2. 故障模型基础:固定型故障模型、跳变故障模型、桥接故障模型、延迟故障模型

在数字集成电路测试领域,故障模型是连接物理缺陷与测试算法的桥梁。物理缺陷(如氧化物击穿、金属桥连、离子污染)种类繁多且难以直接建模,故障模型通过抽象将缺陷映射为逻辑级或时序级的电路行为变化,从而指导测试向量的生成与故障覆盖率的评估。本章系统阐述四种核心故障模型:固定型、跳变、桥接与延迟故障模型。

核心观点: 故障模型的选择直接影响测试质量(DPPM)与测试成本(测试向量长度、测试时间)。单一故障模型往往不足以覆盖所有实际缺陷,现代 DFT 设计常采用多模型联合策略。

2.1 固定型故障模型 (Stuck-At Fault Model, SAF)

固定型故障模型是最经典、应用最广泛的逻辑故障模型。它假设电路中的某条信号线永久性地固定在逻辑 0(Stuck-At 0, SA0)或逻辑 1(Stuck-At 1, SA1)上,忽略故障的物理成因与瞬态行为。

2.1.1 模型定义与假设

  • 单固定型故障 (SSF): 每次只考虑一个节点发生固定故障,这是最常用的假设,测试复杂度为 O(n),n 为节点数。
  • 多固定型故障 (MSF): 允许同时存在多个固定故障,但测试复杂度呈指数增长,实际应用较少。
  • 故障等价: 不同物理缺陷可能表现为相同的逻辑故障行为,通过故障等价合并可减少故障列表。
固定型故障模型关键属性
属性描述测试影响
故障基数每个节点 2 个故障(SA0, SA1)故障列表大小 = 2 × 节点数
测试要求故障激活 + 故障传播需要同时控制与观测路径
覆盖率计算检测到的故障数 / 总故障数工业标准要求 > 98%
局限性无法覆盖时序、桥接、延迟缺陷需与其他模型互补
工程提示: 在 ATPG 工具中,固定型故障模型通常作为基线模型。对于 CMOS 电路,SA0 对应 NMOS 管无法导通或 PMOS 管无法关断;SA1 则相反。理解晶体管级行为有助于诊断低覆盖率区域。
固定型故障测试:激活与传播路径 A B NAND G1 SA0 Z 测试条件: 激活:设置 A=1, B=1 使 NAND 输出为 0;故障 SA0 强制输出为 0,与正常值一致 → 无法检测。 需设置 A=1, B=0 或 A=0, B=1,使正常输出为 1,故障输出为 0,才能检测。

2.2 跳变故障模型 (Transition Fault Model, TF)

跳变故障模型用于检测电路中的时序缺陷,特别是信号在逻辑电平之间转换时出现的延迟异常。它假设某个节点的上升沿或下降沿转换速度过慢,导致在规定的时钟周期内无法完成正确的逻辑跳变。

2.2.1 模型分类与测试序列

  • 慢上升故障 (Slow-to-Rise, STR): 节点从 0→1 的转换延迟超过时钟周期。
  • 慢下降故障 (Slow-to-Fall, STF): 节点从 1→0 的转换延迟超过时钟周期。
  • 测试序列要求: 需要两个连续的测试向量(V1, V2):
    1. 初始化向量 V1: 将目标节点设置为与跳变方向相反的初始值。
    2. 启动向量 V2: 施加跳变条件,并在下一个时钟沿捕获响应。
跳变故障与固定型故障对比
对比维度固定型故障 (SAF)跳变故障 (TF)
故障行为永久固定为 0 或 1转换速度过慢
测试向量数单向量双向量(V1, V2)
时钟周期数1 个周期至少 2 个周期
覆盖缺陷类型短路、断路晶体管驱动弱、阈值漂移
测试复杂度低中高(需考虑时序)
注意: 跳变故障测试对时钟频率敏感。在低速测试下,慢转换可能被掩盖;在高速测试下,路径延迟累积可能导致误判。建议结合 at-speed 测试(工作频率下测试)与慢速测试进行交叉验证。
跳变故障时序:正常 vs 慢上升 CLK T1 T2 T3 T4 正常 STR 分析: 在 T3 上升沿采样时,正常信号已跳变为高电平(1),而 STR 故障信号仍处于低电平(0),导致捕获错误值。

2.3 桥接故障模型 (Bridging Fault Model, BF)

桥接故障模型模拟电路中两条或多条信号线之间意外短路(桥接)的行为。随着工艺尺寸缩小,金属线间距减小,桥接故障的发生率显著上升,成为深亚微米及纳米工艺下的主要故障类型之一。

