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高端制造、半导体装备与精密工程
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025-Tokyo Electron晶圆制造设备与工艺工程
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《TEL东京电子晶圆清洗设备与表面工程》
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本课程属于:025-Tokyo Electron晶圆制造设备与工艺工程
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Tokyo Electron晶圆清洗设备与表面工程
共计 30 章节
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01
课程导入与产业定位
目标=Tokyo Electron在… · 清洗工艺在半导体制造中的位置 · 课程学习目标与知识地图
课程导入
产业定位
02
晶圆表面污染物与清洗需求
目标=颗粒 · 金属 · 有机物
晶圆表面污染物
清洗需求
03
湿法清洗化学基础
目标=SC-1 · SC-2 · DHF
湿法清洗化学基础
SC-1
04
Tokyo Electron清洗设备平台概览
目标=单晶圆旋转清洗 · 批式清洗 · 兆声波与流体控制等平台架构与典型机型…
Tokyo
Electron
05
单晶圆旋转清洗原理与流体力学
目标=旋转速度 · 喷嘴布局 · 液膜厚度
单晶圆旋转清洗原…
流体力学
06
兆声波与超声清洗在TEL设备中的实现
目标=声流 · 空化阈值 · 频率选择
TEL
兆声波
07
清洗腔体环境与气氛控制
目标=N2 · O3 · CO2
清洗腔体环境
气氛控制
08
晶圆表面预处理与界面工程
目标=疏水/亲水表面调控 · 表面能匹配 · 附着与润湿性对清洗与后续工艺的影响
晶圆表面预处理
界面工程
09
颗粒去除的物理与化学协同机制
目标=范德华力 · 双电层 · 静电排斥
颗粒去除的物理
化学协同机制
10
金属污染控制与去金属清洗
目标=金属离子吸附机理 · 络合剂选择 · SC-2与新型去金属配方在TEL设备…
金属污染控制
去金属清洗
11
有机污染物与光刻胶去除
目标=SPM · 臭氧水 · 有机溶剂与TEL清洗模块的集成方式及…
有机污染物
光刻胶去除
12
自然氧化层与蚀刻残留去除
目标=DHF · 缓冲氧化物蚀刻液在TEL设备中的浓度 · 温度
自然氧化层
蚀刻残留去除
13
清洗工艺中的图形结构保护
目标=高深宽比结构 · FinFET · 3D NAND中的毛细力
清洗工艺
图形结构保护
14
干燥技术
目标=IPA干燥 · Marangoni干燥 · 超临界CO2干燥在TEL平台上的实现…
干燥技术
IPA
15
清洗终点检测与过程监控
目标=光学 · 电学 · 质谱
清洗终点检测
过程监控
16
清洗工艺配方开发与优化
目标=DOE方法 · 响应曲面 · 工艺窗口定义
清洗工艺配方开发
优化
17
清洗均匀性与片内/片间控制
目标=流体分布 · 温度梯度 · 旋转加速度对均匀性的影响及TEL设备…
清洗均匀性
片内
18
缺陷分析与清洗效果评价
目标=SPC · 缺陷分类 · KLA检测数据与清洗工艺参数的关联分…
缺陷分析
清洗效果评价
19
TEL清洗设备与CMP、蚀刻、沉积的集成
目标=界面污染控制 · 队列时间 · 跨模块协同与良率影响
TEL
CMP
20
先进节点中的清洗挑战
目标=GAA · 纳米片 · 高k/金属栅中的材料损失
先进节点
清洗挑战
21
清洗设备的材料兼容性与寿命管理
目标=腔体材料 · 密封件 · 喷嘴耐化学性
清洗设备的材料兼…
寿命管理
22
EUV光刻后的清洗与表面工程
目标=EUV胶 · 金属氧化物光刻胶残留 · 表面修饰与TEL清洗模块的适配
EUV
光刻后的清洗
23
三维集成与TSV清洗
目标=深孔清洗 · 聚合物去除 · 铜暴露控制与TEL设备在先进封装中的…
TSV
三维集成
24
清洗工艺的环保与安全
目标=化学品减量 · 废液处理 · 臭氧与HF安全
清洗工艺的环保
安全
25
TEL清洗设备的安装、调试与验收
目标=硬件检查 · 流体校准 · 颗粒基线测试
TEL
清洗设备的安装
26
设备维护与故障排除
目标=常见报警 · 喷嘴堵塞 · 流量异常
设备维护
故障排除
27
清洗工艺的良率提升实战
目标=从缺陷地图到工艺调整 · 基于TEL设备数据的案例分析与改善任…
清洗工艺的良率提…
目标=从缺陷地图…
28
新型清洗技术前沿
目标=超临界流体 · 低温清洗 · 等离子体清洗与TEL研发方向的关系与…
新型清洗技术前沿
目标=超临界流体
29
清洗与表面工程的数据驱动优化
目标=机器学习 · 数字孪生 · 虚拟量测在TEL清洗工艺中的应用探索
清洗
表面工程的数据驱…
30
课程综合项目
目标=针对一个先进节点清洗任务 · 设计TEL设备选型 · 工艺配方
课程综合项目
目标=针对一个先…
所属VIP或分类
同VIP:TEL东京电子光刻胶涂布与显影工艺优化
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