首页
›
半导体工艺与制造设备
›
030-器件参数提取仿真
›
《器件参数提取仿真:从TCAD到SPICE模型卡》
VIP20
本课程属于:030-器件参数提取仿真
半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程,组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录
咨询 / 购买
器件参数提取仿真:从TCAD到SPICE模型卡
共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程:100+行业、1000+细分领域
01
课程导论
TCAD与SPICE建模在集成电路设… · 课程目标与学习路径
课程导论
TCAD
02
半导体物理基础回顾
能带理论 · 载流子统计 · 漂移-扩散方程与泊松方程
半导体物理基础回…
能带理论
03
PN结理论与特性
内建电势 · 耗尽层宽度 · C-V特性与I-V特性解析
PN
结理论
04
MOSFET基础
阈值电压 · 沟道电流模型 · 亚阈值摆幅与DIBL效应
MOSFET
阈值电压
05
TCAD工具概述
Sentaurus与Silvaco… · 模块与仿真流程
TCAD
工具概述
06
TCAD网格与结构定义
网格生成原则 · 掺杂分布定义 · 电极与接触设置
TCAD
网格
07
TCAD物理模型选择
迁移率模型 · 复合模型 · 量子效应模型与温度模型
TCAD
物理模型选择
08
TCAD数值求解与收敛
Newton与Gummel迭代法 · 收敛判据与常见报错处理
TCAD
数值求解
09
TCAD I-V特性仿真
Id-Vg与Id-Vd曲线仿真 · 参数扫描与数据导出
TCAD
I-V
10
TCAD C-V特性仿真
Cgg-Vg · Cgd-Vd仿真 · 频率与偏置设置
TCAD
C-V
11
TCAD小信号与AC仿真
跨导 · 输出电导 · 截止频率fT的提取
TCAD
AC
12
TCAD工艺波动仿真
随机掺杂波动 · 线边缘粗糙度与氧化物厚度变化
TCAD
工艺波动仿真
13
TCAD自热效应仿真
晶格热方程 · 热边界条件与温度分布提取
TCAD
自热效应仿真
14
SPICE模型基础
MOSFET模型层级(Level 1… · BSIM3/4 · PSP)
SPICE
模型基础
15
BSIM4模型核心参数
阈值电压参数 · 迁移率参数 · 沟道长度调制参数
BSIM4
模型核心参数
16
BSIM4模型核心参数
源漏电阻 · 结电容 · 栅极隧穿电流参数
BSIM4
模型核心参数
17
BSIM4模型核心参数
噪声模型参数(1/f噪声 · 热噪声)
BSIM4
模型核心参数
18
参数提取方法论
全局优化与局部优化策略 · Levenberg-Marquard…
参数提取方法论
全局优化
19
参数提取工具
IC-CAP与MBP软件界面 · 项目设置与数据导入
参数提取工具
IC-CAP
20
参数提取流程
从TCAD数据到SPICE模型卡 · 数据预处理与归一化
参数提取流程
TCAD
21
直流参数提取
阈值电压Vth · 饱和电流Idsat · 跨导gm
直流参数提取
Vth
22
交流参数提取
栅极电容Cgg · 米勒电容Cgd · 截止频率fT
交流参数提取
Cgg
23
温度效应参数提取
温度系数提取 · 自热效应模型参数校准
温度效应参数提取
温度系数提取
24
工艺角模型提取
TT/FF/SS/FS/SF工艺角模…
工艺角模型提取
TT/FF/SS/FS/…
25
模型验证与校准
拟合优度评估 · 均方根误差与相对误差分析
模型验证
校准
26
模型卡生成与格式
SPICE模型卡语法 · .model语句与参数列表
模型卡生成
格式
27
模型卡集成
将模型卡嵌入电路网表 · 进行电路级仿真验证
模型卡集成
将模型卡嵌入电路…
28
案例实战
NMOS器件从TCAD到SPICE模…
案例实战
NMOS
29
案例实战
PMOS器件从TCAD到SPICE模…
案例实战
PMOS
30
课程总结与进阶
先进工艺节点挑战 · 机器学习在参数提取中的应用展望
课程总结
进阶
所属VIP或分类
同VIP:FinFET器件C-V曲线拟合与参数灵敏度分析实战
同VIP:FinFET器件C-V曲线拟合与建模工具工程案例
同VIP:FinFET器件I-V特性仿真与模型卡编写方法