01
PDN基础概念
什么是PDN，为什么需要PDN签核，PDN在封装协同中的角色。
概念协同
02
PDN设计目标
目标阻抗、直流压降、交流噪声、电流密度。
阻抗噪声
03
PDN组件详解
VRM、去耦电容、PCB平面、封装基板、C4凸点、硅通孔。
组件封装
04
PDN阻抗模型
RLC模型、频域分析、谐振点、反谐振点。
模型频域
05
协同设计流程
芯片-封装-PCB协同设计流程，数据交换格式。
流程数据
06
签核前的数据准备
GDS、LEF/DEF、IBIS模型、SPICE网表。
数据签核
07
电源域划分
多电压域、电源岛、动态电压频率调整。
电源DVFS
08
电流分布提取
功耗分析、电流密度图、热点识别。
电流热点
09
去耦电容策略
片上电容、封装电容、板级电容、电容布局。
电容去耦
10
PDN仿真工具
RedHawk、Totem、Ansys SIwave、Cadence Sigrity。
工具仿真
11
直流分析
IR Drop分析、静态电流路径、金属层电流密度。
直流IR Drop
12
交流分析
阻抗曲线、谐振分析、时域噪声分析。
交流谐振
13
热协同分析
PDN与热仿真耦合、热阻模型、温度对PDN的影响。
热耦合
14
电源完整性指标
目标阻抗法、噪声容限、时序余量。
指标时序
15
封装基板设计
叠层结构、电源平面分割、过孔设计。
基板平面
16
C4凸点与RDL
凸点布局、RDL走线、电流承载能力。
凸点RDL
17
硅中介层与TSV
2.5D/3D封装中的PDN挑战、TSV建模。
TSV3D
18
PDN模型提取
S参数提取、RLGC参数、宽带模型。
模型S参数
19
时域仿真
瞬态响应、负载突变、去耦电容充放电。
时域瞬态
20
频域仿真
阻抗曲线扫描、谐振模式分析。
频域扫描
21
统计分析与蒙特卡洛
工艺角分析、温度角分析、良率评估。
统计良率
22
签核标准与检查项
电压降阈值、电流密度上限、阻抗目标。
标准检查
23
报告生成
PDN签核报告模板、可视化图表、问题汇总。
报告可视化
24
常见问题与调试
谐振过冲、去耦不足、电流拥挤。
调试问题
25
案例1：低功耗移动芯片
低功耗移动芯片PDN签核。
案例移动
26
案例2：高性能计算芯片
高性能计算芯片PDN签核。
案例HPC
27
案例3：AI加速器2.5D封装
AI加速器2.5D封装PDN签核。
案例2.5D
28
PDN优化技巧
电源平面缝合、过孔倍增、电容选型。
优化技巧
29
未来趋势
先进封装PDN挑战、3D IC、Chiplet。
趋势Chiplet
30
课程总结与实战演练
完整PDN签核流程回顾。
总结实战