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先进CMOS工艺应力技术对热载流子效应防护的实战

共计 30 章节
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01
热载流子效应(HCE)基础
物理机制 · 碰撞电离与界面态产生
HCE热载流子效应
02
HCE对器件可靠性的影响
阈值电压漂移 · 跨导退化 · 漏电流增加
HCE对器件可靠性的影…
03
传统HCE防护技术回顾
LDD结构 · 轻掺杂漏极 · 侧墙技术
HCE传统
04
先进CMOS工艺应力技术概览
应力工程与载流子迁移率增强
CMOS先进
05
单轴应力技术原理
CESL应力层 · 应力记忆技术(SMT) · 嵌入式SiGe源漏
单轴应力技术原理CESL
06
双轴应力技术原理
SOI与应变硅(Strained-S…
双轴应力技术原理SOI
07
应力对能带结构与散射机制的影响
能带分裂 · 有效质量调制
应力对能带结构散射机制的影响
08
应力与热载流子效应的耦合机制
应力如何影响碰撞电离率
应力热载流子效应的耦…
09
TCAD仿真基础
Sentaurus/Medici工具…
TCAD仿真基础
10
应力分布仿真
工艺应力模拟(应力张量 · 静水应力 · 剪切应力)
应力分布仿真工艺应力模拟
11
HCE退化仿真
幸运电子模型(Lucky Elect…
HCE退化仿真
12
应力增强型NMOS HCE防护
嵌入式SiC源漏与应力记忆技术优化
NMOSHCE
13
应力增强型PMOS HCE防护
嵌入式SiGe源漏与压缩应力CESL…
PMOSHCE
14
栅极工程与应力协同
高k金属栅(HKMG)与应力层的集成
栅极工程应力协同
15
侧墙应力调控
多层侧墙(MLS)与应力反转技术
侧墙应力调控MLS
16
接触孔应力技术
接触刻蚀停止层(CESL)的应力调谐
接触孔应力技术CESL
17
版图依赖的应力效应(LOD)
有源区尺寸与应力分布的关系
LOD版图依赖的应力效…
18
应力邻近效应(SPE)
STI应力与阱应力的影响
SPE应力邻近效应
19
HCE应力防护的工艺窗口优化
退火温度 · 沉积条件 · 刻蚀条件
HCE应力防护的工艺窗…
20
应力测量技术
微拉曼光谱(μ-RS) · 纳米束电子衍射(NBED)
应力测量技术RS
21
电学表征技术
电荷泵(Charge Pumping… · 1/f噪声法
电学表征技术Charge
22
HCE寿命预测模型
基于应力条件的AC/DC寿命模型
HCE寿命预测模型
23
案例实战1
28nm节点NMOS HCE退化改善…
案例实战1nm
24
案例实战2
14nm FinFET PMOS H…
案例实战2nm
25
案例实战3
7nm节点GAAFET中应力技术对H…
案例实战3nm
26
HCE与负偏置温度不稳定性(NBTI)的协同优化。
HCE与负偏置温度不稳定性(NBTI)的… · 核心概念 · 实践要点
HCENBTI
27
HCE与电迁移(EM)的相互作用
应力诱导空洞与界面退化
HCEEM
28
先进工艺中HCE测试结构设计
专用PCM与阵列测试
HCE先进工艺
29
HCE防护的EDA流程集成
RC提取与可靠性仿真流程
HCEEDA
30
未来趋势
超低电压操作 · 新沟道材料(Ge/2D)与HCE挑战
未来趋势超低电压操作