首页
›
半导体工艺与制造设备
›
025-深亚微米CMOS工艺
›
《模型校准与工艺角仿真流程详解》
VIP20
本课程属于:025-深亚微米CMOS工艺
半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程,组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录
咨询 / 购买
模型校准与工艺角仿真流程详解
共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程:100+行业、1000+细分领域
01
课程导论
模型校准与工艺角仿真的重要性 · 课程目标与学习路径 · 行业应用背景
课程导论
模型校准
02
半导体工艺基础
晶圆制造流程 · 掺杂与扩散 · 光刻与刻蚀
半导体工艺基础
晶圆制造流程
03
MOSFET器件物理
阈值电压 · 跨导 · 沟道长度调制效应
MOSFET
器件物理
04
BSIM模型基础
BSIM4模型架构 · 核心方程 · 模型参数分类(几何
BSIM
模型基础
05
工艺角(Process Corner)概念
TT/FF/SS/SF/FS定义 · 工艺角与器件性能的关系 · 工艺角选取原则
Process
Corner
06
工艺角仿真环境搭建
PDK安装 · 模型文件结构 · 仿真器配置(Spectre/HSPI…
工艺角仿真环境搭…
PDK
07
模型校准概述
校准目标 · 校准流程 · 校准与验证的区别
模型校准概述
校准目标
08
测试结构设计
测试芯片(Test Chip)布局 · DUT设计 · 开尔文结构
测试结构设计
Test
09
DC参数提取
I-V特性测量 · 阈值电压提取方法(常数电流法 · 线性外推法)
DC
参数提取
10
CV参数提取
C-V特性测量 · 栅氧化层电容 · 结电容
CV
参数提取
11
模型参数初值获取
从PDK默认值 · 文献 · 经验公式获取初值
模型参数初值获取
PDK
12
单器件校准流程
以NMOS为例 · 分步校准I-V · C-V
单器件校准流程
NMOS
13
多尺寸器件校准
W/L缩放效应 · 沟道长度调制参数校准 · 宽度效应校准
多尺寸器件校准
W/L
14
温度特性校准
温度系数提取 · 迁移率温度模型 · 阈值电压温度漂移校准
温度特性校准
温度系数提取
15
噪声模型校准
闪烁噪声(1/f噪声) · 热噪声模型参数提取 · 噪声测量与拟合
噪声模型校准
闪烁噪声
16
匹配特性校准
失配模型(Pelgrom模型) · 蒙特卡洛仿真 · 失配参数提取
匹配特性校准
Pelgrom
17
工艺角模型生成
基于统计数据的工艺角建模 · Corner文件生成 · Corner仿真验证
工艺角模型生成
基于统计数据的工…
18
全局工艺角仿真
SS/TT/FF仿真设置 · 电路性能边界分析 · 良率预估
全局工艺角仿真
SS/TT/FF
19
局部工艺角仿真
局部失配仿真 · 蒙特卡洛分析 · 统计工艺角(Statistical…
局部工艺角仿真
局部失配仿真
20
混合工艺角仿真
全局+局部联合仿真 · 最坏情况分析 · 设计裕度评估
混合工艺角仿真
全局+局部联合仿…
21
校准工具使用(ICV/ICCAP)
ICV/ICCAP软件界面 · 项目创建 · 数据导入
ICV/ICCAP
校准工具使用
22
校准工具使用(MBP)
MBP模型提取流程 · 优化算法选择 · 拟合质量评估
MBP
校准工具使用
23
校准工具使用(ADS)
ADS模型校准模板 · 参数扫描 · 优化器设置
ADS
校准工具使用
24
校准结果验证
拟合误差计算 · 残差分析 · 交叉验证
校准结果验证
拟合误差计算
25
典型电路仿真验证
反相器链 · 环形振荡器 · 运放
典型电路仿真验证
反相器链
26
工艺角仿真常见问题
收敛性问题 · 模型参数冲突 · 仿真速度优化
工艺角仿真常见问…
收敛性问题
27
先进工艺节点挑战
FinFET/GAA器件建模 · 量子效应 · 可靠性退化模型校准
先进工艺节点挑战
FinFET/GAA
28
模型校准文档规范
校准报告结构 · 参数变更记录 · 版本控制
模型校准文档规范
校准报告结构
29
行业标准与规范
CMOS模型标准(BSIM/PSP) · JEDEC标准 · Foundry验收标准
行业标准
规范
30
课程总结与展望
校准流程回顾 · 未来趋势(AI辅助建模 · 数字孪生)
课程总结
校准流程回顾
所属VIP或分类
同VIP:C-V特性建模与模型验证流程详解
同VIP:C-V特性提取与模型校准流程详解
同VIP:I-V特性建模与噪声模型验证案例