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工艺集成3D NAND与DRAM制造工艺差异详解

共计 30 章节
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01
课程导论
3D NAND与DRAM在存储体系中… · 核心差异概述 · 课程目标与学习路径
课程导论NAND
02
基础器件结构对比
3D NAND的电荷俘获型存储单元（…
基础器件结构对比NAND
03
制造工艺起点
衬底与外延工艺差异（3D NAND的…
制造工艺起点NAND
04
关键光刻技术对比
3D NAND的多层堆叠光刻 vs…
关键光刻技术对比NAND
05
薄膜沉积工艺（上）
3D NAND的ONO（氧化物-氮化…
薄膜沉积工艺NAND
06
薄膜沉积工艺（下）
DRAM的介电层（高k材料）与金属电…
薄膜沉积工艺DRAM
07
刻蚀工艺核心差异（上）
3D NAND的高深宽比通道孔刻蚀（…
刻蚀工艺核心差异NAND
08
刻蚀工艺核心差异（下）
DRAM的深沟槽电容刻蚀与自对准接触…
刻蚀工艺核心差异DRAM
09
离子注入与掺杂
3D NAND的多晶硅沟道掺杂 vs…
离子注入掺杂
10
热工艺与退火
3D NAND的快速热退火（RTA）…
热工艺退火
11
化学机械抛光（CMP）
3D NAND的全局平坦化 vs D…
CMP化学机械抛光
12
金属化与互连（上）
3D NAND的垂直栅极字线（WL）…
金属化互连
13
金属化与互连（下）
DRAM的位线（BL）与字线（WL）…
金属化互连
14
关键模块
3D NAND的阶梯结构（Stair…
关键模块NAND
15
关键模块
DRAM的深沟槽电容（Deep Tr…
关键模块DRAM
16
关键模块
3D NAND的狭缝刻蚀（Slit…
关键模块NAND
17
关键模块
DRAM的存储节点接触（SNC）与位…
关键模块DRAM
18
关键模块
3D NAND的替换栅极（Repla…
关键模块NAND
19
关键模块
DRAM的金属绝缘体金属（MIM）电…
关键模块DRAM
20
关键模块
3D NAND的通道孔（Channe…
关键模块NAND
21
关键模块
DRAM的浅槽隔离（STI）与有源区…
关键模块DRAM
22
关键模块
3D NAND的CMOS Under…
关键模块NAND
23
关键模块
DRAM的外围电路（Peripher…
关键模块DRAM
24
关键模块
3D NAND的多层堆叠层数扩展与工…
关键模块NAND
25
关键模块
DRAM的微缩极限与EUV光刻引入
关键模块DRAM
26
关键模块
3D NAND的电荷俘获层（SiN）…
关键模块NAND
27
关键模块
DRAM的存储节点（Storage…
关键模块DRAM
28
关键模块
3D NAND的读取/编程/擦除操作…
关键模块NAND
29
关键模块
DRAM的刷新（Refresh）特性…
关键模块DRAM
30
课程总结与未来展望
3D NAND与DRAM工艺融合趋势… · PCM · MRAM等新型存储）
课程总结未来展望