2. 封装材料玻璃化转变温度DSC测定

封装材料玻璃化转变温度DSC测定 学习卡片

为什么用 DSC 测塑封料 Tg

环氧塑封料(EMC)在玻璃化转变温度 Tg 以下呈刚性玻璃态,分子链被冻结;超过 Tg 后链段开始运动,模量骤降、热膨胀系数(CTE)显著增大。回流焊峰值温度通常达 245~260 ℃,若 Tg 偏低,塑封体在回流过程中会变软、膨胀加剧,容易引发分层、金线偏移和芯片应力开裂。因此 Tg 是判断 EMC 耐回流焊能力的关键参数之一。

差示扫描量热法(DSC)通过测量样品与参比物在程序控温下的热流差来捕捉热效应。玻璃化转变不是一级相变,没有潜热峰,而是表现为比热容台阶——DSC 曲线上出现一个向吸热方向的阶跃,其拐点(中点)温度即为 Tg。

测试准备与参数设置

取 EMC 固化样片,用刀片或研磨方式取得 5~10 mg 小块,避免混入铜箔、金线等异物。样品放入铝制密封坩埚(如用带孔盖可允许挥发物逸出),参比坩埚为空坩埚。典型参数如下:

参数推荐值说明
升温速率10 ℃/min速率过快会掩盖台阶,过慢降低灵敏度
温度范围25~300 ℃覆盖 Tg 区间并观察后固化/分解
气氛N₂ 50 mL/min防止氧化,吹扫挥发物
样品量5~10 mg过多导致热滞后,过少信噪比差
坩埚铝密封坩埚耐温上限约 600 ℃
首次升温常包含残余应力释放和微量后固化,Tg 可能偏低。标准做法是取第二次升温曲线判读 Tg,以消除热历史影响。

DSC 曲线判读与 Tg 提取

在 DSC 曲线上,玻璃化转变表现为基线向吸热方向偏移的台阶。常用三种取值方式:

  • 中点法(midpoint):台阶前后基线延长线之间的中点,最常用,对应 ASTM E1356。
  • 起始点(onset):台阶起始的外推点,反映转变开始温度。
  • 拐点(inflection):一阶导数极值点,对噪声敏感。

下图展示一次典型 EMC 的 DSC 第二次升温曲线:基线在约 150 ℃ 开始偏移,中点 Tg 约 158 ℃,台阶高度(ΔCp)反映链段活动能力。

EMC 第二次升温 DSC 曲线与 Tg 判读 温度 (℃) 热流 (mW/mg) → 吸热 25 100 175 250 325 中点 Tg ≈ 158 ℃ ΔCp 台阶高度 起始点 后固化放热峰 DSC 热流曲线 基线延长线 Tg 中点

从 Tg 评估回流焊耐热性

得到 Tg 后,需结合回流焊峰值温度判断安全裕度。经验判据:

  • Tg ≥ 峰值温度 + 20 ℃:裕度充足,塑封体在回流中基本保持玻璃态。
  • Tg 在峰值温度 ±10 ℃ 内:临界区,需关注吸水率与界面分层风险。
  • Tg < 峰值温度:塑封体在回流中进入高弹态,模量骤降,分层与金线偏移风险显著升高。

以本曲线 Tg ≈ 158 ℃ 为例,若回流峰值 260 ℃,则 Tg 远低于峰值温度,说明该材料在无铅回流中会软化。此时应结合吸水率数据评估“爆米花效应”风险,或选用高 Tg(如 Tg > 180 ℃)的塑封料。

DSC 测得的 Tg 受升温速率影响:升温越快,Tg 读数偏高(动力学效应)。报告 Tg 时必须注明升温速率,不同速率的数据不可直接比较。

常见异常与排查

现象可能原因处理
曲线无台阶样品已完全固化且 Tg 超出扫描范围扩展温度范围至 350 ℃
台阶不明显样品量太少或升温速率过快增加样品量至 10 mg,降至 5 ℃/min
首次与二次 Tg 差异大残余应力或后固化统一取第二次升温数据
曲线漂移严重坩埚密封不良或挥发物改用带孔盖坩埚,加强吹扫

结果记录与判定

完整记录应包含:样品编号、样品量、升温速率、气氛、坩埚类型、第一次与第二次升温的 Tg(中点法)、ΔCp、以及是否观察到后固化峰。判定时以第二次升温中点 Tg 为准,并与回流焊峰值温度对比给出裕度结论。