VIP20
本课程属于：025-深亚微米CMOS工艺 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

C-V特性建模与模型验证流程详解

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
C-V特性概述
C-V测试的基本原理 · 电容定义 · MOS电容结构简介
C-V特性概述
02
C-V测试系统搭建
测试仪器（LCR表 · 探针台） · 校准流程
C-V测试系统搭建
03
高频与低频C-V测试
频率对C-V曲线的影响 · 串联与并联等效电路模型
C-V高频
04
理想MOS电容C-V特性
平带电容 · 积累区 · 耗尽区
MOSC-V
05
实际C-V曲线非理想效应
功函数差 · 界面陷阱电荷 · 固定氧化物电荷影响
C-V实际
06
C-V数据预处理
数据清洗 · 异常值剔除 · 平滑滤波（移动平均
C-V数据预处理
07
C-V曲线分段拟合
积累区 · 耗尽区 · 反型区的分段线性与非线性拟合策略
C-V曲线分段拟合
08
氧化层电容提取
积累区最大电容法 · CET（电容等效厚度）计算
氧化层电容提取积累区最大电容法
09
平带电压提取
平带电容计算法 · 平带电压的图形化确定
平带电压提取平带电容计算法
10
掺杂浓度分布提取
耗尽区C-V数据微分法 · C-V法掺杂分布计算
掺杂浓度分布提取C-V
11
界面陷阱密度提取
高低频法（Hi-Lo法） · 电导法原理与实现
界面陷阱密度提取Hi-Lo
12
等效电路建模
串联RC模型 · 并联RC模型 · 双频校正模型
等效电路建模RC
13
物理模型构建
基于Poisson方程的一维C-V模…
物理模型构建Poisson
14
数值求解方法
有限差分法求解Poisson方程 · 边界条件设置
数值求解方法Poisson
15
量子力学修正
量子限制效应对C-V曲线的影响 · Hansch模型
量子力学修正C-V
16
多晶硅耗尽效应
多晶硅栅耗尽对C-V曲线的影响及建模
多晶硅耗尽效应C-V
17
栅极漏电影响
直接隧穿 · Fowler-Nordheim隧穿对…
栅极漏电影响直接隧穿
18
温度依赖性建模
温度对费米势 · 本征载流子浓度 · C-V曲线的影响
温度依赖性建模温度对费米势
19
模型参数提取流程
全局优化算法（Levenberg-M…
模型参数提取流程Levenberg-M
20
模型验证指标
均方根误差（RMSE） · 决定系数（R²） · 残差分析
模型验证指标RMSE
21
交叉验证方法
K折交叉验证在C-V模型泛化能力评估…
交叉验证方法C-V
22
模型灵敏度分析
参数扰动对C-V曲线形状的影响评估
模型灵敏度分析C-V
23
模型不确定性量化
蒙特卡洛模拟在C-V参数置信区间估计…
模型不确定性量化C-V
24
自动化建模脚本
Python实现C-V数据读取 · 拟合与验证的完整流程
自动化建模脚本Python
25
图形用户界面开发
基于PyQt5的C-V建模工具设计与…
图形用户界面开发PyQt5
26
案例研究1
SiO2/Si MOS电容的C-V建…
案例研究1SiO2/Si
27
案例研究2
高k介质（HfO2）MOS电容的C-…
案例研究2HfO2
28
案例研究3
GaN HEMT结构的C-V特性分析…
案例研究3GaN
29
常见问题与调试
C-V曲线异常形状的诊断与修正方法
常见问题调试
30
课程总结与展望
C-V建模在先进工艺节点中的挑战与未…
课程总结C-V