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FinFET模型卡编写与TCAD仿真校准实战

共计 30 章节
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01
FinFET技术概述
FinFET的发展历史 · 与传统平面MOSFET的对比 · FinFET的关键优势与挑战
FinFET技术概述
02
TCAD仿真基础
TCAD工具链介绍（Sentauru… · Victory Process等） · 仿真流程概览
TCAD仿真基础
03
FinFET器件结构解析
Fin高度 · Fin宽度 · 栅极长度
FinFET器件结构解析
04
模型卡（Model Card）概念
什么是模型卡 · 模型卡在PDK中的角色 · 模型卡与SPICE模型的关系
ModelCard
05
BSIM-CMG模型基础
BSIM-CMG模型发展史 · 核心方程概览 · 模型参数分类（几何
BSIM-CMG模型基础
06
模型卡语法与结构
模型卡文件格式（.lib · .scs） · 参数声明
模型卡语法结构
07
TCAD网格生成技术
网格类型（结构网格 · 非结构网格） · 网格密度控制
TCAD网格生成技术
08
工艺仿真（Process Simulation）
FinFET工艺流程建模（STI · 栅极形成 · 侧墙
ProcessSimulation
09
器件仿真（Device Simulation）
电学特性仿真设置（偏置条件 · 接触定义 · 物理模型选择）
DeviceSimulation
10
物理模型选择
迁移率模型（Lombardi · Philips） · 量子效应模型（密度梯度）
物理模型选择Lombardi
11
I-V特性仿真与提取
转移特性（Id-Vg） · 输出特性（Id-Vd） · 跨导（gm）
I-V特性仿真
12
C-V特性仿真与提取
栅电容（Cgg） · 交叠电容（Cgd · Cgs）
C-V特性仿真
13
阈值电压（Vth）定义与提取
常数电流法 · 线性外推法 · 最大跨导法在FinFET中的应用
Vth阈值电压
14
亚阈值摆幅（SS）与DIBL
亚阈值摆幅提取 · 漏致势垒降低效应（DIBL）仿真与校…
SSDIBL
15
寄生电阻与电容
源漏电阻（Rsd）提取 · 接触电阻 · 寄生电容对高频性能的影响
寄生电阻电容
16
模型卡参数提取流程
从TCAD数据到模型卡参数的映射 · 优化算法（Levenberg-Mar…
模型卡参数提取流…TCAD
17
单Fin器件校准
针对单一Fin宽度/长度的I-V · C-V数据校准 · 参数敏感性分析
Fin器件校准
18
多Fin器件与版图效应
多Fin合并 · 版图邻近效应（LOD） · 应力效应（STI应力）建模
Fin器件
19
温度效应建模
温度对迁移率 · 阈值电压 · 饱和电流的影响
温度效应建模温度对迁移率
20
噪声模型
闪烁噪声（1/f噪声） · 热噪声模型在FinFET模型卡中的实…
噪声模型闪烁噪声
21
射频（RF）模型
小信号等效电路 · S参数仿真 · 截止频率（ft）与最大振荡频率（fm…
RF射频
22
统计模型与失配
蒙特卡洛仿真 · 工艺角（TT · FF
统计模型失配
23
可靠性模型
热载流子注入（HCI） · 偏置温度不稳定性（BTI） · 模型卡中的退化参数
可靠性模型HCI
24
模型卡验证
与实测数据对比 · 均方根误差（RMSE）评估 · 跨工艺角验证
模型卡验证实测数据对比
25
Sentaurus Workbench集成
自动化仿真流程搭建 · 参数扫描 · 数据后处理脚本（Tcl
SentaurusWorkbench
26
Python在TCAD中的应用
使用Python解析TCAD输出 · 自动化参数提取 · 可视化（Matplotlib）
PythonTCAD
27
模型卡优化实战
针对特定工艺节点（如7nm · 5nm）的模型卡调优案例
模型卡优化实战nm
28
常见问题与调试
仿真不收敛 · 参数提取失败 · 模型卡语法错误排查
常见问题调试
29
先进FinFET技术展望
GAA-FET（纳米片） · CFET · 3D堆叠对模型卡的新要求
FinFET先进
30
课程总结与项目实战
综合项目
课程总结项目实战