4. 耦合双量子比特的能级结构与本征态

前几节我们把单个量子比特当作独立的两能级系统处理,一旦两个量子比特之间存在可控耦合,整个系统的希尔伯特空间就扩展为四维,能级结构也随之改变。本节要解决的核心问题是:给定一个典型的耦合模型,如何写出哈密顿量、求出四个本征能量与对应的本征态,并理解耦合强度如何导致能级排斥与避免交叉。这是后续分析门操作、串扰与色散读取的基础。

一、典型耦合模型与哈密顿量

先约定参照与符号:取 ħ = 1,单比特能量用角频率表示。设两个量子比特的本征频率分别为 ω₁、ω₂,耦合强度为 g(单位与频率相同)。在最常见的横向耦合(如电容耦合的超导比特、交换耦合的自旋比特)近似下,忽略更高能级,系统哈密顿量可写为:

H = (ω₁/2) σz⊗I + (ω₂/2) I⊗σz + g (σx⊗σx + σy⊗σy)/2
  = (ω₁/2) σz⊗I + (ω₂/2) I⊗σz + g (σ+⊗σ- + σ-⊗σ+)

这里第二行利用了 (σx⊗σx + σy⊗σy)/2 = σ+⊗σ- + σ-⊗σ+。这个形式说明:耦合项只连接 |01⟩ 与 |10⟩ 两个态,即一个比特激发、另一个处于基态的两个单激发态之间发生交换;而 |00⟩ 与 |11⟩ 不被耦合项直接连接。这是横向耦合模型最重要的结构特征,也是后面能级图呈现“中间两条能级排斥、两端能级不动”的根源。

若采用纵向耦合(如某些磁通耦合或 ZZ 耦合),耦合项为 g σz⊗σz,它不交换激发,只对 |01⟩ 与 |10⟩ 施加相同相移,不会产生单激发子空间的能级排斥。因此讨论避免交叉时,必须明确耦合的横向/纵向性质,不能笼统说“有耦合就会避免交叉”。

二、本征能量与本征态的求解

在计算基 {|00⟩, |01⟩, |10⟩, |11⟩} 下,哈密顿量矩阵为分块对角形式。|00⟩ 与 |11⟩ 各自独立,能量分别为:

E₀₀ = -(ω₁ + ω₂)/2
E₁₁ = +(ω₁ + ω₂)/2

单激发子空间 {|01⟩, |10⟩} 对应一个 2×2 矩阵:

H_sub = [ -Δ/2   g   ]
        [  g    +Δ/2 ]

其中 Δ = ω₁ − ω₂ 为失谐量。对该矩阵对角化,得到两个本征能量:

E± = ± (1/2)√(Δ² + 4g²)

对应的本征态为混合态:

|+⟩ = cos(θ/2)|01⟩ + sin(θ/2)|10⟩
|−⟩ = −sin(θ/2)|01⟩ + cos(θ/2)|10⟩
tan θ = 2g/Δ

当 Δ = 0(两比特共振)时,θ = π/2,本征态变为 (|01⟩ ± |10⟩)/√2,即最大纠缠的对称/反对称叠加态,能量分裂为 ±g。当 |Δ| ≫ 2g 时,θ → 0,本征态几乎退化为 |01⟩ 与 |10⟩,能量近似为 ±Δ/2,耦合的影响被失谐压制。这个 θ 就是混合角,它直接决定耦合门在多大程度上能交换激发。

三、能级排斥与避免交叉

把 E± 随失谐 Δ 的变化画出来,会看到两条曲线在 Δ = 0 附近并不相交,而是保持最小间距 2g,这就是避免交叉(avoided crossing)。若 g = 0,两条直线 E = ±Δ/2 会在 Δ = 0 处交叉;一旦 g ≠ 0,交叉被“推开”,最小能隙等于 2g。这个现象称为能级排斥(level repulsion):耦合把简并点打开成一个能隙,耦合越强,能隙越大,曲线弯曲越明显。

需要区分两种极限:在 |Δ| ≫ 2g 的远失谐区,能级几乎不随 g 改变,耦合只带来微小的二阶修正;在 |Δ| ≪ 2g 的近共振区,能级对 g 极其敏感,这正是用耦合做 iSWAP 类门操作的工作区间。工程上,若想抑制两比特间的 unwanted 交换,应让 |Δ| 远大于 g;若想实现快速交换,则把 Δ 调到接近 0。

判断是否进入强耦合区,可比较 g 与两比特的退相干速率。只有当 g 明显大于 1/T₂ 时,避免交叉的能隙才能在谱上被分辨,否则耦合效应会被线宽淹没。

四、能级图与数值示例

下图给出典型横向耦合模型的能级随失谐 Δ 的变化。左侧为单激发子空间的两条本征能级 E±,在 Δ = 0 处形成宽度 2g 的避免交叉;右侧标出 |00⟩ 与 |11⟩ 两条不参与耦合的能级,作为参照。图中同时标注了远失谐区与近共振区两个工作区间。

耦合双量子比特能级图:避免交叉与能级排斥 失谐 Δ = ω₁ − ω₂ 能量 E Δ = 0(共振) 远失谐区 |Δ|≫2g 远失谐区 |Δ|≫2g 近共振区 |Δ|≲2g 最小能隙 = 2g E₊ E₋ E₁₁ = +(ω₁+ω₂)/2 E₀₀ = −(ω₁+ω₂)/2 单激发本征能级 E± |00⟩、|11⟩ 能级(不受横向耦合影响)

用一个具体示例说明数值关系(以下为教学假设参数,非实测):设 ω₁/2π = 5.00 GHz,ω₂/2π = 5.20 GHz,则 Δ/2π = −0.20 GHz;取 g/2π = 0.02 GHz。此时 2g/2π = 0.04 GHz,|Δ|/2π = 0.20 GHz,属于 |Δ| ≫ 2g 的远失谐区。代入 E± 公式,单激发子空间能级约为 ±0.1008 GHz,与 ±Δ/2 = ±0.10 GHz 只差约 0.8 MHz,说明耦合修正很小。若把 ω₂ 调到 5.00 GHz 使 Δ = 0,则 E± = ±g = ±0.02 GHz,两能级间距从 0.20 GHz 收缩为 0.04 GHz,本征态变为最大纠缠态。这一对比清楚展示了失谐与耦合强度对能级结构的竞争关系。

五、从能级图读出工程信息

能级图不只是理论结果,它直接对应可观测的谱线位置与门操作条件。实际操作中,通过扫描一个比特的频率(改变 Δ)并测量另一个比特的谱响应,就能看到避免交叉的“鼓包”;鼓包的最小间距给出 2g,鼓包宽度反映耦合的作用范围。若测得的间距明显小于设计值,通常意味着耦合器偏置不对或存在寄生耦合;若鼓包不对称,则提示两比特频率漂移或存在纵向耦合分量。

此外,本征态表达式中的混合角 θ 决定了门操作的时间尺度:在近共振区,|01⟩ 与 |10⟩ 以频率 2g 进行拉比式交换,半交换时间约为 π/(2g)。因此从能级图读出 2g 后,就能估算 iSWAP 门所需脉宽,并与退相干时间比较,判断该耦合强度是否足以支撑高保真门。这正是把“能级结构”与“动力学分析”连接起来的关键一步。

注意:以上推导基于两能级近似。当耦合强度 g 接近比特的非谐性时,|02⟩、|11⟩ 等高能级会被卷入,四维模型失效,必须扩展至更多能级重新对角化,否则会低估能级排斥并误判工作点。