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本课程属于：003-先进刻蚀与等离子体工艺 芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程，组合学习更完整。
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SiGe对Si高选择性刻蚀与GAA沟道释放工程

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=学习目标 · GAA器件与沟道释放工程的整体框架 · SiGe/Si材料体系在先进节点中的…
课程导入目标=学习目标
02
基础知识
目标=SiGe与Si的晶体结构 · 晶格常数 · 能带与载流子特性
基础知识SiGe
03
GAA器件演进
目标=从FinFET到纳米片/纳米线… · 沟道释放的必要性与工艺挑战
GAA器件演进
04
SiGe外延基础
目标=SiGe选择性外延生长原理 · 组分控制 · 应变弛豫
SiGe外延基础
05
高选择性刻蚀概念
目标=选择性定义 · 刻蚀速率比 · 各向同性/各向异性
高选择性刻蚀概念目标=选择性定义
06
湿法刻蚀体系
目标=HF/HNO3/CH3COOH · NH4OH/H2O2 · TMAH等对SiGe/Si的选择性机…
湿法刻蚀体系HF/HNO3/CH3C…
07
干法刻蚀体系
目标=CF4/CHF3 · Cl2/HBr · HBr/O2等等离子体刻蚀SiGe/…
干法刻蚀体系CF4/CHF3
08
气相化学刻蚀
目标=HCl · Cl2 · HF等气相刻蚀SiGe/Si的选择性
气相化学刻蚀HCl
09
原子层刻蚀
目标=ALE原理 · 自限制反应 · SiGe与Si的ALE选择性
原子层刻蚀ALE
10
刻蚀化学与机理
目标=SiGe氧化 · 络合 · 挥发产物形成
刻蚀化学机理
11
选择性调控方法
目标=温度 · 浓度 · pH
选择性调控方法目标=温度
12
沟道释放工艺流程
目标=纳米片堆叠外延 · 图形化 · 源漏形成
沟道释放工艺流程目标=纳米片堆叠…
13
沟道释放关键步骤
目标=SiGe横向凹刻 · Si沟道保护 · 释放后清洗
沟道释放关键步骤SiGe
14
工艺集成挑战
目标=与栅极堆叠 · 内墙隔离 · 源漏外延
工艺集成挑战目标=
15
表征与检测
目标=SEM/TEM · EDS/EELS · XPS
表征检测
16
案例实战一
目标=典型GAA纳米片沟道释放工艺配… · 选择性数据与形貌分析
案例实战一GAA
17
案例实战二
目标=高Ge组分SiGe牺牲层刻蚀的… · 缺陷控制与释放均匀性优化
案例实战二Ge
18
案例实战三
目标=湿法/干法/气相刻蚀在沟道释放… · 集成方案与良率考量
案例实战三目标=湿法
19
常见问题一
目标=刻蚀残留 · Si沟道损伤 · 表面粗糙
常见问题一目标=刻蚀残留
20
常见问题二
目标=选择性不足 · 横向钻蚀 · 结构塌陷
常见问题二目标=选择性不足
21
工艺窗口与鲁棒性
目标=设计实验方法 · 统计过程控制 · 工艺漂移
工艺窗口鲁棒性
22
先进趋势
目标=高Ge组分SiGe · SiGeSn · 二维材料沟道
先进趋势Ge
23
设备与材料
目标=等离子体刻蚀机 · 湿法槽 · 气相刻蚀模块
设备材料
24
建模与仿真
目标=刻蚀动力学模型 · 选择性预测 · 表面反应模拟
建模仿真
25
综合提升一
目标=从器件需求到刻蚀工艺规范的反向… · 关键指标分解与验证计划
综合提升一目标=从器件需求…
26
综合提升二
目标=沟道释放工程中的缺陷工程 · 应力工程与可靠性协同优化
综合提升二目标=沟道释放工…
27
综合提升三
目标=面向量产的工艺整合 · 良率提升 · 成本控制与供应链考量
综合提升三目标=面向量产的…
28
实战任务一
目标=设计一组SiGe对Si高选择性… · 包含变量 · 表征与数据分析方案
实战任务一SiGe
29
实战任务二
目标=针对给定GAA结构 · 制定沟道释放流程并评估选择性 · 均匀性与损伤风险
实战任务二GAA
30
课程总结与展望
目标=核心知识回顾 · 能力自评 · 进一步学习资源与前沿研究方向
课程总结目标=核心知识回…