VIP10
本课程属于：001-光刻设备与精密对准工程 高端制造、半导体装备与精密工程 · 共 10 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

光刻机应用案例：KrF光源光刻机工艺参数配置

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
KrF光刻机概述
KrF光源原理 · 248nm波长特性 · 在半导体制造中的定位
KrF光刻机概述
02
光刻工艺流程总览
涂胶 · 曝光 · 显影
光刻工艺流程总览涂胶
03
光刻胶基础
化学放大胶(CAR)原理 · KrF专用光刻胶类型与选择
光刻胶基础CAR
04
涂胶工艺参数
旋涂转速 · 加速度 · 时间对膜厚均匀性的影响
涂胶工艺参数旋涂转速
05
软烘参数配置
软烘温度(90-110°C) · 时间(60-90s) · 热板类型选择
软烘参数配置软烘温度
06
曝光剂量设定
最佳剂量(E0/E_size)确定方… · 剂量矩阵实验设计
曝光剂量设定E0/E
07
聚焦参数优化
最佳焦面确定 · 焦深(DOF)窗口测量 · Bossung曲线分析
聚焦参数优化最佳焦面确定
08
数值孔径(NA)配置
NA对分辨率与焦深的影响 · KrF典型NA值(0.6-0.75)
NA数值孔径
09
照明模式选择
传统照明 · 环形照明 · 四极照明
照明模式选择传统照明
10
部分相干因子(σ)设定
σ内/外值对成像对比度的影响 · KrF典型σ值
部分相干因子设定
11
掩模版参数
6英寸掩模版规格 · 透射率 · OPC(光学邻近效应校正)考虑
掩模版参数6英寸掩模版规格
12
对准与套刻精度
对准标记设计 · 对准策略 · 套刻精度(Overlay)指标
对准套刻精度
13
后烘(PEB)参数
PEB温度(110-130°C) · 时间(60-90s) · 温度均匀性要求
PEB后烘
14
显影工艺参数
显影液浓度(TMAH 2.38%) · 显影时间(60s) · 显影方式
显影工艺参数TMAH
15
坚膜工艺参数
硬烘温度(130-150°C) · 时间 · 对光刻胶稳定性的影响
坚膜工艺参数硬烘温度
16
关键尺寸(CD)控制
CD目标值设定 · CD均匀性(CDU)测量与优化
CD关键尺寸
17
线宽粗糙度(LWR/LER)控制
LWR来源分析 · 工艺参数对LWR的影响
LWR/LER线宽粗糙度
18
光刻胶厚度选择
不同膜厚对分辨率 · 抗刻蚀性 · 驻波效应的影响
光刻胶厚度选择不同膜厚对分辨率
19
抗反射涂层(BARC)配置
BARC类型 · 厚度 · 折射率匹配参数
BARC抗反射涂层
20
驻波效应抑制
底部抗反射涂层 · 顶部抗反射涂层 · 多层膜系设计
驻波效应抑制底部抗反射涂层
21
工艺窗口计算
曝光-聚焦窗口(EF Window) · 工艺窗口面积计算
工艺窗口计算EF
22
缺陷控制策略
颗粒缺陷 · 气泡缺陷 · 条纹缺陷的成因与对策
缺陷控制策略颗粒缺陷
23
温度湿度控制
洁净室环境参数(温度22±0.1°C · 湿度45±2%)对工艺影响
温度湿度控制洁净室环境参数
24
光刻机校准流程
每日校准 · 透镜像差校准 · 能量校准
光刻机校准流程每日校准
25
剂量-聚焦矩阵实验
实验设计(DOE) · 数据采集 · 工艺窗口确定
剂量聚焦矩阵实验
26
CD-SEM测量参数
测量点数 · 测量模式 · 电子束参数对测量精度的影响
CD-SEM测量参数
27
光刻胶显影速率测试
显影速率曲线 · 对比度曲线 · 感度曲线分析
光刻胶显影速率测…显影速率曲线
28
工艺稳定性监控
SPC控制图 · Cp/Cpk计算 · 工艺漂移检测方法
工艺稳定性监控SPC
29
KrF与ArF工艺对比
分辨率极限 · 焦深差异 · 光刻胶体系差异
KrFArF
30
典型工艺参数案例
18μm/0.13μm节点KrF光刻…
典型工艺参数案例m/0.13