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GaN外延材料应力与缺陷工程

共计 30 章节
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01
GaN外延应力与缺陷工程导论
目标=课程目标 · GaN材料体系概述 · 应力与缺陷的耦合关系
GaN外延应力
02
GaN晶体结构与缺陷类型
目标=纤锌矿结构 · 极性面与非极性面 · 点缺陷
GaN晶体结构
03
外延应力起源与分类
目标=晶格失配应力 · 热失配应力 · 本征应力
外延应力起源分类
04
应力与缺陷的表征技术
目标=XRD · 拉曼光谱 · 光致发光
应力缺陷的表征技术
05
异质外延中的晶格失配与位错形成
目标=蓝宝石 · SiC · Si衬底上的GaN生长
异质外延晶格失配
06
热失配应力与裂纹控制
目标=冷却过程中的应力演化 · 裂纹萌生判据 · AlN/AlGaN缓冲层
热失配应力裂纹控制
07
缓冲层与成核层应力工程
目标=低温AlN成核层 · GaN/AlN超晶格 · AlGaN渐变缓冲层
缓冲层成核层应力工程
08
掺杂与杂质对GaN应力的影响
目标=Si · Mg · C
GaN掺杂
09
GaN外延中的点缺陷工程
目标=空位 · 间隙原子 · 反位缺陷
GaN外延
10
位错工程与器件性能
目标=刃位错 · 螺位错 · 混合位错
位错工程器件性能
11
层错与堆垛层错工程
目标=基面层错 · 棱柱层错 · 层错形成能
层错堆垛层错工程
12
AlGaN/GaN异质结应力与二维电子气
目标=自发极化与压电极化 · 应力对2DEG浓度的影响 · Al组分渐变
AlGaN/GaN异质结应力
13
InGaN/GaN量子阱应力与缺陷
目标=In组分涨落 · 相分离 · 压电场
InGaN/GaN量子阱应力
14
GaN外延中的裂纹与剥离技术
目标=裂纹扩展机制 · 应力释放层 · 激光剥离
GaN外延
15
图形化衬底与侧向外延应力控制
目标=图形化蓝宝石 · 图形化SiC · SiO2掩膜
图形化衬底侧向外延应力控制
16
纳米柱与微米柱GaN应力释放
目标=选择性区域生长 · 纳米柱成核 · 侧壁应力弛豫
GaN纳米柱
17
Si衬底上GaN外延的应力与缺陷挑战
目标=Si与GaN的失配 · 熔融回蚀 · AlN/AlGaN缓冲层
SiGaN
18
GaN外延中的热应力与热管理
目标=生长温度与冷却速率 · 热应力模拟 · 热失配与翘曲
GaN外延
19
应力与缺陷的原位监测
目标=反射高能电子衍射 · 光学反射率 · 曲率测量
应力缺陷的原位监测
20
退火与后处理对缺陷的调控
目标=高温退火 · 快速热退火 · 微波退火
退火后处理对缺陷的调…
21
GaN外延中的杂质与缺陷钝化
目标=氢钝化 · 氮钝化 · 氟钝化
GaN外延
22
缺陷诱导的漏电与击穿机制
目标=位错导电 · 缺陷辅助隧穿 · Poole-Frenkel发射
缺陷诱导的漏电击穿机制
23
应力工程与GaN器件可靠性
目标=高电子迁移率晶体管 · 发光二极管 · 激光二极管
GaN应力工程
24
GaN外延应力与缺陷的模拟与建模
目标=第一性原理计算 · 分子动力学 · 有限元分析
GaN外延应力
25
GaN外延应力与缺陷的定量关联
目标=XRD摇摆曲线 · 拉曼频移 · 光致发光峰位
GaN外延应力
26
高质量GaN外延的应力与缺陷协同控制
目标=缓冲层设计 · 生长参数优化 · 掺杂工程
GaN高质量
27
GaN外延应力与缺陷工程案例一
目标=蓝宝石衬底上GaN基LED外延… · 量子阱应力调控 · 效率提升与可靠性改善
GaN外延应力
28
GaN外延应力与缺陷工程案例二
目标=Si衬底上GaN HEMT外延… · 缓冲层优化 · 裂纹抑制
GaN外延应力
29
GaN外延应力与缺陷工程案例三
目标=GaN垂直器件与自支撑衬底应力… · 剥离工艺 · 位错密度降低
GaN外延应力
30
GaN外延应力与缺陷工程前沿与展望
目标=宽禁带半导体趋势 · 新型衬底与缓冲层 · 原位监测与智能控制
GaN外延应力