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001-半导体器件SPICE建模
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《半导体器件SPICE建模:模型收敛性调试与收敛失败工程案例》
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半导体器件SPICE建模:模型收敛性调试与收敛失败工程案例
共计 30 章节
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01
SPICE仿真基础
SPICE历史 · 核心算法(牛顿-拉夫逊法) · 瞬态与直流分析原理
SPICE
仿真基础
02
半导体器件模型概述
PN结二极管模型 · BJT模型 · MOSFET模型(Level 1/3…
半导体器件模型概…
PN
03
收敛性数学本质
非线性方程组求解 · 雅可比矩阵 · 迭代步长控制与收敛判据
收敛性数学本质
非线性方程组求解
04
收敛失败典型现象
节点电压震荡 · 时间步长崩溃 · 不收敛报错(No convergen…
收敛失败典型现象
节点电压震荡
05
模型参数与收敛性
参数物理极限(如VTO · BETA) · 参数范围对雅可比矩阵条件数的影响
模型参数
收敛性
06
初始条件设置
.IC语句 · .NODESET语句 · UIC选项的正确使用与案例
初始条件设置
IC
07
源与负载设置
理想电压源与电流源的收敛陷阱 · 串联电阻(RS)的必要性
负载设置
理想电压源
08
时间步长控制
.TRAN语句中的步长设置 · 最大步长限制 · 自适应步长算法
时间步长控制
TRAN
09
迭代算法选项
.OPTIONS语句中的ITL1 · ITL2 · ITL4
迭代算法选项
OPTIONS
10
GMIN与源步进法
GMIN stepping算法原理 · GMIN最小值设置 · Pseudo-Transient方法
GMIN
源步进法
11
二极管模型收敛调试
正向偏置大电流 · 反向击穿 · 串联电阻R_s对收敛的影响
二极管模型收敛调…
正向偏置大电流
12
BJT模型收敛调试
Gummel-Poon模型参数 · Early电压 · 大电流效应(Knee current…
BJT
模型收敛调试
13
MOSFET模型收敛调试
BSIM4模型参数 · 沟道长度调制 · DIBL效应导致的收敛失败
MOSFET
模型收敛调试
14
亚阈值区收敛问题
弱反型区模型不连续 · gmid方法 · 平滑函数(smooth functi…
亚阈值区收敛问题
弱反型区模型不连…
15
温度效应与收敛
温度参数TNOM · TC1 · TC2对模型收敛性的影响及调试
温度效应
收敛
16
寄生元件收敛问题
寄生电容 · 电感 · 电阻形成的谐振回路导致瞬态震荡
寄生元件收敛问题
寄生电容
17
子电路与宏模型收敛
子电路接口阻抗不匹配 · 内部节点浮空(floating no…
子电路
宏模型收敛
18
数字与模拟混合仿真收敛
A/D接口 · 逻辑门模型 · 事件驱动与连续时间耦合
数字
模拟混合仿真收敛
19
收敛失败日志分析
HSPICE/Spectre/ngs…
收敛失败日志分析
HSPICE/Spect…
20
案例1
二极管整流电路直流扫描不收敛——原因…
案例1
二极管整流电路直…
21
案例2
BJT差分放大器瞬态仿真时间步长崩溃…
案例2
BJT
22
案例3
MOSFET LNA电路小信号分析不…
案例3
MOSFET
23
案例4
带寄生电感的Buck转换器瞬态震荡—…
案例4
Buck
24
案例5
多子电路级联系统初始化失败——NOD…
案例5
NOD
25
案例6
温度扫描中模型参数外推导致发散——参…
案例6
温度扫描
26
收敛性调试方法论
二分法定位 · 简化电路法 · 逐步增加复杂度
收敛性调试方法论
二分法定位
27
高级收敛技术
同伦法(Homotopy) · 伪瞬态法(Pseudo-Transi… · 连续法(Continuation)
高级收敛技术
Homotopy
28
模型卡编写规范
.MODEL语句 · 参数单位 · 物理一致性检查(如CJO>0)
模型卡编写规范
MODEL
29
仿真器选择与收敛性
HSPICE vs Spectre…
仿真器选择
收敛性
30
课程总结与工程建议
收敛性检查清单 · 常见陷阱 · 未来趋势(机器学习辅助收敛)
课程总结
工程建议
所属VIP或分类
同VIP:BSIM4模型参数提取:沟道长度调制与DIBL效应拟合
同VIP:GaN-HEMT小信号建模:S参数提取与等效电路拟合
同VIP:GaN-HEMT建模:从器件物理到SPICE模型生成