首页
›
芯片硬件与光电工程
›
003-先进刻蚀与等离子体工艺
›
《先进逻辑刻蚀从Recipe开发到量产验证项目》
VIP5
本课程属于:003-先进刻蚀与等离子体工艺
芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程,组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录
咨询 / 购买
📘
先进逻辑刻蚀从Recipe开发到量产验证项目
共计 30 章节
可可资料掘金营 · 点击在线试看
01
课程导入
目标=先进逻辑刻蚀在芯片制造中的战略… · 学习目标 · 课程整体框架与项目全流程概览
课程导入
目标=先进逻辑刻…
02
刻蚀基础回顾
目标=等离子体物理化学基础 · 刻蚀类型(干法/湿法) · 各向异性与选择比核心概念
刻蚀基础回顾
目标=等离子体物…
03
先进逻辑工艺节点演进
目标=FinFET到GAA的器件结构… · 关键刻蚀挑战(高深宽比 · 原子层精度)与工艺窗口需求
先进逻辑工艺节点…
FinFET
04
刻蚀设备与硬件基础
目标=CCP/ICP/RF电源 · 静电吸盘 · 气体输送系统
刻蚀设备
硬件基础
05
Recipe开发核心要素
目标=气体种类与配比 · 压力 · 功率
Recipe
开发核心要素
06
刻蚀化学与机理
目标=氟碳气体 · 卤素气体 · 钝化气体在Si
刻蚀化学
机理
07
关键尺寸与轮廓控制
目标=CD bias · 侧壁角度 · 微沟槽
关键尺寸
轮廓控制
08
掩膜与硬掩膜刻蚀
目标=光刻胶 · SOH · SiON
掩膜
硬掩膜刻蚀
09
高深宽比刻蚀
目标=Bosch工艺 · 低温刻蚀 · 脉冲等离子体
高深宽比刻蚀
Bosch
10
原子层刻蚀(ALE)
目标=自限制反应 · 循环步骤 · 各向异性控制
ALE
原子层刻蚀
11
终点检测与过程控制
目标=OES · 干涉测量 · 质谱
终点检测
过程控制
12
Recipe开发流程与方法论
目标=DOE实验设计 · 响应曲面法 · 参数筛选
Recipe
开发流程
13
量测与表征技术
目标=CD-SEM · TEM · AFM
量测
表征技术
14
缺陷分析与良率提升
目标=常见刻蚀缺陷(颗粒 · 残留 · 损伤
缺陷分析
良率提升
15
设备匹配与工艺转移
目标=从研发机台到量产机台的匹配方法 · 硬件差异补偿与工艺窗口验证
设备匹配
工艺转移
16
量产验证流程
目标=小批量试产 · 工艺能力指数Cpk · 统计过程控制SPC
量产验证流程
目标=小批量试产
17
工艺整合与集成
目标=刻蚀与光刻 · 沉积 · 清洗等模块的交互影响
工艺整合
集成
18
先进逻辑典型刻蚀模块
目标=Fin刻蚀 · 栅极刻蚀 · 接触孔刻蚀
先进逻辑典型刻蚀…
Fin
19
案例实战一
目标=FinFET鳍片刻蚀Recip…
案例实战一
FinFET
20
案例实战二
目标=GAA纳米片释放刻蚀——高选择… · 原子层精度与无损释放方案设计
案例实战二
GAA
21
案例实战三
目标=高深宽比接触孔刻蚀——Bosc… · 侧壁钝化与底部打开控制
案例实战三
Bosc
22
案例实战四
目标=金属硬掩膜刻蚀——TiN/Al… · 选择比提升与等离子体损伤抑制
案例实战四
TiN/Al
23
常见问题与故障排除
目标=刻蚀速率漂移 · 均匀性变差 · 选择比下降
常见问题
故障排除
24
工艺窗口与鲁棒性设计
目标=边缘工艺条件 · 设备老化 · 来料波动下的工艺稳定性保障
工艺窗口
鲁棒性设计
25
数据驱动工艺优化
目标=机器学习 · 大数据分析在Recipe调优 · 故障预测与良率提升中的应用
数据驱动工艺优化
目标=机器学习
26
环境、健康与安全
目标=刻蚀气体毒性 · 温室效应 · 废气处理
环境
健康
27
成本与效率
目标=气体消耗 · 耗材寿命 · 产能提升
成本
效率
28
项目管理与跨部门协作
目标=从研发到量产的里程碑管理 · 团队分工 · 沟通机制与风险控制
项目管理
跨部门协作
29
综合提升与前沿展望
目标=新型材料刻蚀 · 三维集成 · 选择性沉积与刻蚀的未来趋势
综合提升
前沿展望
30
课程总结与实战考核
目标=知识体系回顾 · 项目模拟演练 · Recipe开发报告撰写与答辩要点
课程总结
实战考核
所属VIP或分类
同VIP:ICPRIE等离子体刻蚀反应机理与Recipe设计
同VIP:SiGe对Si高选择性刻蚀与GAA沟道释放工程
同VIP:先进刻蚀缺陷诊断与工艺优化