01
功耗分析概述
芯片功耗的组成（动态功耗、静态功耗），功耗分析在芯片设计流程中的位置，功耗分析工具概览。
动态功耗静态功耗流程定位
02
功耗分析基础理论
CMOS电路功耗模型、开关活动因子（SAF）、电容负载计算、电压与频率对功耗的影响。
CMOS模型SAF电压频率
03
功耗分析输入文件
网表（Netlist）、寄生参数文件（SPEF）、开关活动文件（SAIF/VCD）、库文件（Liberty）。
NetlistSPEFSAIF/VCD
04
功耗分析环境搭建
工具安装与License配置、设置分析环境变量、准备工艺库文件、创建项目目录结构。
环境配置License工艺库
05
静态功耗分析
漏电流机制（亚阈值漏电、栅极漏电）、静态功耗计算方法、多阈值电压单元（HVT/SVT/LVT）的选择策略。
漏电流HVT/SVT/LVT静态功耗
06
动态功耗分析
翻转功耗（Switching Power）、内部功耗（Internal Power）、短路功耗（Short-Circuit Power）的计算。
SwitchingInternalShort-Circuit
07
功耗分析流程（PrimeRail/RedHawk）
读入设计数据、设置分析模式（静态/动态）、执行功耗计算、生成功耗分布图。
PrimeRailRedHawk功耗分布
08
功耗分析脚本入门
Tcl脚本基础、常用功耗分析命令、自动化分析流程示例。
Tcl自动化脚本
09
功耗分析结果解读
功耗报告解析、功耗分布热图（Power Map）、IR Drop与功耗的关系。
Power MapIR Drop报告解读
10
低功耗设计技术（一）
时钟门控（Clock Gating）、操作数隔离（Operand Isolation）、多电压域（Multi-Voltage Domain）。
Clock Gating多电压域操作数隔离
11
低功耗设计技术（二）
电源门控（Power Gating）、动态电压频率调整（DVFS）、体偏置技术（Body Biasing）。
Power GatingDVFSBody Biasing
12
功耗优化策略
门级尺寸优化（Gate Sizing）、引脚交换（Pin Swapping）、缓冲器插入/移除。
Gate SizingPin Swapping缓冲器
13
功耗与性能的权衡
时序-功耗折中（Timing-Power Trade-off）、使用多阈值库进行优化、关键路径的功耗优化。
时序折中多阈值库关键路径
14
IR Drop分析基础
IR Drop的成因、静态IR Drop vs 动态IR Drop、IR Drop对时序的影响。
IR Drop静态/动态时序影响
15
IR Drop分析流程
设置电源网络、定义电流源、执行IR Drop仿真、分析结果。
电源网络电流源仿真
16
EM（电迁移）分析
EM失效机制、电流密度约束、EM分析流程、EM修复方法。
电迁移电流密度修复
17
功耗约束与SDC
设置最大功耗约束、使用set_max_dynamic_power/set_max_leakage_power命令、功耗驱动的综合。
SDC功耗约束综合
18
功耗分析中的寄生参数
SPEF文件格式详解、寄生参数对功耗的影响、RC提取精度设置。
SPEF寄生参数RC提取
19
向量无关（Vectorless）功耗分析
概率性SAF生成、向量无关分析的优缺点、适用场景。
Vectorless概率SAF场景
20
向量相关（Vector-Based）功耗分析
VCD/SAIF文件生成、仿真向量质量评估、向量相关分析的精度。
VCD/SAIF向量质量精度
21
功耗分析中的时序库
Liberty库中的功耗模型（Power Modeling）、查找表（LUT）的解读、非线性功耗模型。
LibertyLUT非线性模型
22
多实例模块（MEM）的功耗分析
Memory Compiler生成的功耗模型、Memory的读写功耗计算、Memory的漏电分析。
Memory读写功耗漏电
23
层次化功耗分析
顶层与子模块的功耗分解、层次化功耗报告生成、跨模块功耗分析。
层次化功耗分解跨模块
24
功耗分析中的噪声分析
电源噪声的来源、同步开关噪声（SSN）、去耦电容（Decap）的优化。
电源噪声SSNDecap
25
功耗分析工具对比
PrimeRail vs RedHawk vs Voltus、工具选型考量、精度与运行时间的权衡。
PrimeRailRedHawkVoltus
26
功耗分析自动化流程
Makefile/Shell脚本集成、多模式多角（MMMC）功耗分析、回归测试。
自动化MMMC回归测试
27
功耗分析中的Debug技巧
功耗异常排查方法、使用GUI定位热点、常见错误及解决方案。
DebugGUI热点异常排查
28
先进工艺节点下的功耗挑战
FinFET工艺的漏电特性、7nm/5nm下的功耗管理、热效应与功耗的耦合。
FinFET7nm/5nm热效应
29
功耗分析在Signoff中的作用
功耗Signoff标准、IR Drop Signoff、EM Signoff、功耗与电压降的联合分析。
SignoffIR DropEM
30
综合实战项目
从RTL到GDS的功耗分析全流程、撰写功耗分析报告、项目总结与常见问题复盘。
RTL到GDS全流程项目复盘