2.3.1 模型分类

  • 无反馈桥接: 桥接的两条线之间不存在逻辑反馈路径,表现为线与(Wired-AND)或线或(Wired-OR)行为。
  • 反馈桥接: 桥接路径形成反馈环路,可能导致电路振荡或记忆效应,测试难度大幅增加。
  • 电阻性桥接: 桥接电阻非零,介于完全短路与开路之间,表现为电压分压行为,需模拟级建模。
桥接故障模型行为对比
桥接类型逻辑行为测试难度典型缺陷
无反馈 (AND型)两线均为 1 时输出 1,否则 0低相邻金属线短路
无反馈 (OR型)两线均为 0 时输出 0,否则 1低相邻金属线短路
反馈桥接可能振荡或锁存高跨逻辑门短路
电阻性桥接电压分压,非逻辑电平极高部分短路、金属残留
关键挑战: 桥接故障的测试向量生成需要同时驱动两条桥接线到相反逻辑值(驱动线为 1,受害线为 0,或反之),并观察受害线的逻辑值是否被驱动线拉偏。这要求 ATPG 具备多节点协同控制能力。
桥接故障:线与(Wired-AND)行为 驱动门 受害门 桥 桥 接收门 测试条件: 驱动门输出 = 1,受害门输出 = 0 → 桥接后接收门输入被拉低为 0(Wired-AND),与正常值 1 不同,故障可检测。

2.4 延迟故障模型 (Delay Fault Model, DF)

延迟故障模型关注信号在路径上的传播时间是否超过时钟周期,导致电路在额定频率下无法正确工作。与跳变故障模型(关注单节点转换速度)不同,延迟故障模型更关注路径累积延迟。

2.4.1 主要延迟故障模型

  • 路径延迟故障 (Path Delay Fault, PDF): 考虑从输入到输出的完整组合路径上的总延迟。每条路径的延迟必须小于时钟周期。
  • 分段延迟故障 (Segment Delay Fault, SDF): 将路径划分为多个段,每个段单独建模,降低路径枚举的复杂度。
  • 小延迟缺陷 (Small Delay Defect, SDD): 由工艺偏差或电阻性开路引起的微小延迟增量,需高精度测试。
延迟故障模型对比
模型粒度路径数量测试复杂度适用场景
路径延迟 (PDF)整条路径指数级(O(2^n))极高关键路径分析
分段延迟 (SDF)逻辑门级线性中常规时序测试
小延迟 (SDD)门级 + 互连线性高纳米工艺缺陷
工程实践: 在实际 DFT 项目中,延迟故障测试通常与 at-speed BIST 结合。通过内建时钟控制器(BCC)产生高速时钟脉冲,在功能模式下捕获路径延迟故障。建议优先覆盖设计中的 Top-N 关键路径(通常 N=100~1000)。
路径延迟故障:关键路径累积延迟 FF1 G1 G2 G3 FF2 t1=2ns t2=3ns t3=4ns t4=2ns 总延迟 T_total = t1+t2+t3+t4 = 11ns 时钟周期 T_clk = 10ns → 时序违规! 路径延迟故障要求 T_total < T_clk,否则 FF2 将在错误时间捕获数据。

2.5 故障模型对比与选择策略

在实际 DFT 项目中,单一故障模型无法覆盖所有物理缺陷。下表总结了四种模型在关键维度上的对比,帮助设计者根据测试目标与成本约束选择合适的模型组合。

四种故障模型综合对比
维度固定型 (SAF)跳变 (TF)桥接 (BF)延迟 (PDF)
缺陷覆盖短路/断路转换延迟线间短路路径累积延迟
测试向量数122(需相反值)2(路径敏化)
测试频率慢速/任意at-speed慢速at-speed
故障数量2N2NO(N²)指数级
ATPG难度低中中高极高
工业应用必选基线高频必选先进工艺必选关键路径可选
推荐策略: 对于 28nm 及以下工艺节点,建议采用 SAF + TF + BF 三模型联合测试。SAF 保证基础覆盖率(>98%),TF 覆盖时序缺陷,BF 覆盖桥接缺陷。PDF 模型仅用于关键路径的专项分析,避免路径爆炸导致的测试成本失控。

2.6 本章小结

  • 固定型故障模型是最基础的逻辑故障模型,适用于短路/断路缺陷,测试复杂度低,是 ATPG 的基线模型。
  • 跳变故障模型关注单节点转换速度,需要双向量序列,适用于 at-speed 测试场景。
  • 桥接故障模型模拟线间短路行为,分为无反馈/反馈/电阻性三类,在先进工艺中重要性日益增加。
  • 延迟故障模型关注路径累积延迟,路径枚举复杂度高,通常仅用于关键路径分析。
  • 多模型联合测试是工业界主流实践,需在测试质量与成本之间取得平衡。