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本课程属于：003-先进刻蚀与等离子体工艺 芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程，组合学习更完整。
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ICP/RIE等离子体刻蚀反应机理与Recipe设计

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=ICP/RIE等离子体刻蚀技术… · 学习目标 · 课程整体框架与半导体制造中的应用场景
课程导入ICP/RIE
02
等离子体物理基础
目标=等离子体定义 · 德拜屏蔽 · 等离子体频率
等离子体物理基础目标=等离子体定…
03
等离子体化学基础
目标=气体解离 · 电离 · 激发
等离子体化学基础目标=气体解离
04
ICP与RIE系统结构
目标=电感耦合等离子体源 · 电容耦合等离子体源 · 反应腔室
ICPRIE
05
ICP与RIE工作原理对比
目标=高密度等离子体产生机制 · 偏压控制 · 各向异性刻蚀原理与两种技术的适用场景
ICPRIE
06
刻蚀反应机理
目标=物理溅射 · 化学刻蚀 · 离子增强刻蚀
刻蚀反应机理目标=物理溅射
07
关键工艺参数
目标=射频功率 · 偏压功率 · 腔室压力
关键工艺参数目标=射频功率
08
常用刻蚀气体与化学
目标=氟基 · 氯基 · 溴基
常用刻蚀气体化学
09
Recipe设计基础
目标=Recipe定义 · 结构组成 · 参数层级
Recipe设计基础
10
Recipe开发流程
目标=需求分析 · 文献调研 · 实验设计
Recipe开发流程
11
实验设计与数据分析
目标=DOE方法 · 响应曲面法 · 方差分析
实验设计数据分析
12
刻蚀速率与均匀性优化
目标=速率提升策略 · 均匀性改善方法 · 负载效应与腔室状态影响
刻蚀速率均匀性优化
13
选择比与形貌控制
目标=选择比提升方法 · 垂直度控制 · 侧壁粗糙度
选择比形貌控制
14
常见缺陷与解决方案
目标=微掩膜 · 黑硅 · 栅栏
常见缺陷解决方案
15
终点检测与过程控制
目标=光学发射光谱 · 质谱 · 干涉测量
终点检测过程控制
16
设备维护与腔室匹配
目标=清洗工艺 · seasoning · 腔室状态监控
设备维护腔室匹配
17
硅基材料刻蚀案例
目标=单晶硅 · 多晶硅 · 二氧化硅与氮化硅的ICP/RIE刻蚀…
硅基材料刻蚀案例目标=单晶硅
18
化合物半导体刻蚀案例
目标=GaAs · GaN · InP
化合物半导体刻蚀…GaAs
19
金属与介质刻蚀案例
目标=铝 · 铜 · 钨
金属介质刻蚀案例
20
先进封装与MEMS刻蚀案例
目标=TSV · RDL · 微结构释放
MEMS先进封装
21
光刻胶与掩膜处理
目标=光刻胶刻蚀 · 灰化 · 掩膜选择比
光刻胶掩膜处理
22
等离子体损伤与修复
目标=电荷积累 · 紫外线损伤 · 离子轰击损伤
等离子体损伤修复
23
工艺集成与兼容性
目标=前道与后道工艺集成 · 刻蚀停止层 · 界面控制与热预算考虑
工艺集成兼容性
24
量产化与良率提升
目标=工艺稳定性 · 统计过程控制 · 缺陷密度降低与成本优化
量产化良率提升
25
安全与环保
目标=危险气体管理 · 废气处理 · 射频辐射防护与废弃物处置规范
安全环保
26
仿真与建模
目标=等离子体仿真 · 表面反应模型 · 刻蚀轮廓模拟与工艺预测
仿真建模
27
新兴技术与趋势
目标=原子层刻蚀 · 低温刻蚀 · 脉冲等离子体
新兴技术趋势
28
综合实战项目一
目标=设计硅通孔刻蚀Recipe · 包括参数设定 · 实验验证与性能评估
综合实战项目一Recipe
29
综合实战项目二
目标=优化二氧化硅对硅的选择比刻蚀R… · 解决选择比与形貌控制问题
综合实战项目二目标=优化二氧化…
30
课程总结与提升
目标=知识体系回顾 · 常见问题解答 · 进阶学习资源与职业发展建议
课程总结提升