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Lam Research刻蚀选择比与侧壁形貌控制工程

共计 30 章节
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01
课程导入与工程问题定义
目标=Lam Research刻蚀设… · 选择比与侧壁形貌在先进节点中的核心地… · 课程学习路径与实战目标
课程导入工程问题定义
02
刻蚀选择比的物理化学基础
目标=定义 · 分类（对掩模 · 对底层
刻蚀选择比的物理…目标=定义
03
侧壁形貌的关键表征参数
目标=侧壁角 · 垂直度 · CD偏差
侧壁形貌的关键表…目标=侧壁角
04
Lam Research刻蚀腔体硬件与选择比调控
目标=ICP/CCP源 · 偏压控制 · 气体喷淋头
LamResearch
05
等离子体化学与选择比
目标=F/Cl/Br基气体体系 · 聚合物沉积型气体（C4F8 · CH2F2等）
等离子体化学选择比
06
侧壁钝化工程
目标=钝化层形成与去除平衡 · 聚合物厚度与侧壁角关系 · Lam Research工艺中钝化气…
侧壁钝化工程目标=钝化层形成
07
离子能量与角度分布控制
目标=偏压功率 · 频率 · 脉冲偏压对离子通量和角度分布的影响
离子能量角度分布控制
08
脉冲与循环刻蚀工艺
目标=Atomic Layer Et… · 循环步骤对选择比和侧壁粗糙度的改善
脉冲循环刻蚀工艺
09
掩模选择比工程
目标=光刻胶 · 硬掩模（SiO2 · SiN
掩模选择比工程目标=光刻胶
10
底层选择比与停止层控制
目标=对Si · SiO2 · SiN
底层选择比停止层控制
11
侧壁形貌缺陷诊断
目标=弯曲 · 弓形 · 微沟槽
侧壁形貌缺陷诊断目标=弯曲
12
高深宽比结构中的选择比与形貌
目标=3D NAND · DRAM深孔/深槽刻蚀 · 离子遮蔽
高深宽比结构选择比
13
FinFET与GAA中的鳍/纳米片刻蚀
目标=选择比与侧壁形貌对器件性能的影… · Lam Research工艺中鳍高 · 鳍宽
FinFETGAA
14
接触孔与通孔刻蚀
目标=SiO2/SiN/Si选择比 · 侧壁角与CD控制 · 防止穿通与底部圆角化的Lam Res…
接触孔通孔刻蚀
15
金属与介质刻蚀选择比
目标=Al · Cu · W
金属介质刻蚀选择比
16
原位监测与终点检测
目标=OES · 干涉测量 · 质谱
原位监测终点检测
17
统计过程控制与选择比稳定性
目标=SPC · DOE · 响应面方法在Lam Research…
统计过程控制选择比稳定性
18
先进工艺控制（APC）与机器学习
目标=基于模型的APC · 虚拟量测 · 机器学习预测侧壁形貌与选择比
APC先进工艺控制
19
选择比与形貌的集成优化
目标=多目标优化方法（选择比 · 侧壁角 · CD
选择比形貌的集成优化
20
实战任务一
目标=设计SiO2对Si高选择比刻蚀… · 选择气体 · 偏压
实战任务一SiO2
21
实战任务二
目标=控制FinFET鳍刻蚀侧壁形貌 · 抑制弯曲和微沟槽 · 实现垂直侧壁与低CD偏差
实战任务二FinFET
22
实战任务三
目标=3D NAND深孔刻蚀选择比与… · 优化C4F8/O2/Ar配比 · 提高掩模选择比并控制侧壁粗糙度
实战任务三NAND
23
实战任务四
目标=接触孔刻蚀中停止层选择比 · 实现SiO2对SiN高选择比 · 避免穿通并控制底部圆角
实战任务四目标=接触孔刻蚀
24
实战任务五
目标=脉冲偏压改善侧壁形貌 · 通过同步脉冲偏压与气体调制 · 降低侧壁粗糙度和弓形
实战任务五目标=脉冲偏压改…
25
实战任务六
目标=ALE实现原子级选择比 · 在Lam Research ALE模…
实战任务六ALE
26
实战任务七
目标=基于OES的终点检测与选择比控… · 识别终点信号 · 优化过刻蚀时间
实战任务七OES
27
实战任务八
目标=DOE优化选择比与侧壁角 · 分析气体流量 · 偏压
实战任务八DOE
28
实战任务九
目标=故障排查——选择比突然下降 · 气体纯度 · 晶圆温度
实战任务九目标=故障排查
29
实战任务十
目标=侧壁形貌的跨设备匹配 · 分析硬件差异与工艺补偿方法
实战任务十目标=侧壁形貌的…
30
课程总结与前沿展望
目标=选择比与侧壁形貌控制的知识体系… · 面向2nm及以下节点的挑战 · Lam Research技术路线与未…
课程总结前沿展望