4. 测试夹具与探头去嵌入实战

在 PCIe 5.0/6.0 的测试链路中,示波器或矢量网络分析仪(VNA)的端口不可能直接焊到待测芯片的 BGA 球上,中间必然经过探头、同轴电缆、SMP 连接器、过孔、测试焊盘和一段走线。这段“非被测件”的通道就是测试夹具(test fixture)。夹具带来的插入损耗、回波损耗和相位延迟会叠加到真实信号上,使眼图闭合、抖动放大。去嵌入(de-embedding)的目的,就是用数学方法把夹具的传输特性从总测量结果中剥离,还原出 DUT 端面(通常定义为芯片引脚或封装焊球处)的真实波形。

一、夹具 S 参数提取:从夹具结构到 Touchstone 文件

去嵌入的前提是先获得夹具的 S 参数。工程上最常用的方法是“2x-Thru”法:在夹具上制作一条与信号路径结构完全相同、但中间没有 DUT 的直通结构(2x-Thru),再用 VNA 测量其 S 参数。2x-Thru 由左右两半夹具对称拼接而成,因此可以把它拆成两个单端口夹具网络。Keysight 的 AFR(Automatic Fixture Removal)算法正是基于这一思路:先测 2x-Thru 的 S 参数,再通过时域门控和对称性假设,自动分离出左右两侧夹具的 S 参数,并生成夹具的 .s2p 文件。

实际操作中,VNA 测量前必须做完整的 SOLT 或 TRL 校准,把参考面推到同轴连接器端面。校准后测量 2x-Thru,频率范围要覆盖 PCIe 信号的主要能量频段,例如 PCIe 5.0 的 32 GT/s 信号,建议扫频到 40 GHz 以上,频率点数不少于 1601 点,以保证时域分辨率。测量完成后,用 AFR 工具导入 2x-Thru 的 .s2p,设置对称性、端口阻抗(通常 50 Ω)和时域门控窗口,工具会自动输出左右夹具的 S 参数文件。

夹具 S 参数提取与去嵌入信号流 VNA SOLT/TRL 校准 2x-Thru 夹具 左右对称 · 无 DUT AFR 算法 时域门控 · 对称分离 夹具 .s2p 左/右夹具 S 参数 DUT + 夹具总测量 示波器/VNA 采集 去嵌入运算 S_DUT = f(S_total, S_fix) DUT 端面真实波形 眼图/抖动/TDR 阻抗 结果验证:TDR 阻抗台阶消失 · 眼图张开度提升 · 抖动下降 对比去嵌入前后 S21、TDR、眼高眼宽

二、去嵌入算法选择:不同场景用不同方法

去嵌入算法并非只有一种。常见的有三类:第一类是“夹具 S 参数级联去除”,即把夹具 S 参数与总测量 S 参数做矩阵运算,反推出 DUT 的 S 参数。这种方法精度高,但要求夹具 S 参数非常准确,且 DUT 与夹具的接口阻抗一致。第二类是“时域门控去嵌入”,在 TDR/TDT 波形上把夹具对应的时域响应截掉,再变换回频域。它适合夹具较短、反射点分离明显的场景,但对宽带信号容易引入吉布斯振荡。第三类是“AFR 自动夹具去除”,Keysight 的 Infiniiium 示波器和 PLTS 软件都支持,它结合了时域门控和频域对称分离,适合 2x-Thru 结构,操作最自动化。

选择依据可以归纳为:如果夹具结构已知且能制作 2x-Thru,优先用 AFR;如果只有单端夹具 S 参数且 DUT 是差分器件,需要用混合模式 S 参数转换后再级联去除;如果夹具很短(延迟小于 50 ps)且反射点清晰,时域门控可以快速得到近似结果。对于 PCIe 5.0 及以上速率,建议始终使用基于 S 参数的频域去嵌入,因为时域门控在 32 GHz 以上会明显损失高频分量。

三、Keysight 去嵌入工具操作要点

以 Keysight Infiniiium 示波器上的“Fixture De-Embed”功能为例,操作流程如下:首先在示波器上完成通道校准和探头校准,确保参考面在探头尖端。然后打开 De-Embed 设置对话框,选择“Fixture S-Parameter”模式,加载之前用 AFR 生成的左右夹具 .s2p 文件。注意端口映射:示波器通道 1 对应夹具左侧端口,通道 2 对应右侧端口,如果接反了,去嵌入结果会完全错误。接着设置去嵌入的频率范围,通常与 S 参数文件的频率范围一致,示波器会自动插值。最后点击“Apply”,示波器会实时显示去嵌入后的波形。

在 PLTS 软件中做去嵌入时,可以用“De-Embed DUT”功能:先加载总测量的 .s2p,再加载夹具的 .s2p,选择“Cascade”运算模式,软件会自动计算 DUT 的 S 参数并生成新的 Touchstone 文件。PLTS 还支持“Port Extension”功能,用于补偿夹具的相位延迟,适合快速查看趋势。

操作提示:去嵌入前务必确认夹具 S 参数的参考面与总测量的参考面一致。如果 VNA 校准面在同轴端,而示波器测量面在探头尖端,两者之间还有一段电缆,需要先用电缆的 S 参数做一次“预去嵌入”,否则夹具 S 参数会包含电缆效应。

四、结果验证:怎么判断去嵌入做对了

去嵌入不是“做完就信”,必须验证。最直接的方法是看 TDR 阻抗曲线:去嵌入前,夹具的过孔和焊盘会在 TDR 上产生明显的阻抗台阶(例如从 50 Ω 跳到 75 Ω 再跳回);去嵌入后,这些台阶应该消失,DUT 端面的阻抗应回到设计值附近(例如 85 Ω 差分)。如果台阶反而变大,说明夹具 S 参数相位或端口顺序有误。

第二个验证点是眼图。用同一组 PCIe 码型分别测量去嵌入前后的眼图,去嵌入后眼高应增加、眼宽应改善、抖动应下降。例如某 PCIe 5.0 夹具在 32 GT/s 下,去嵌入前眼高约 30 mV、眼宽约 12 ps;去嵌入后眼高提升到 55 mV、眼宽提升到 22 ps,说明夹具损耗被正确剥离。如果眼图反而闭合,通常是去嵌入过度,把 DUT 本身的损耗也去掉了。

第三个验证点是 S 参数一致性:把去嵌入得到的 DUT S 参数与仿真模型或已知参考件对比,在 1 GHz 到 20 GHz 范围内,S21 幅度差异应小于 1 dB,相位差异应小于 5°。如果差异过大,需要检查夹具 S 参数的测量质量,比如 VNA 校准是否漂移、2x-Thru 是否真的对称。

验证项 合格判据(示例) 异常处理
TDR 阻抗台阶 去嵌入后夹具台阶消失,DUT 阻抗回到 85 Ω ± 10% 检查端口顺序和 S 参数参考面
眼高/眼宽 眼高提升 ≥ 15 mV,眼宽提升 ≥ 5 ps 确认去嵌入频率范围覆盖信号带宽
S21 幅度一致性 与参考件差异 < 1 dB(1–20 GHz) 重新测量 2x-Thru,检查 VNA 校准
S21 相位一致性 与参考件差异 < 5°(1–20 GHz) 检查夹具长度和时延补偿设置

最后要强调:去嵌入的精度上限取决于夹具 S 参数的精度。如果 2x-Thru 本身不对称,或者 VNA 校准面没有推到连接器端面,后续算法再先进也无法还原真实 DUT 波形。因此,在 PCIe 信号完整性测试中,夹具设计、S 参数提取和去嵌入验证应当作为一个整体来把控,而不是只关注软件操作。