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本课程属于：025-Tokyo Electron晶圆制造设备与工艺工程 高端制造、半导体装备与精密工程 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
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Tokyo Electron薄膜沉积设备与晶圆制造工程

共计 30 章节
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01
课程导入与产业定位
目标=Tokyo Electron在… · 薄膜沉积设备的产品谱系 · 晶圆制造工程的整体流程与本课程学习地…
课程导入产业定位
02
薄膜沉积技术基础
目标=CVD · PVD · ALD的基本原理
薄膜沉积技术基础CVD
03
晶圆制造中的薄膜需求
目标=逻辑与存储器件对薄膜的厚度 · 均匀性 · 纯度
晶圆制造薄膜需求
04
Tokyo Electron薄膜沉积设备概览
目标=CVD · PVD · ALD平台型号
TokyoElectron
05
真空系统与气体输送工程
目标=真空泵 · 压力控制 · 气体流量校准
真空系统气体输送工程
06
等离子体基础与设备应用
目标=等离子体产生方式 · ICP/CCP源 · 等离子体诊断
等离子体基础设备应用
07
热CVD与LPCVD工艺
目标=温度 · 压力 · 气体配比对薄膜质量的影响
CVDLPCVD
08
等离子体增强CVD（PECVD）
目标=PECVD反应机理 · 薄膜性质调控 · 设备硬件配置
CVDPECVD
09
原子层沉积（ALD）原理与Tokyo Electron设备
目标=自限制表面反应 · 前驱体选择 · 吹扫与循环时序
ALDTokyo
10
ALD工艺开发与优化
目标=前驱体脉冲 · 吹扫 · 抽气时间优化
ALD工艺开发
11
PVD与溅射沉积设备
目标=磁控溅射原理 · 靶材与电源 · 薄膜均匀性与台阶覆盖
PVD溅射沉积设备
12
薄膜表征与量测
目标=椭偏仪 · XRF · XPS
薄膜表征量测
13
薄膜均匀性与工艺窗口
目标=片内 · 片间 · 批次间均匀性影响因素
薄膜均匀性工艺窗口
14
颗粒与缺陷控制工程
目标=颗粒来源分析 · 腔体清洁 · 预防性维护
颗粒缺陷控制工程
15
薄膜应力与界面工程
目标=应力产生机制 · 应力对晶圆翘曲与器件性能的影响 · 应力调控方法与界面处理技术
薄膜应力界面工程
16
前驱体与材料工程
目标=前驱体分类 · 纯度要求 · 储存与安全
前驱体材料工程
17
Tokyo Electron设备操作与配方管理
目标=配方结构 · 参数设定 · 菜单管理
TokyoElectron
18
设备维护与故障排除
目标=日常维护 · 腔体清洗 · 部件更换周期
设备维护故障排除
19
工艺集成与整合
目标=薄膜沉积与光刻 · 刻蚀 · 清洗
工艺集成整合
20
先进节点中的薄膜挑战
目标=高k金属栅 · FinFET · GAA
先进节点薄膜挑战
21
三维结构与高深宽比填充
目标=ALD与CVD在沟槽 · 孔洞中的填充行为 · 保形性优化
三维结构高深宽比填充
22
薄膜沉积设备产能与效率
目标=晶圆传输 · 工艺节拍 · 批处理与单晶圆处理对比
薄膜沉积设备产能效率
23
良率提升与数据分析
目标=设备传感器数据 · 工艺数据 · 良率数据的关联分析
良率提升数据分析
24
安全、健康与环境工程
目标=前驱体毒性 · 易燃气体 · 真空与高压安全
安全健康
25
设备安装与启动
目标=厂务条件 · 设备布局 · 管线连接
设备安装启动
26
工艺转移与设备匹配
目标=从研发到量产 · 跨设备匹配 · 工艺窗口复制
工艺转移设备匹配
27
Tokyo Electron设备与智能制造
目标=SECS/GEM通信 · 自动化物料搬运 · 远程诊断
TokyoElectron
28
薄膜沉积前沿技术
目标=新型前驱体 · 低温沉积 · 选择性沉积
薄膜沉积前沿技术目标=新型前驱体
29
实战项目
目标=设计一套针对特定器件结构的薄膜… · 包括设备选型 · 工艺参数
实战项目目标=设计一套针…
30
课程总结与职业发展
目标=核心知识回顾 · 技能图谱 · 行业趋势
课程总结职业发展