模
06
离子注入与退火激活建模
目标=注入分布解析模型与蒙特卡洛模型 · 沟道效应 · 损伤累积
离子注入退火激活建模
07
多晶硅栅与金属栅工艺建模
目标=多晶硅沉积 · 掺杂 · 刻蚀工艺仿真
多晶硅栅金属栅工艺建模
08
源漏扩展与晕环注入工艺建模
目标=浅结形成 · 晕环注入角度与能量优化 · 短沟道效应抑制的工艺参数扫描与敏感性…
源漏扩展晕环注入工艺建模
09
隔离结构与阱工程建模
目标=STI刻蚀 · 填充 · 致密化仿真
隔离结构阱工程建模
10
接触与互连工艺建模
目标=硅化物形成 · 接触电阻建模 · 钨塞与铜互连的Sentaurus P…
接触互连工艺建模
11
工艺仿真到器件仿真的结构传递
目标=SProcess到SDevic… · 掺杂与缺陷数据传递 · 电极定义与材料属性继承
工艺仿真到器件仿…SProcess
12
MOSFET器件电学特性仿真设置
目标=SDevice物理模型选择 · 迁移率模型 · 复合模型
MOSFET器件电学特性仿真…
13
转移特性与输出特性仿真验证
目标=Id-Vg · Id-Vd曲线仿真 · 阈值电压提取
转移特性输出特性仿真验证
14
短沟道效应与漏致势垒降低的工艺-器件联合分析
目标=不同沟道长度与注入条件下SCE… · 工艺参数对电学特性的影响量化
短沟道效应漏致势垒降低的工…
15
亚阈值摆幅与关态泄漏电流建模
目标=亚阈值区物理模型 · 界面陷阱与隧穿泄漏 · 栅致漏极泄漏的Sentaurus仿真…
亚阈值摆幅关态泄漏电流建模
16
迁移率与沟道掺杂浓度依赖性的校准
目标=不同迁移率模型对比 · 库仑散射与声子散射 · 沟道掺杂剖面与有效迁移率提取
迁移率沟道掺杂浓度依赖…
17
MOS电容C-V特性仿真与氧化层厚度提取
目标=高频/低频C-V仿真 · 平带电压与阈值电压提取 · 界面陷阱密度对C-V曲线的影响
MOSC-V
18
工艺波动与统计建模
目标=随机掺杂波动 · 线边缘粗糙度 · 氧化层厚度波动对MOS器件性能的Mo…
工艺波动统计建模
19
应力工程与载流子迁移率增强建模
目标=SiGe源漏 · 应力衬层 · STI应力对沟道应力的影响
应力工程载流子迁移率增强…
20
热载流子注入与可靠性工艺建模
目标=HCI退化物理机制 · Sentaurus中热载流子注入仿真 · 界面态产生与器件参数漂移预测
热载流子注入可靠性工艺建模
21
负偏压温度不稳定性建模
目标=NBTI/PBTI退化机制 · 反应-扩散模型 · Sentaurus可靠性仿真流程与实…
负偏压温度不稳定…NBTI/PBTI
22
栅极漏电流与隧穿氧化层建模
目标=直接隧穿 · Fowler-Nordheim隧穿 · 陷阱辅助隧穿模型
栅极漏电流隧穿氧化层建模
23
MOS器件工艺-器件联合优化实战
目标=以特定技术节点为例 · 从工艺参数调整到器件性能优化的完整S…
MOS器件工艺
24
Sentaurus Workbench实验设计与参数扫描
目标=SWB实验树构建 · 参数化仿真 · 自动结果提取与可视化
SentaurusWorkbench
25
Sentaurus Visual与Tecplot数据后处理
目标=掺杂剖面 · 电场分布 · 能带图
SentaurusVisual
26
MOS器件紧凑模型参数提取与TCAD对比
目标=BSIM模型参数提取流程 · TCAD仿真数据与紧凑模型拟合 · 模型精度评估
MOSTCAD
27
先进MOS结构工艺建模
目标=FinFET · FDSOI · 纳米片器件的Sentaurus工艺仿…
MOS先进
28
工艺模型校准与实验数据验证方法
目标=SIMS掺杂剖面 · TEM截面 · C-V与I-V数据校准
工艺模型校准实验数据验证方法
29
MOS工艺建模中的数值收敛问题与调试技巧
目标=常见不收敛原因 · 网格与求解器设置调整 · 工艺步骤顺序优化
MOS工艺建模
30
课程综合项目
目标=完整MOS器件工艺建模与验证报… · 仿真执行 · 电学特性验证到结果分析的端到端实战
课程综合项目MOS