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光刻工艺曝光显影与光刻工艺案例实战

共计 30 章节
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01
光刻工艺概述
光刻在半导体制造中的核心地位 · 光刻工艺的基本流程（涂胶 · 曝光
光刻工艺概述光刻
02
光刻胶基础
光刻胶的组成（树脂 · 感光剂 · 溶剂）
光刻胶基础光刻胶的组成
03
涂胶工艺
涂胶前的表面处理（HMDS · 脱水烘烤） · 旋转涂胶法原理
涂胶工艺HMDS
04
曝光系统与光源
曝光光源波长（g-line · i-line · KrF
曝光系统光源
05
掩模版（Mask/Reticle）设计基础
掩模版类型（亮场/暗场） · 掩模版制造流程 · 光学邻近效应校正（OPC）简介
Mask/Reticle掩模版
06
曝光工艺参数
曝光剂量（Dose）与聚焦（Focu… · 曝光宽容度（EL）与焦深（DOF） · 关键尺寸（CD）与曝光参数的关系
曝光工艺参数Dose
07
曝光后烘烤（PEB）
PEB的作用（催化反应 · 减少驻波效应） · PEB温度与时间对光刻胶轮廓的影响
PEB曝光后烘烤
08
显影工艺基础
显影液类型（正胶显影液TMAH · 负胶显影液） · 显影方式（浸没式
显影工艺基础TMAH
09
显影工艺参数控制
显影时间 · 温度 · 浓度对图形质量的影响
显影工艺参数控制显影时间
10
光刻胶图形形貌
光刻胶剖面形状（垂直 · 倒梯形 · 底切
光刻胶图形形貌光刻胶剖面形状
11
硬烘（Hard Bake）与去胶
硬烘的目的（提高抗刻蚀性 · 去除残余溶剂） · 去胶方法（湿法去胶
HardBake
12
光刻工艺缺陷分析
常见缺陷类型（颗粒 · 划痕 · 气泡
光刻工艺缺陷分析常见缺陷类型
13
关键尺寸（CD）与套刻精度（Overlay）
CD测量原理（SEM · 光学CD测量） · CD均匀性控制
CDOverlay
14
光刻工艺窗口
工艺窗口的定义（EL-DOF曲线） · Bossung图分析 · 最佳焦面与最佳剂量的确定方法
光刻工艺窗口EL-DOF
15
光刻胶厚度与反射控制
底部抗反射涂层（BARC）的作用 · 顶部抗反射涂层（TARC） · 多层光刻胶工艺
光刻胶厚度反射控制
16
先进光刻技术
浸没式光刻（Immersion Li… · 双重图形化技术（LELE · SADP）
先进光刻技术Immersion
17
光刻工艺仿真基础
光刻仿真软件（PROLITH · Dr.LiTHO）简介 · 仿真参数设置（光源
光刻工艺仿真基础PROLITH
18
案例实战一
CMOS栅极光刻工艺——从涂胶到显影…
案例实战一CMOS
19
案例实战二
金属互连层光刻工艺——针对高反射衬底…
案例实战二金属互连层光刻工…
20
案例实战三
接触孔/通孔光刻工艺——高深宽比图形…
案例实战三接触孔
21
案例实战四
MEMS深硅刻蚀光刻工艺——厚胶工艺… · 曝光与显影要点
案例实战四MEMS
22
案例实战五
化合物半导体（GaAs）光刻工艺——…
案例实战五GaAs
23
案例实战六
光刻胶剥离（Lift-off）工艺—… · 剥离液选择与超声辅助
案例实战六Lift-off
24
案例实战七
光刻工艺中的对准与套刻——使用对准标… · 套刻误差的测量与补偿
案例实战七光刻工艺
25
案例实战八
光刻工艺故障排查——显影后图形异常（… · 缺失 · 侧壁粗糙）的原因分析与解决步骤
案例实战八光刻工艺故障排查
26
案例实战九
光刻工艺良率提升——通过DOE（实验… · 曝光 · 显影参数
案例实战九DOE
27
案例实战十
先进节点（7nm/5nm）光刻工艺挑… · 光刻胶灵敏度与分辨率的权衡
案例实战十nm/5nm
28
光刻工艺安全与规范
化学品安全（光刻胶 · 显影液 · 溶剂）
光刻工艺安全规范
29
光刻工艺设备维护与校准
涂胶机 · 曝光机 · 显影机的日常维护
光刻工艺设备维护校准
30
光刻工艺未来趋势
高数值孔径EUV · 定向自组装（DSA） · 纳米压印光刻（NIL）等下一代光刻技…
光刻工艺未来趋势EUV