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Tokyo Electron设备真空与工艺气体控制工程

共计 30 章节
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01
课程导入与Tokyo Electron设备概述
目标=介绍Tokyo Electro… · 真空与工艺气体控制工程在刻蚀 · 沉积
TokyoElectron
02
真空技术基础与Tokyo Electron设备真空系统架构
目标=真空度定义 · 单位 · 真空区域划分
TokyoElectron
03
真空泵在Tokyo Electron设备中的应用与选型
目标=干泵 · 涡轮分子泵 · 低温泵的工作原理与性能曲线
TokyoElectron
04
真空测量与规管在Tokyo Electron设备中的集成
目标=电容薄膜规 · 皮拉尼规 · 冷阴极规和热阴极规的原理与量程
TokyoElectron
05
真空阀门与传输控制
目标=闸阀 · 角阀 · 摆阀
真空阀门传输控制
06
真空腔室与管路设计要点
目标=腔室材料 · 表面处理 · 出气率控制
真空腔室管路设计要点
07
真空检漏与残余气体分析
目标=氦质谱检漏原理与操作流程 · 残余气体分析仪在Tokyo Elec… · 常见漏点与放气源识别
真空检漏残余气体分析
08
工艺气体种类与特性
目标=刻蚀气体 · 沉积前驱体 · 载气与吹扫气的物理化学性质
工艺气体种类特性
09
气体输送系统与供气架构
目标=从气瓶 · 气柜到设备入口的供气链路 · 气体面板
气体输送系统供气架构
10
质量流量控制器原理与校准
目标=热式与压差式MFC的工作原理 · 精度 · 重复性
质量流量控制器原…校准
11
气体混合与配比控制
目标=多路气体混合的浓度控制策略 · 混合均匀性影响因素 · 针对刻蚀和沉积工艺的配比精度要求与实…
气体混合配比控制
12
工艺气体压力控制与腔室压力调节
目标=上游压力控制与下游节流控制方式 · 蝶阀与摆阀在压力闭环中的角色 · 压力稳定性对工艺均匀性的影响
工艺气体压力控制腔室压力调节
13
真空与气体控制的时序与逻辑
目标=设备工艺配方中的抽气 · 充气 · 稳定
真空气体控制的时序
14
等离子体工艺中的气体控制
目标=等离子体启辉与维持对气体流量 · 压力的要求 · 气体切换对等离子体稳定性的影响
等离子体工艺气体控制
15
原子层沉积与化学气相沉积的气体脉冲控制
目标=ALD前驱体脉冲与吹扫时序 · CVD气体连续供给与比例控制 · 快速阀门响应与残留控制
原子层沉积化学气相沉积的气…
16
物理气相沉积中的真空与气体控制
目标=溅射工艺的工作气压与氩气流量控… · 靶材 poisoning 与反应气体… · Tokyo Electron PVD…
物理气相沉积真空
17
刻蚀工艺中的气体控制与终点检测
目标=刻蚀气体选择与流量优化 · 终点检测信号与气体切换逻辑 · 选择比与均匀性相关的控制参数
刻蚀工艺气体控制
18
涂胶显影设备中的真空与气体控制
目标=晶圆吸附真空 · 排风与气氛控制 · 涂胶显影工艺中的湿度与温度关联气体调…
涂胶显影设备真空
19
真空与气体系统的颗粒与污染控制
目标=颗粒来源与传输机制 · 气体过滤与吹扫策略 · 腔室清洁与预防性维护中的真空气体操作
真空气体系统的颗粒
20
气体安全与互锁系统
目标=有毒 · 易燃 · 腐蚀性气体的监测与报警
气体安全互锁系统
21
真空与气体控制系统的传感器与信号调理
目标=压力 · 流量 · 温度传感器的选型与安装
真空气体控制系统的传…
22
控制算法与闭环调节
目标=PID控制在压力与流量回路中的… · 前馈与反馈复合控制 · 参数整定与抗干扰策略
控制算法闭环调节
23
设备通信与集成控制
目标=SECS/GEM通信协议 · 设备与工厂主机之间的气体与真空状态交… · 远程监控与数据记录
设备通信集成控制
24
故障诊断与排除
目标=真空度异常 · 流量偏差 · 压力波动
故障诊断排除
25
预防性维护与校准
目标=真空泵维护 · 阀门保养 · MFC校准
预防性维护校准
26
工艺转移与配方管理
目标=不同工艺配方中真空与气体参数的… · 配方版本控制与变更管理
工艺转移配方管理
27
实际案例分析一
目标=刻蚀设备真空故障导致工艺漂移的… · 数据收集 · 根因分析到纠正措施
实际案例分析一目标=刻蚀设备真…
28
实际案例分析二
目标=CVD设备气体流量控制异常导致… · 阀门 · 管路与配方
实际案例分析二CVD
29
实际案例分析三
目标=ALD设备前驱体脉冲不稳定与残… · 吹扫时间与真空抽速 · 提升薄膜质量
实际案例分析三ALD
30
综合实战与前沿展望
目标=设计一个真空与工艺气体控制方案 · 满足给定工艺需求 · 讨论新技术趋势如智能控制
综合实战前沿展望