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ASIC设计2.5D中介层集成与硅通孔设计规则

共计 30 章节

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5D集成技术背景 · 中介层与TSV的基本概念 · 课程学习路径与目标

课程导入5D集成技术背景

5D与3D集成的区别 · 中介层类型（硅 · 有机

5D集成基础5D

硅通孔（TSV）基础

TSV结构 · 制造工艺流程（刻蚀 · 填充

中介层设计概述

中介层功能 · 布线资源 · 电源分配网络（PDN）

介层设计概述介层功能

TSV设计规则（几何规则）

TSV直径 · 深度 · 间距

TSV设计规则

TSV阵列与布局

TSV阵列排列方式 · 与凸点（bump）的对应关系 · 布局热点管理

中介层布线规则

线宽线距 · 金属层堆叠 · 过孔类型

介层布线规则线宽线距

电源完整性设计规则

TSV与中介层PDN设计 · 去耦电容放置 · IR drop分析与规则制定

电源完整性设计规…TSV

信号完整性设计规则

TSV寄生参数（RLC） · 串扰控制 · 阻抗匹配

信号完整性设计规…TSV

热管理设计规则

TSV导热路径 · 中介层散热结构 · 热应力与可靠性设计规则

热管理设计规则TSV

机械应力与可靠性

TSV与中介层热膨胀系数（CTE）匹… · 应力分布 · 失效模式与设计规避

机械应力可靠性

制造工艺约束

光刻对准精度 · 刻蚀深宽比 · 电镀填充均匀性

制造工艺约束光刻对准精度

设计规则检查（DRC）基础

DRC在2.5D设计中的角色 · 规则文件格式（如SKILL） · 常见检查项

DRC设计规则检查

TSV DRC规则详解

TSV相关DRC规则（如最小间距 · 密度 · 凸点覆盖）

中介层DRC规则详解

金属层DRC · 过孔DRC · 布线密度规则

设计规则文件构建

如何编写和定制TSV/中介层设计规则… · 规则优先级与层次化

设计规则文件构建TSV

从芯片-中介层协同设计到物理验证的完… · EDA工具链（如Synopsys · Cadence）

5D设计流程从芯片

协同设计方法

芯片与中介层接口规划 · 微凸点（micro-bump）分配 · TSV位置规划

协同设计方法芯片

基于HBM的2.5D设计案例

HBM接口信号布线 · TSV分配 · 电源/地设计规则应用

Chiplet集成案例

多芯片let在中介层上的布局 · TSV与布线规则对性能的影响

Chiplet集成案例

信号完整性仿真与规则验证

使用SPICE/电磁场仿真提取TSV… · 验证设计规则的有效性

信号完整性仿真规则验证

电源完整性仿真与规则优化

IR drop/电迁移（EM）仿真 · 基于仿真结果调整TSV和PDN规则

电源完整性仿真规则优化

热仿真与规则校核

热分布仿真 · 热点识别 · 根据热仿真优化TSV密度和布局规则

热仿真规则校核

可制造性设计（DFM）

TSV与中介层制造良率提升 · 设计规则与工艺窗口匹配

DFM可制造性设计

可测试性设计（DFT）与规则

TSV测试结构 · 中介层测试访问 · 边界扫描与设计规则

DFT可测试性设计

常见设计规则错误与调试

典型DRC违例（如TSV间距不足 · 布线密度超标） · 调试方法与工具使用

常见设计规则错误调试

设计规则优化策略

在性能 · 功耗 · 面积与成本之间权衡

设计规则优化策略性能

先进工艺与未来趋势

5D集成向3D演进 · 新型中介层材料 · TSV微缩趋势对设计规则的挑战

先进工艺未来趋势

综合实战项目

基于给定规格（如4颗HBM+逻辑芯片… · TSV规划 · DRC验证与报告

综合实战项目HBM+

课程总结与进阶路径

核心知识回顾 · 常见误区 · 推荐学习资源与后续进阶方向（如3D-…

课程总结进阶路径