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SiC外延材料缺陷与质量控制

共计 30 章节
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01
课程导入与SiC外延概述
目标=SiC材料特性 · 外延层在功率器件中的作用 · 缺陷控制的重要性
SiC课程导入
02
SiC外延生长基础
目标=化学气相沉积原理 · 台阶流生长模式 · 生长温度与压力窗口
SiC外延生长基础
03
外延层关键参数与缺陷分类
目标=厚度 · 掺杂浓度 · 均匀性指标
外延层关键参数缺陷分类
04
晶圆表面准备与外延前处理
目标=衬底抛光质量 · 清洗工艺 · 原位刻蚀
晶圆表面准备外延前处理
05
台阶聚束与表面形貌控制
目标=台阶聚束形成机制 · 生长参数对台阶结构的影响 · AFM表征与优化策略
台阶聚束表面形貌控制
06
基面位错与贯穿位错在外延中的传播
目标=位错类型 · 衬底位错向外延层的延伸 · 位错密度统计方法
基面位错贯穿位错
07
层错与堆垛层错缺陷
目标=层错形成能 · 外延过程中层错产生机制 · 不同晶型层错的识别与抑制
层错堆垛层错缺陷
08
三角形缺陷与胡萝卜缺陷
目标=形貌特征 · 成因分析 · 与生长条件的关系
三角形缺陷胡萝卜缺陷
09
外延层中的点缺陷与杂质相关缺陷
目标=碳空位 · 硅空位 · 杂质-空位复合体
外延层点缺陷
10
掺杂控制与掺杂相关缺陷
目标=氮 · 铝 · 硼掺杂行为
掺杂控制掺杂相关缺陷
11
外延层厚度与掺杂均匀性控制
目标=气流场设计 · 旋转速率 · 温度分布
外延层厚度掺杂均匀性控制
12
外延生长速率与缺陷关系
目标=生长速率对表面形貌和缺陷密度的… · 高速生长与质量平衡
外延生长速率缺陷关系
13
原位监测与外延过程诊断
目标=反射高能电子衍射 · 光学反射率 · 高温计
原位监测外延过程诊断
14
外延层缺陷的AFM表征
目标=原子力显微镜原理 · 表面粗糙度分析 · 台阶高度测量
AFM外延层缺陷的
15
外延层缺陷的SEM与光学显微表征
目标=扫描电子显微镜 · 微分干涉相衬显微镜 · 缺陷快速定位与统计
SEM外延层缺陷的
16
外延层缺陷的X射线衍射与形貌分析
目标=摇摆曲线 · 倒易空间 mapping · 位错密度与层错评估
外延层缺陷的X射…形貌分析
17
外延层缺陷的阴极发光与光致发光表征
目标=发光光谱与缺陷能级 · 载流子复合 · 缺陷分布成像
外延层缺陷的阴极…光致发光表征
18
外延层缺陷的拉曼光谱与椭偏仪分析
目标=晶型质量 · 应力 · 载流子浓度
外延层缺陷的拉曼…椭偏仪分析
19
外延层缺陷的截面透射电镜分析
目标=样品制备 · 原子尺度缺陷结构 · 界面缺陷与层错识别
外延层缺陷的截面…目标=样品制备
20
缺陷密度统计与晶圆级缺陷分布图
目标=缺陷计数方法 · 聚类分析 · 良率关联
缺陷密度统计晶圆级缺陷分布图
21
外延缺陷与器件性能的关联
目标=漏电流 · 击穿电压 · 导通电阻
外延缺陷器件性能的关联
22
外延工艺窗口优化与缺陷抑制
目标=温度 · 压力 · C/Si比
外延工艺窗口优化缺陷抑制
23
缓冲层与多层外延结构设计
目标=缓冲层作用 · 应力工程 · 缺陷过滤
缓冲层多层外延结构设计
24
厚膜外延与高速外延中的缺陷控制
目标=厚膜生长挑战 · 热应力 · 裂纹
厚膜外延高速外延
25
8英寸SiC外延的均匀性与缺陷挑战
目标=大尺寸外延的温场与流场设计 · 边缘效应 · 缺陷分布均匀性
SiC8英寸
26
外延设备与反应室工程
目标=热壁与冷壁反应室 · 气体喷淋头设计 · 颗粒控制
外延设备反应室工程
27
外延片清洗、封装与运输中的缺陷引入
目标=清洗工艺 · 颗粒沾污 · 表面氧化
外延片清洗封装
28
外延质量控制的在线与离线检测流程
目标=来料检验 · 过程监控 · 出货检验
外延质量控制的离线检测流程
29
外延缺陷失效分析与案例实战
目标=典型缺陷导致的器件失效 · 失效定位 · 根因分析与纠正措施
外延缺陷失效分析案例实战
30
外延质量控制体系与未来趋势
目标=SPC · 良率提升 · 缺陷标准
外延质量控制体系未来趋势