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Tokyo Electron刻蚀设备与先进制程工程

共计 30 章节
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01
刻蚀在先进制程中的角色
目标=从逻辑/存储器件结构演进看刻蚀… · 理解TEL刻蚀设备的产品定位与工艺窗…
刻蚀先进制程
02
TEL刻蚀设备平台总览
目标=CCP · ICP · RIE
TEL刻蚀设备平台总览
03
等离子体刻蚀物理基础
目标=等离子体产生 · 鞘层 · 离子能量与通量
等离子体刻蚀物理…目标=等离子体产…
04
刻蚀化学与表面反应
目标=氟碳/氯基/溴基化学体系 · 聚合物沉积与侧壁保护 · 理解TEL工艺配方中的气体选择逻辑
刻蚀化学表面反应
05
关键刻蚀指标与量测
目标=刻蚀速率 · 选择比 · 均匀性
关键刻蚀指标量测
06
TEL CCP刻蚀设备结构与工艺
目标=电容耦合等离子体源 · 双频/三频驱动 · 静电吸盘与温度控制
TELCCP
07
TEL ICP刻蚀设备结构与工艺
目标=电感耦合等离子体源 · 线圈设计 · 偏压控制
TELICP
08
TEL RIE与ALE设备原理
目标=反应离子刻蚀与原子层刻蚀的差异 · 自限制反应与离子轰击协同 · 掌握ALE在先进制程中的精度优势
TELRIE
09
刻蚀腔体与真空系统
目标=腔体材料 · 气体喷淋头 · 泵路与压力控制
刻蚀腔体真空系统
10
静电吸盘与晶圆温度管理
目标=ESC工作原理 · 氦背冷 · 温度均匀性对刻蚀速率与选择比的影响
静电吸盘晶圆温度管理
11
射频功率与匹配网络
目标=RF功率传输 · 匹配器调谐 · 反射功率控制
射频功率匹配网络
12
气体输送与流量控制
目标=MFC · 气体切换 · 脉冲气体技术
气体输送流量控制
13
终点检测与过程控制
目标=OES · 干涉测量 · 质谱等终点检测方法
终点检测过程控制
14
先进逻辑FinFET刻蚀
目标=鳍片刻蚀 · 栅极刻蚀 · 侧墙刻蚀的工艺挑战
FinFET先进逻辑
15
GAA纳米片刻蚀
目标=Si/SiGe选择性刻蚀 · 纳米片释放 · 内 spacer 刻蚀
GAA纳米片刻蚀
16
3D NAND高深宽比刻蚀
目标=通道孔刻蚀 · 阶梯刻蚀 · 深孔形貌控制
NAND3D
17
DRAM电容与埋入式字线刻蚀
目标=高深宽比电容孔 · 金属栅刻蚀 · 隔离刻蚀
DRAM电容
18
多重图形化与SADP/SAQP刻蚀
目标=芯轴刻蚀 · 间隙壁刻蚀 · 修剪刻蚀
SADP/SAQP多重图形化
19
EUV光刻配套刻蚀
目标=EUV胶显影后刻蚀 · 底层抗反射涂层刻蚀 · 低k/超低k刻蚀
EUV光刻配套刻蚀
20
金属与介质刻蚀整合
目标=Al · Cu · W
金属介质刻蚀整合
21
刻蚀损伤与修复
目标=等离子体诱导损伤 · 碳耗尽 · 表面粗糙化
刻蚀损伤修复
22
颗粒与缺陷控制
目标=颗粒来源 · 腔体清洁 · 预防性维护
颗粒缺陷控制
23
刻蚀工艺窗口与鲁棒性
目标=DOE方法 · 参数敏感度 · 工艺漂移
刻蚀工艺窗口鲁棒性
24
设备匹配与腔体匹配
目标=腔体间差异 · 硬件公差 · 匹配流程
设备匹配腔体匹配
25
先进制程中的刻蚀集成
目标=与光刻 · 沉积 · CMP的协同
先进制程刻蚀集成
26
TEL设备维护与故障诊断
目标=日常维护 · 腔体清洗 · 部件更换
TEL设备维护
27
刻蚀工艺仿真与建模
目标=等离子体模型 · 表面反应模型 · 形貌仿真
刻蚀工艺仿真建模
28
数据驱动工艺优化
目标=统计过程控制 · 机器学习 · 虚拟量测
数据驱动工艺优化目标=统计过程控…
29
先进制程刻蚀前沿
目标=定向自组装 · 二维材料刻蚀 · 原子层刻蚀新进展
先进制程刻蚀前沿目标=定向自组装
30
综合实战项目
目标=针对一个先进制程刻蚀任务 · 完成TEL设备选型 · 配方设计
综合实战项目目标=针对一个先…