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001-半导体器件SPICE建模
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《SiC器件SPICE建模:MOSFET参数提取与模型验证》
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SiC器件SPICE建模:MOSFET参数提取与模型验证
共计 30 章节
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01
课程导论
SiC MOSFET在电力电子中的优… · SPICE建模的重要性 · 课程目标与学习路径
课程导论
SiC
02
SiC材料物理基础
SiC的晶格结构 · 宽禁带特性 · 高临界电场强度
SiC
材料物理基础
03
SiC MOSFET器件结构与工作原理
垂直型VDMOSFET与平面型DMO… · 沟道导电机制 · 阈值电压定义
SiC
MOSFET
04
SPICE仿真基础
SPICE语法 · 网表结构 · 常用语句(.MODEL
SPICE
仿真基础
05
MOSFET SPICE模型层级
Level 1 (Shichman-… · Level 2 · Level 3
MOSFET
SPICE
06
静态特性参数提取(I-V)
输出特性曲线(Id-Vds)与转移特… · 线性区与饱和区参数提取方法
I-V
静态特性参数提取
07
阈值电压(Vth)提取
线性外推法 · 恒定电流法 · 二阶导数法在SiC MOSFET中的…
Vth
阈值电压
08
跨导(gm)与沟道迁移率提取
跨导定义 · 有效迁移率(μeff)计算 · 迁移率退化效应建模
gm
跨导
09
输出电导(gds)与沟道长度调制效应
沟道长度调制参数λ的提取 · Early电压概念 · SiC中短沟道效应的影响
gds
输出电导
10
体二极管特性建模
SiC MOSFET体二极管的正向I… · 反向恢复特性 · SPICE二极管模型参数(IS
体二极管特性建模
SiC
11
电容特性基础(C-V)
MOS电容结构 · 栅-源电容(Cgs) · 栅-漏电容(Cgd)
C-V
电容特性基础
12
C-V特性参数提取
使用阻抗分析仪测量C-V曲线 · 从Cgd-Vgd曲线提取米勒电容参数 · 非线性电容建模方法
C-V
特性参数提取
13
栅极电荷特性(Qg)
栅极电荷曲线(Vgs vs Qg)的… · 米勒平台 · 栅极电荷参数(Qgs
Qg
栅极电荷特性
14
开关特性建模(动态)
开关损耗机制 · 开通/关断波形分析 · SPICE中寄生电感(Lsource
开关特性建模
动态
15
温度效应建模
温度对Vth · Rds(on) · 迁移率
温度效应建模
Vth
16
自热效应建模
SiC MOSFET的自热效应机理 · 热网络模型(RC热链) · 电-热耦合仿真方法
自热效应建模
SiC
17
SPICE子电路(Subcircuit)构建
使用.SUBCKT封装模型 · 定义端口(D · G
SPICE
Subcircuit
18
Verilog-A建模基础
Verilog-A语法入门 · 在SiC MOSFET建模中的应用 · 与SPICE模型的对比优势
Verilog-A
建模基础
19
参数提取工具与自动化
使用Python/SciPy进行曲线… · IC-CAP/Keysight自动化… · 优化算法(Levenberg-Mar…
参数提取工具
自动化
20
模型验证方法(DC)
静态特性仿真与实测数据对比 · 误差分析(RMSE · 最大误差)
DC
模型验证方法
21
模型验证方法(CV/Qg)
C-V曲线仿真与实测对比 · 栅极电荷波形验证 · 米勒平台宽度准确性评估
CV/Qg
模型验证方法
22
模型验证方法(双脉冲测试)
双脉冲测试原理 · SPICE仿真设置 · 开关波形(Vds
模型验证方法
双脉冲测试
23
模型验证方法(短路与雪崩)
短路耐受能力仿真 · 雪崩击穿能量(Eas)仿真 · SiC MOSFET鲁棒性验证
模型验证方法
短路
24
寄生参数提取与建模
封装寄生电感(Lbond · Llead) · PCB寄生参数
寄生参数提取
建模
25
栅极驱动电路建模
驱动电阻Rg的影响 · 驱动电压Vgs(on)/Vgs(of… · 米勒平台振荡抑制的SPICE仿真
栅极驱动电路建模
Rg
26
并联均流建模
SiC MOSFET并联时的静态与动… · 栅极电阻微调 · 温度不均衡的SPICE仿真分析
并联均流建模
SiC
27
SiC MOSFET模型库与标准
Cree/Wolfspeed · ROHM · Infineon等厂商模型格式
SiC
MOSFET
28
高级建模
陷阱效应与阈值电压不稳定性(Vth… · Bias Temperature I…
高级建模
Vth
29
案例实战
1200V SiC MOSFET完整… · 子电路搭建 · 静态/动态验证到双脉冲测试对标
案例实战
SiC
30
课程总结与展望
SiC MOSFET建模挑战(高温 · 高频 · 可靠性)
课程总结
SiC
所属VIP或分类
同VIP:BSIM4模型参数提取:沟道长度调制与DIBL效应拟合
同VIP:GaN-HEMT小信号建模:S参数提取与等效电路拟合
同VIP:GaN-HEMT建模:从器件物理到SPICE模型生成