VIP20
本课程属于：001-半导体器件SPICE建模 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

GaN HEMT建模：从器件物理到SPICE模型生成

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
GaN材料特性
宽禁带 · 高临界电场 · 高电子迁移率
GaN材料特性
02
AlGaN/GaN异质结能带分析
极化效应(自发极化与压电极化) · 能带弯曲 · 2DEG面密度计算
AlGaN/GaN异质结能带分析
03
HEMT器件结构与工作原理
源/漏/栅电极 · 势垒层 · 缓冲层
HEMT器件结构
04
阈值电压与沟道电荷模型
阈值电压定义 · 平带电压 · 界面态影响
阈值电压沟道电荷模型
05
电流-电压(I-V)特性
线性区 · 饱和区 · 跨导
I-V电流
06
电容-电压(C-V)特性
栅源电容 · 栅漏电容 · 本征电容
C-V电容
07
小信号等效电路模型
本征参数(gm · gds · Cgs
小信号等效电路模…gm
08
大信号模型基础
非线性电流源 · 非线性电容 · 自热效应
大信号模型基础非线性电流源
09
陷阱效应与电流崩塌
表面陷阱 · 缓冲层陷阱 · 栅滞后
陷阱效应电流崩塌
10
自热效应与热模型
功率耗散 · 热阻 · 结温计算
自热效应热模型
11
栅肖特基接触模型
肖特基势垒高度 · 理想因子 · 反向漏电流
栅肖特基接触模型肖特基势垒高度
12
欧姆接触与源漏电阻
接触电阻率 · 传输线模型(TLM) · 源漏寄生电阻提取
欧姆接触源漏电阻
13
衬底与缓冲层效应
碳掺杂/铁掺杂缓冲层 · 穿通效应 · 衬底偏置效应
衬底缓冲层效应
14
场板结构与终端技术
栅场板 · 源场板 · 多场板
场板结构终端技术
15
击穿机制与雪崩模型
临界电场 · 碰撞电离 · 雪崩击穿
击穿机制雪崩模型
16
SPICE模型概述
SPICE语法 · 子电路定义 · 模型语句
SPICE模型概述
17
基于物理的紧凑模型
Angelov模型 · Curtice模型 · EEHEMT模型
基于物理的紧凑模…Angelov
18
ASM-HEMT模型核心方程
表面势计算 · 漏源电流方程 · 电荷与电容方程
ASM-HEMT模型核心方程
19
模型参数提取流程
DC I-V参数提取 · CV参数提取 · 小信号S参数提取
模型参数提取流程DC
20
DC I-V参数提取方法
线性区提取Rds · 饱和区提取gm与gds · 阈值电压提取
DCI-V
21
CV参数提取方法
Cgs与Cgd分离 · 栅电容建模 · 偏置依赖性拟合
CV参数提取方法
22
S参数与小信号参数提取
去嵌技术 · 本征参数提取 · 寄生参数优化
S参数小信号参数提取
23
脉冲I-V与陷阱参数提取
脉冲宽度与占空比设置 · 电流崩塌量提取 · 陷阱时间常数拟合
I-V脉冲
24
自热参数提取
脉冲I-V与DC I-V对比 · 热阻提取 · 温度系数拟合
自热参数提取I-V
25
模型验证与校准
静态I-V验证 · 动态开关验证 · S参数验证
模型验证校准
26
Verilog-A实现紧凑模型
Verilog-A语法基础 · 模块定义 · 端口声明
Verilog-A实现紧凑模型
27
从Verilog-A到SPICE子电路
编译流程 · 符号创建 · 模型封装
Verilog-ASPICE
28
GaN HEMT SPICE模型库构建
模型分级(Level 1/2/3) · 统计模型 · 温度模型
GaNHEMT
29
模型在电路仿真中的应用
功率放大器设计 · 开关电源仿真 · 射频开关
模型电路仿真
30
GaN HEMT建模前沿与挑战
p-GaN栅HEMT · 沟槽栅 · 垂直GaN
GaNHEMT