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半导体工艺与制造设备
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001-半导体器件SPICE建模
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《SOI器件SPICE建模:衬底寄生提取与模型验证与故障调试》
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SOI器件SPICE建模:衬底寄生提取与模型验证与故障调试
共计 30 章节
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01
SOI技术概述
SOI器件结构 · SOI相比体硅的优势 · SOI技术分类(PD-SOI与FD-…
SOI
技术概述
02
SOI器件SPICE模型基础
BSIM-SOI模型发展史 · 模型层级划分 · 核心模型方程概览
SOI
SPICE
03
SOI衬底寄生效应物理起源
埋氧层(BOX)电容 · 衬底电阻 · 衬底耦合机制
SOI
衬底寄生效应物理…
04
衬底网络建模(一)
集总RC网络模型 · π型与T型等效电路
衬底网络建模
RC
05
衬底网络建模(二)
分布式RC网络模型 · 传输线近似与高阶等效电路
衬底网络建模
RC
06
衬底寄生参数提取方法
解析公式法 · 数值仿真法(TCAD) · 测试结构法
衬底寄生参数提取…
解析公式法
07
测试结构设计
GSG PAD布局 · 衬底接触环设计 · 去嵌结构(Open/Short/Th…
测试结构设计
GSG
08
S参数测量与去嵌
S参数基础 · SOLT去嵌 · TRL去嵌
S参数测量
去嵌
09
衬底电阻率提取
四探针法 · 传输线模型(TLM) · C-V法提取衬底掺杂浓度
衬底电阻率提取
四探针法
10
BOX电容提取
C-V特性分析 · 频率色散效应 · 温度依赖性
BOX
电容提取
11
衬底耦合效应建模
通过衬底的串扰模型 · 隔离环(Guard Ring)建模
衬底耦合效应建模
通过衬底的串扰模…
12
SOI MOSFET本征模型参数提取
阈值电压 · 迁移率 · 串联电阻
SOI
MOSFET
13
自热效应建模
热阻网络 · 热容提取 · 瞬态自热模型
自热效应建模
热阻网络
14
浮体效应建模
浮体电位方程 · 冲击电离模型 · 寄生BJT效应
浮体效应建模
浮体电位方程
15
PD-SOI特有效应
历史效应(History Effec… · 翘曲效应(Kink Effect)
PD-SOI
特有效应
16
FD-SOI特有效应
背栅效应 · 超薄体量子效应
FD-SOI
特有效应
17
BSIM-SOI模型参数集
DC参数 · AC参数 · 噪声参数
BSIM-SOI
模型参数集
18
参数提取工具与流程
IC-CAP/BSIMProPlus… · 优化算法(Levenberg-Mar…
参数提取工具
流程
19
衬底寄生模型Verilog-A实现
行为级描述 · 节点定义 · 电荷守恒方程
Verilog-A
衬底寄生模型
20
模型与测试数据拟合
DC拟合 · CV拟合 · S参数拟合
模型
测试数据拟合
21
射频SOI建模
截止频率fT · 最大振荡频率fmax · 噪声参数NFmin
SOI
射频
22
开关器件建模
Ron与Coff折中 · 大信号模型 · 谐波平衡仿真
开关器件建模
Ron
23
天线开关案例调试
插入损耗 · 隔离度 · 谐波失真
天线开关案例调试
插入损耗
24
低噪声放大器(LNA)案例调试
噪声系数 · 增益 · 线性度
LNA
低噪声放大器
25
功率放大器(PA)案例调试
效率 · PAE · 热管理
PA
功率放大器
26
混频器案例调试
转换增益 · 1dB压缩点 · 衬底串扰抑制
混频器案例调试
转换增益
27
模型收敛性问题调试
非收敛原因分析 · 初始条件设置 · Newton迭代参数调整
模型收敛性问题调…
非收敛原因分析
28
模型精度验证
蒙特卡洛分析 · 工艺角模型 · 统计建模
模型精度验证
蒙特卡洛分析
29
先进SOI技术展望
GAA-SOI · 负电容SOI · 二维材料SOI
SOI
先进
30
课程总结与工程实践建议
建模Checklist · 常见陷阱 · 行业工具链推荐
课程总结
工程实践建议
所属VIP或分类
同VIP:BSIM4模型参数提取:沟道长度调制与DIBL效应拟合
同VIP:GaN-HEMT小信号建模:S参数提取与等效电路拟合
同VIP:GaN-HEMT建模:从器件物理到SPICE模型生成