2. LVDS信号电气特性:差分信号定义、电压摆幅、共模电压范围
2.1 差分信号到底是个啥?
说实话,很多刚入行的工程师会觉得差分信号很玄乎。其实说白了,就是用两根线传一个信号。
两根线上电平相反,一根走高,另一根就走低。接收端看的是它们之间的差值。我刚开始做LVDS设计时,总习惯拿示波器去卡单根线的波形——后来发现根本没意义。你得看两根线的差值,那才是真正的信号。
差分信号的核心优势:
外部噪声对两根线的干扰几乎一样,一减就抵消掉了。这就是传说中的共模抑制。
外部噪声对两根线的干扰几乎一样,一减就抵消掉了。这就是传说中的共模抑制。
标准LVDS,发送端输出电流约3.5mA,经过100Ω终端电阻,产生350mV的差分电压摆幅。注意,这不是单端的电压,是正负线之间的差值。
| 参数 | 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 差分输出电压(差分摆幅) | 250~450 mV | TIA/EIA-644标准要求 |
| 输出共模电压 | 1.125~1.375 V | 相对GND的直流电平 |
| 终端电阻 | 100±1% Ω | 紧贴接收端放置 |
这里有个坑,我踩过好几次——终端电阻必须紧贴接收端引脚,中间不能有过孔或者长走线。否则回波会把眼图搞得一塌糊涂。
2.2 电压摆幅:不是越大越好
你可能会想,摆幅大一点抗干扰能力更强。没错,在一定范围内是这样。但LVDS的设计理念是低功耗、低EMI。
我记得有一款消费类产品,客户非要把LVDS摆幅调到500mV以上,说这样更“可靠”。结果EMI测试超标了10dB。换个思路想:摆幅越大,边沿变化率越快,高频分量就越丰富,辐射自然就上去了。
我的经验法则:
在满足信号完整性(SI)前提下,摆幅选下限。350mV是黄金点,别轻易动。
在满足信号完整性(SI)前提下,摆幅选下限。350mV是黄金点,别轻易动。
电压摆幅的直接表现是差分信号的眼图高度。你可以看看下面这个典型逻辑结构,就明白了。
2.3 共模电压范围:小心AC耦合陷阱
LVDS对共模电平是有要求的。标准规定接收端能忍受的共模范围是0~2.4V(对于3.3V供电系统),但输出共模通常在1.125~1.375V之间。
为什么关心这个?AC耦合时,隔直电容会把共模电压重置到0。如果接收端没有共模偏置电路,信号直接就淹没了,连门限都达不到。
特别提醒:
AC耦合后的共模电压需要接收器自偏置或者通过电阻分压恢复。我曾经有个项目,AC耦合后没加偏置电阻,跑去测眼图,结果完全打不开。查了半天才发现是共模被电容隔掉了。
AC耦合后的共模电压需要接收器自偏置或者通过电阻分压恢复。我曾经有个项目,AC耦合后没加偏置电阻,跑去测眼图,结果完全打不开。查了半天才发现是共模被电容隔掉了。
共模电压的变化还会影响EMI。共模电流是天线辐射的主要来源。差分信号理论上共模是稳定的,但实际PCB上两根线不可能完全对称,共模就会波动。
2.4 一个实用的参数对照表
我平时做设计时,喜欢把各种LVDS变种的电气特性列在一张表里。这样选型非常快。
| LVDS变种 | 差分摆幅 (典型) | 输出共模 | 供电电压 | 应用场景 |
|---|---|---|---|---|
| 标准LVDS (TIA/EIA-644) | 350 mV | 1.2 V | 3.3 V / 2.5 V | 通用接口,最长传输数米 |
| LVDS-17 (低电压版) | 200 mV | 0.6 V | 1.8 V | 低功耗、短距、高频 |
| Sub-LVDS (更低压) | 150 mV | 0.9 V | 1.8 V | 摄像头传感器、手机应用 |
| BLVDS (双向LVDS) | 350 mV | 1.2 V | 3.3 V | 多节点总线、背板互连 |
2.5 设计时要记住的几个点
- 差分阻抗一定要控制——100Ω差分阻抗,对应单端约50Ω。走线宽度和间距要根据叠层计算好。
- 等长 ≠ 无需考虑串扰——等长只是解决时序问题,两根线间距太近,互容会吃掉高频分量。
- 共模扼流圈是EMI的最后一根稻草——如果板级布线已经尽力了,再加共模扼流圈往往能压低3~5dB。
- 别忽略参考平面——差分线下方必须有连续的GND或VCC参考面,否则阻抗不连续会产生共模辐射。
核心结论:
LVDS的电气特性看似简单,但差分电压、共模电压、终端匹配三者环环相扣。任何一个出了问题,轻则眼图闭合,重则EMI超标。先吃透参数,再动手布线。
LVDS的电气特性看似简单,但差分电压、共模电压、终端匹配三者环环相扣。任何一个出了问题,轻则眼图闭合,重则EMI超标。先吃透参数,再动手布线。