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热载流子效应退化对HKMG工艺迁移率增强的测试验证

共计 30 章节
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01
课程导论
HKMG工艺背景 · 迁移率增强技术概述 · 热载流子效应(HCI)的基本概念
课程导论HKMG
02
HKMG工艺基础
高k介电材料(HfO2 · ZrO2)特性 · 金属栅极功函数调控
HKMG工艺基础
03
迁移率增强机制
应力工程(单轴/双轴) · 晶向优化 · 沟道掺杂工程
迁移率增强机制应力工程
04
热载流子效应物理
载流子加热机制 · 碰撞电离 · 界面态生成
热载流子效应物理载流子加热机制
05
HCI退化模型
幸运电子模型(Lucky Elect… · 能量驱动模型 · 反应扩散模型
HCI退化模型
06
HCI退化对迁移率的影响
库仑散射增强 · 表面粗糙度散射 · 声子散射变化
HCI退化对迁移率的影…
07
测试结构设计
专用HCI测试结构 · 栅控二极管 · 环形振荡器
测试结构设计HCI
08
测试系统搭建
半导体参数分析仪配置 · 探针台设置 · 温度控制单元
测试系统搭建半导体参数分析仪…
09
测试流程标准化
应力条件选择(Vg/Vd) · 应力时间序列 · 中断测试协议
测试流程标准化Vg/Vd
10
关键参数提取
线性区迁移率(μlin) · 饱和区迁移率(μsat) · 有效迁移率(μeff)
关键参数提取lin
11
迁移率提取方法
Y函数法 · 分凝法 · CV校正法
迁移率提取方法Y函数法
12
分凝法详解
分凝法原理 · 测量步骤 · 数据处理
分凝法详解分凝法原理
13
Y函数法详解
Y函数推导 · 线性区提取 · 串联电阻校正
Y函数法详解Y函数推导
14
CV校正法详解
栅电容测量 · 反型层电荷计算 · 迁移率校正
CV校正法详解
15
磁阻法详解
磁阻效应原理 · 霍尔因子 · 几何校正
磁阻法详解磁阻效应原理
16
HCI应力下迁移率退化特征
阈值电压漂移 · 跨导退化 · 亚阈值摆幅变化
HCI应力下迁移率退化…
17
界面态密度提取
电荷泵浦法 · 低频噪声法 · DLTS法
界面态密度提取电荷泵浦法
18
氧化层陷阱表征
应力诱导漏电流(SILC) · 1/f噪声 · RTN随机电报噪声
氧化层陷阱表征SILC
19
迁移率退化与界面态关联
库仑散射模型 · 界面态能级分布 · 温度依赖性
迁移率退化界面态关联
20
HKMG特有退化机制
氧空位生成 · 金属栅扩散 · 界面层再生长
HKMG特有退化机制
21
迁移率增强与HCI退化权衡
应力工程优化 · 退火工艺优化 · 栅堆叠设计
HCI迁移率增强
22
测试数据分析方法
退化趋势拟合 · Weibull分布 · 寿命外推
测试数据分析方法退化趋势拟合
23
统计分析与变异性
晶圆内变异性 · 批次间变异性 · 蒙特卡洛模拟
统计分析变异性
24
模型验证与校准
TCAD仿真校准 · 紧凑模型参数提取 · SPICE模型验证
模型验证校准
25
先进表征技术
扫描探针显微镜(SPM) · 透射电子显微镜(TEM) · 二次离子质谱(SIMS)
先进表征技术SPM
26
可靠性评估流程
JEDEC标准 · 测试计划制定 · 数据记录规范
可靠性评估流程JEDEC
27
案例研究1
28nm HKMG工艺HCI退化对迁…
案例研究1nm
28
案例研究2
14nm FinFET HKMG工艺…
案例研究2nm
29
案例研究3
不同应力条件(AC/DC)下迁移率退…
案例研究3AC/DC
30
课程总结与展望
未来HKMG工艺趋势 · 新型高k材料 · 迁移率增强新技术
课程总结HKMG