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FinFET器件I-V特性仿真与模型卡编写方法

共计 30 章节
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01
FinFET器件概述
FinFET的发展历史 · 与传统平面MOSFET的区别 · FinFET的基本结构（鳍片
FinFET器件概述
02
FinFET关键工艺参数
鳍片高度（Hfin） · 鳍片宽度（Wfin） · 栅极长度（Lg）
FinFET关键工艺参数
03
FinFET电学特性基础
阈值电压（Vth） · 亚阈值摆幅（SS） · 跨导（gm）
FinFET电学特性基础
04
I-V特性仿真环境搭建
TCAD工具介绍（Sentaurus · Victory Process） · 仿真流程概述
I-V特性仿真环境搭建
05
Sentaurus结构编辑器（SDE）入门
SDE界面介绍 · 脚本语言基础 · 定义FinFET的几何参数
SentaurusSDE
06
FinFET 3D结构构建（SDE）
使用脚本创建鳍片 · 定义栅极 · 定义源漏区域
FinFETSDE
07
掺杂分布定义
源漏掺杂（S/D doping） · 轻掺杂漏（LDD） · 沟道掺杂
掺杂分布定义S/D
08
网格划分策略
网格密度控制 · 关键区域（沟道 · 结）的网格细化
网格划分策略网格密度控制
09
Sentaurus Device（SDevice）输入文件
命令文件结构 · 物理模型选择 · 数值计算方法
SentaurusDevice
10
物理模型选择（一）
迁移率模型（PhuMob · Enormal） · 高场饱和模型
物理模型选择PhuMob
11
物理模型选择（二）
量子效应模型（Density Gra… · 带隙变窄模型 · 应力影响模型
物理模型选择Density
12
接触与电极定义
欧姆接触 · 肖特基接触 · 栅极功函数设置
接触电极定义
13
I-V特性仿真设置
Id-Vg仿真（转移特性） · Id-Vd仿真（输出特性） · 扫描步长设置
I-V特性仿真设置
14
转移特性曲线（Id-Vg）分析
线性区与饱和区提取Vth · SS提取 · Ion/Ioff比计算
Id-Vg转移特性曲线
15
输出特性曲线（Id-Vd）分析
线性区 · 饱和区 · 击穿特性
Id-Vd输出特性曲线
16
模型卡（Model Card）概念
什么是模型卡 · BSIM-CMG模型简介 · 模型卡在电路仿真中的作用
ModelCard
17
BSIM-CMG模型参数分类
几何参数 · 工艺参数 · 电学参数
BSIM-CMG模型参数分类
18
核心模型参数提取（一）
Vth参数（VTH0 · K1 · K2）
核心模型参数提取Vth
19
核心模型参数提取（二）
输出电阻参数（PCLM · DROUT） · 亚阈值参数（NFACTOR
核心模型参数提取PCLM
20
核心模型参数提取（三）
寄生参数（RDSW · RDSWMIN） · 重叠电容参数（CGSO
核心模型参数提取RDSW
21
模型卡编写格式
HSPICE语法 · 参数单位 · 温度缩放因子
模型卡编写格式HSPICE
22
从TCAD到模型卡
TCAD仿真数据提取 · 参数优化算法（Levenberg-M… · 拟合优度评估
TCAD到模型卡
23
参数提取工具介绍
IC-CAP · MBP · Qucs-S参数提取模块
参数提取工具介绍IC-CAP
24
模型卡验证方法
单器件验证 · 环振（Ring Oscillator… · SRAM单元验证
模型卡验证方法单器件验证
25
温度效应仿真
温度对Vth · 迁移率 · Ion的影响
温度效应仿真Vth
26
工艺角（Corner）仿真
TT · FF · SS
Corner工艺角
27
FinFET噪声特性仿真
闪烁噪声（1/f噪声） · 热噪声 · 噪声模型参数
FinFET噪声特性仿真
28
FinFET射频特性仿真
截止频率（fT） · 最大振荡频率（fmax） · S参数提取
FinFET射频特性仿真
29
FinFET可靠性仿真
热载流子注入（HCI） · 负偏置温度不稳定性（NBTI） · 模型退化
FinFET可靠性仿真
30
课程总结与项目实战
从TCAD结构构建到模型卡生成的全流… · 综合项目练习
课程总结项目实战