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器件仿真与工艺角校准联合工程

共计 30 章节
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01
课程导论
器件仿真与工艺角校准在集成电路设计中… · 课程目标与学习路径
课程导论器件仿真
02
半导体物理基础回顾
能带理论 · 载流子浓度 · 迁移率
半导体物理基础回…能带理论
03
TCAD仿真工具概述
Sentaurus · Silvaco · Qorvo等主流工具介绍与选型
TCAD仿真工具概述
04
工艺角(Process Corner)概念
TT/FF/SS/FS/SF角定义 · 工艺波动来源（掺杂 · 氧化
ProcessCorner
05
MOSFET器件结构与工作原理
阈值电压 · 跨导 · 沟道长度调制效应
MOSFET器件结构
06
工艺角对MOSFET关键参数的影响
Vth · Ion · Ioff
MOSFET工艺角对
07
工艺角校准方法论
从测试数据到模型参数提取的闭环流程
工艺角校准方法论从测试数据到模型…
08
TCAD仿真环境搭建
网格生成 · 物理模型选择（漂移扩散 · 流体力学
TCAD仿真环境搭建
09
Sentaurus Workbench项目创建
参数化扫描 · 变量定义 · 实验设计(DOE)
SentaurusWorkbench
10
工艺步骤仿真
离子注入 · 扩散退火 · 氧化
工艺步骤仿真离子注入
11
器件电学特性仿真
Id-Vg · Id-Vd · C-V曲线提取与后处理
器件电学特性仿真Id-Vg
12
工艺角仿真实现
在TCAD中定义全局工艺参数（掺杂浓… · 栅氧厚度 · Lpoly）
工艺角仿真实现TCAD
13
蒙特卡洛工艺波动分析
随机掺杂波动(RDF) · 线边缘粗糙度(LER)的建模
蒙特卡洛工艺波动…RDF
14
紧凑模型(Compact Model)基础
BSIM4/BSIM6模型参数与物理…
CompactModel
15
参数提取流程
使用IC-CAP或MBP从仿真数据中…
参数提取流程IC-CAP
16
工艺角校准第一步
全局参数（Vth0 · U0 · Vsat）对TT/SS/FF角的拟合
工艺角校准第一步Vth0
17
工艺角校准第二步
局部参数（RdsW · Nfactor · Cdsc）对Ion/Ioff的精细调…
工艺角校准第二步RdsW
18
工艺角校准第三步
温度效应校准（Tnom · Tox · K1/K2温度系数）
工艺角校准第三步Tnom
19
校准质量评估指标
均方根误差(RMSE) · 最大相对误差 · Gummel对称性检验
校准质量评估指标RMSE
20
多器件联合校准
NMOS与PMOS的工艺角同步校准策…
多器件联合校准NMOS
21
统计模型(Statistical Model)构建
从工艺角到统计分布的扩展
StatisticalModel
22
工艺角库生成
为EDA工具（Spectre · HSPICE）生成.lib工艺角文件
工艺角库生成EDA
23
电路级验证
使用校准后的工艺角模型仿真环形振荡器 · SRAM单元
电路级验证使用校准后的工艺…
24
良率分析(Yield Analysis)
基于工艺角模型的蒙特卡洛良率预测
YieldAnalysis
25
先进工艺挑战
FinFET/GAA器件中的工艺角校…
先进工艺挑战FinFET/GAA
26
机器学习辅助校准
使用神经网络加速工艺角参数提取
机器学习辅助校准使用神经网络加速…
27
自动化校准脚本开发
Python/Tcl脚本实现批量仿真…
自动化校准脚本开…Python/Tcl
28
案例研究一
28nm CMOS工艺的TT/SS/…
案例研究一nm
29
案例研究二
SOI工艺中浮体效应与自热效应的工艺…
案例研究二SOI
30
课程总结与未来趋势
DTCO（设计-工艺协同优化）与AI…
课程总结未来趋势