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《Sentaurus器件物理模型选择与校准》
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本课程属于:219-Synopsys Sentaurus半导体器件TCAD工程
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Sentaurus器件物理模型选择与校准
共计 30 章节
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01
课程导入与Sentaurus TCAD概览
目标=学习目标 · 器件物理模型选择与校准的整体流程 · Sentaurus Workbenc…
Sentaurus
TCAD
02
器件物理模型体系总览
目标=漂移扩散 · 热力学 · 流体动力学等模型层级
器件物理模型体系…
目标=漂移扩散
03
Sentaurus SDEVICE物理模型命令结构
目标=Physics模块 · Material语句 · Region与Electrode定义
Sentaurus
SDEVICE
04
能带结构模型选择
目标=有效质量 · 非抛物带 · 量子修正模型
能带结构模型选择
目标=有效质量
05
载流子统计模型
目标=Boltzmann · Fermi-Dirac · 量子统计
载流子统计模型
Boltzmann
06
迁移率模型选择(一)
目标=体迁移率模型(Constant · DopingDependence · Enormal)的物理含义与参数提取
迁移率模型选择
Constant
07
迁移率模型选择(二)
目标=高场迁移率(Canali · TransferredElectro… · ThinLayer)与温度依赖模型的…
迁移率模型选择
Canali
08
复合模型选择
目标=SRH · Auger · 辐射复合
复合模型选择
SRH
09
隧穿模型选择
目标=直接隧穿 · Fowler-Nordheim · 陷阱辅助隧穿
隧穿模型选择
目标=直接隧穿
10
雪崩击穿模型
目标=van Overstraete… · Okuto-Crowell等模型选择…
雪崩击穿模型
van
11
量子修正模型
目标=密度梯度 · Schrödinger-Poisso… · 以及纳米片/FinFET中的选择与校…
量子修正模型
目标=密度梯度
12
热载流子与能量输运模型
目标=流体动力学 · 能量平衡模型 · 以及沟道热电子效应的校准
热载流子
能量输运模型
13
晶格热与自热模型
目标=热力学模型 · 热阻边界条件 · 以及功率器件自热校准
晶格热
自热模型
14
异质结与量子阱模型
目标=能带偏移 · 极化电荷 · 界面态
异质结
量子阱模型
15
宽禁带半导体模型
目标=SiC · GaN · Ga2O3中的不完全电离
宽禁带半导体模型
SiC
16
有机与钙钛矿器件模型
目标=无序迁移率 · 双极性输运 · 离子迁移
有机
钙钛矿器件模型
17
铁电与负电容模型
目标=Preisach · Landau-Khalatnikov · 以及FeFET模型选择与校准
铁电
负电容模型
18
磁性与自旋模型
目标=自旋输运 · 磁隧道结 · 以及MRAM器件中的模型选择
磁性
自旋模型
19
光电模型
目标=光吸收 · 光生载流子 · 自发与受激辐射
光电模型
目标=光吸收
20
器件结构建模与网格策略
目标=SDE/Structure E… · 掺杂 · 网格加密
器件结构建模
网格策略
21
实验数据与校准目标定义
目标=IV/CV · 转移/输出特性 · 击穿电压
实验数据
校准目标定义
22
参数提取与优化方法
目标=Sentaurus Workb… · 优化器 · 灵敏度分析
参数提取
优化方法
23
MOSFET模型校准实战
目标=从转移特性到输出特性 · 迁移率 · 阈值电压与短沟道效应的联合校准
MOSFET
模型校准实战
24
FinFET与纳米片器件校准
目标=量子修正 · 寄生电阻 · 自热与工艺变异下的模型选择与校准
FinFET
纳米片器件校准
25
功率器件校准实战
目标=SiC MOSFET/IGBT… · 导通电阻与开关特性模型校准
功率器件校准实战
SiC
26
光电器件校准实战
目标=LED · 光电探测器与太阳能电池的复合 · 光吸收与输运模型校准
光电器件校准实战
LED
27
存储器件校准实战
目标=Flash · RRAM · MRAM中的隧穿
存储器件校准实战
Flash
28
模型校准中的数值收敛与鲁棒性
目标=阻尼 · 迭代 · 网格与模型耦合导致的收敛问题及解决策…
模型校准
数值收敛
29
模型验证与不确定性量化
目标=交叉验证 · 实验对比 · 参数敏感性与置信区间评估
模型验证
不确定性量化
30
课程总结与项目实战
目标=完整器件模型选择与校准项目流程 · 报告撰写与最佳实践
课程总结
项目实战
所属VIP或分类
同VIP:Sentaurus-MOS器件工艺建模与验证
同VIP:Sentaurus-SiC功率器件仿真工程
同VIP:Sentaurus-TCAD仿真流程自动化