VIP20
本课程属于：023-Lam Research刻蚀与薄膜制造工程 高端制造、半导体装备与精密工程 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

Lam Research先进逻辑刻蚀工艺开发与量产应用

共计 30 章节
可可资料掘金营 · 点击在线试看
01
先进逻辑刻蚀工艺全景
目标=从FinFET到GAA的器件结… · 关键刻蚀步骤（鳍刻蚀 · 栅极刻蚀
先进逻辑刻蚀工艺…FinFET
02
Lam Research刻蚀设备平台概览
目标=Kiyo · Flex · Syndion
LamResearch
03
逻辑刻蚀中的等离子体基础
目标=ICP · CCP · RLSA等源类型在Lam设备中的实现…
逻辑刻蚀等离子体基础
04
刻蚀工艺关键输出参数
目标=CD · 深度 · 侧壁角
刻蚀工艺关键输出…CD
05
先进逻辑鳍刻蚀（Fin Etch）工艺开发
目标=Si/SiN/SiO2叠层刻蚀 · 侧壁钝化控制 · 鳍高均匀性与鳍弯曲缺陷的工艺调试方法
FinEtch
06
GAA纳米片刻蚀工艺开发
目标=Si/SiGe交替叠层选择性刻… · 纳米片释放 · 横向凹槽控制与Lam设备上的气体化学…
GAA纳米片刻蚀工艺开…
07
栅极刻蚀与HKMG集成
目标=多晶硅/金属栅刻蚀 · 高k介质保护 · 栅极长度CD控制
HKMG栅极刻蚀
08
接触孔与通孔刻蚀
目标=高深宽比SiO2/SiN刻蚀 · ARDE控制 · 掩模选择比
接触孔通孔刻蚀
09
互连刻蚀与低k介质集成
目标=Cu/低k刻蚀 · 沟槽与通孔一体化刻蚀 · 低k损伤修复
互连刻蚀低k介质集成
10
掩模与硬掩模刻蚀
目标=SADP/SAQP中的芯轴与间… · 硬掩模材料选择 · 掩模CD转移精度与Lam刻蚀腔体的匹…
掩模硬掩模刻蚀
11
刻蚀气体化学与配方设计
目标=氟碳 · 氯基 · 溴基
刻蚀气体化学配方设计
12
脉冲与RF调制技术
目标=脉冲等离子体 · 同步脉冲 · 偏压调制在Lam设备中提升选择比
RF脉冲
13
原位监测与终点检测
目标=OES · 干涉测量 · 质谱
原位监测终点检测
14
刻蚀工艺窗口与鲁棒性设计
目标=DOE方法 · 响应面分析 · 工艺漂移补偿
刻蚀工艺窗口鲁棒性设计
15
刻蚀缺陷分析与良率提升
目标=常见缺陷（微掩模 · 聚合物残留 · 硅草
刻蚀缺陷分析良率提升
16
三维结构刻蚀的形貌控制
目标=侧壁钝化与离子轰击平衡 · 微沟槽 · notching
三维结构刻蚀的形…目标=侧壁钝化
17
原子层刻蚀（ALE）在先进逻辑中的应用
目标=Lam Quill/ALE平台… · 自限制反应 · 各向异性ALE在Fin/GAA/接触…
ALE原子层刻蚀
18
选择性刻蚀与自对准工艺
目标=高选择比SiGe/Si · SiN/SiO2 · 金属/介质刻蚀
选择性刻蚀自对准工艺
19
EUV光刻配套刻蚀工艺
目标=EUV光刻胶与底层材料刻蚀 · LER/LWR控制 · EUV图案转移中的Lam刻蚀配方优化
EUV光刻配套刻蚀工艺
20
工艺集成与模块协同
目标=刻蚀与光刻 · 沉积 · CMP的交互影响
工艺集成模块协同
21
量产导入与工艺认证
目标=从研发到HVM的刻蚀工艺转移流… · POR锁定 · Qual Plan
量产导入工艺认证
22
设备维护与腔体状态管理
目标=Lam刻蚀腔体的清洗 · 涂层 · 部件寿命管理
设备维护腔体状态管理
23
先进逻辑刻蚀中的大数据与APC
目标=FDC · APC · 机器学习在Lam设备中的应用
APC先进逻辑刻蚀
24
刻蚀工艺的环保与安全
目标=温室气体减排 · NF3替代 · 尾气处理
刻蚀工艺的环保安全
25
FinFET与GAA刻蚀工艺对比
目标=结构差异带来的刻蚀挑战 · Lam设备平台选择 · 工艺窗口与量产成熟度对比分析
FinFETGAA
26
3D NAND与DRAM刻蚀技术借鉴
目标=高深宽比刻蚀 · 阶梯刻蚀 · 电容刻蚀中的Lam解决方案及其对逻辑…
NANDDRAM
27
先进逻辑刻蚀中的新材料挑战
目标=新型介质 · 金属栅 · 二维材料
先进逻辑刻蚀新材料挑战
28
刻蚀工艺的仿真与建模
目标=等离子体仿真 · 表面反应模型 · 形貌演化模拟在Lam工艺开发中的辅助…
刻蚀工艺的仿真建模
29
实战案例
目标=GAA纳米片释放刻蚀工艺开发 · DOE设计 · Lam设备调优到电性验证的完整项目流…
实战案例GAA
30
实战案例
目标=高深宽比接触孔刻蚀量产导入 · 缺陷控制 · 设备匹配与良率提升实战
实战案例目标=高深宽比接…