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SOI器件建模：衬底寄生提取与C-V曲线拟合调试

共计 30 章节
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01
SOI技术概述
SOI（Silicon-On-Ins… · 历史发展 · 与体硅技术的对比优势
SOI技术概述
02
SOI器件结构解析
部分耗尽（PD-SOI）与全耗尽（F… · 埋氧层（BOX）的作用
SOI器件结构解析
03
衬底寄生效应引入
浮体效应 · 自加热效应 · 衬底耦合效应及其对高频/射频性能的影…
衬底寄生效应引入浮体效应
04
建模基础
紧凑模型（Compact Model… · BSIM-SOI模型家族介绍 · 模型层级划分
建模基础Compact
05
衬底网络拓扑
衬底电阻（Rsub）与衬底电容（Cs… · 分布式RC网络等效电路
衬底网络拓扑Rsub
06
测试结构设计
用于衬底参数提取的专用测试结构（如T… · Π型 · GSG PAD布局）
测试结构设计用于衬底参数提取…
07
C-V测量原理
LCR表工作原理 · 高频（1MHz）与准静态（QS）C-… · 开短路校准
C-V测量原理
08
C-V曲线特征
MOSCAP的积累 · 耗尽 · 反型区C-V特性
C-V曲线特征
09
寄生电容分量
交叠电容（Cov） · 边缘电容（Cfringe） · 衬底寄生电容（Csub）的区分
寄生电容分量Cov
10
参数提取流程
从原始C-V数据到寄生参数提取的标准…
参数提取流程C-V
11
去嵌技术（De-embedding）
Open-Short · Thru-Reflect-Line…
De-embedding去嵌技术
12
Y参数与S参数转换
二端口网络理论 · Y参数到C-V的转换公式 · 虚部提取电容值
Y参数S参数转换
13
衬底电阻提取
基于Y22虚部与实部的频率响应分析 · Rsub的解析提取公式
衬底电阻提取Y22
14
衬底电容提取
低频C-V平台值法 · 高频C-V饱和值法 · Csub与偏压的关系
衬底电容提取C-V
15
模型参数初始化
根据物理尺寸（W/L/BOX厚度）估… · Cj · Csub值
模型参数初始化W/L/BOX
16
拟合算法基础
最小二乘法（LSQ） · Levenberg-Marquard…
拟合算法基础LSQ
17
优化目标函数
定义C-V拟合误差函数（MSE/MA… · 权重分配策略（积累区vs耗尽区）
优化目标函数C-V
18
全局优化策略
模拟退火（SA） · 粒子群（PSO）在衬底参数全局搜索中…
全局优化策略SA
19
局部精调
基于梯度下降的局部微调 · 参数边界约束（物理合理性检查）
局部精调基于梯度下降的局…
20
拟合调试实战
使用Python/Scipy进行C-…
拟合调试实战Python/Scipy
21
频率色散效应
衬底陷阱引起的C-V频率色散 · 多频率联合提取方法
频率色散效应C-V
22
温度效应建模
温度对Rsub · Csub的影响 · Arrhenius关系在模型中的应用
温度效应建模Rsub
23
几何缩放规则
W/L/ fingers数对寄生参数… · 缩放因子建模
几何缩放规则W/L
24
模型验证方法
拟合优度（R²） · 残差分析 · 交叉验证（不同偏压/频率下）
模型验证方法拟合优度
25
BSIM-SOI模型卡
模型卡（Model Card）结构 · 典型参数（RSUB · CSUB
BSIM-SOI模型卡
26
SPICE仿真集成
将提取的寄生参数写入SPICE网表 · 瞬态/AC仿真验证
SPICE仿真集成
27
自动化提取脚本
构建Python自动化脚本（数据读取…
自动化提取脚本Python
28
案例分析1
PD-SOI器件C-V曲线异常（驼峰…
案例分析1PD-SOI
29
案例分析2
FD-SOI器件背栅C-V曲线拟合与…
案例分析2FD-SOI
30
课程总结与前沿
SOI建模挑战（FDSOI 28nm… · 机器学习辅助参数提取展望
课程总结前沿