3. 单级放大器(下):共漏极(源跟随器)、共栅极放大器

好,咱们接着聊单级放大器的另外两种基本结构——共漏极和共栅极。很多刚入行的同学总觉得共源放大是主角,剩下两个是配角,随便看看就行。其实不然。我在项目里吃过亏,才明白这三种结构各有各的脾气,用对了地方,一个源跟随器能解决你头疼好几天的阻抗匹配问题。

3.1 共漏极放大器(源跟随器)

共漏极,也叫源跟随器。为什么叫“跟随”?因为输出端在源极,输入在栅极,源极电位会“跟着”栅极走,只差一个 \( V_{GS} \)。说白了,电压增益约等于1,但电流驱动能力很强。

核心特性速览:

  • 电压增益 \( A_v \approx 1 \)(略小于1)
  • 输入阻抗极高(栅极,MOS管本征)
  • 输出阻抗极低(约 \( 1/g_m \))
  • 不反相,输入输出同相

3.1.1 输入输出阻抗

输入阻抗,这个好理解。栅极是绝缘的,低频下基本只看偏置电阻。我习惯在栅极对地挂一个几十kΩ到几MΩ的电阻,具体看功耗和噪声要求。

输出阻抗才是源跟随器的亮点。小信号模型一推,输出阻抗 \( R_{out} = 1/g_m \parallel R_S \)。如果忽略源极电阻 \( R_S \),那 \( R_{out} \approx 1/g_m \)。

举个例子,偏置电流1mA,\( g_m \) 大约在几mS量级,输出阻抗就是几百欧姆。这比共源级的输出阻抗低了一两个数量级。你想想看,一个几百欧的输出阻抗,驱动后级电容负载是不是轻松很多?

我的经验: 在ADC的输入缓冲级,我常用源跟随器。因为ADC的采样电容会在开关切换时产生电荷注入,如果驱动级输出阻抗太高,建立时间会拉长,直接影响采样精度。源跟随器低输出阻抗,能快速给采样电容充电。

3.1.2 常见坑点

源跟随器不是完美的。它的线性范围受限于 \( V_{GS} \) 的平方律特性。输入信号摆幅一大,\( V_{GS} \) 变化,\( g_m \) 跟着变,失真就上来了。

还有一个问题——体效应。NMOS做源跟随器,源极电位不是最低电位,衬底和源极之间有电压差,阈值电压会变化。这会导致增益更偏离1,线性度更差。

我曾经踩过的坑: 有一次做LDO的缓冲级,用了NMOS源跟随器,没考虑体效应。仿真时增益0.95,觉得还行。流片回来测试,发现电源抑制比(PSRR)比仿真差了10dB。查了半天,发现体效应让输出阻抗变大了,高频下PSRR恶化。后来换成PMOS源跟随器,把衬底和源极短接,问题才解决。

3.2 共栅极放大器

共栅极,栅极交流接地,信号从源极输入,漏极输出。这个结构在教科书中常被一笔带过,但在高频和宽带电路中,它是真正的“隐形冠军”。

3.2.1 为什么共栅极值得关注?

共栅极有三个特点,让它在一众放大器中独树一帜:

  • 输入阻抗低:约 \( 1/g_m \),适合做电流输入
  • 输出阻抗高:与共源级类似,约 \( r_o \) 量级
  • 频率特性好:没有米勒效应,带宽可以做得很宽

没有米勒效应,这是共栅极最大的优势。共源放大器中,\( C_{gd} \) 会被米勒倍乘,高频下输入电容剧增。共栅极的栅极接地,\( C_{gd} \) 一端接交流地,米勒效应消失。所以共栅极的输入电容很小,带宽主要受限于源极的寄生电容。

3.2.2 输入输出阻抗详解

输入阻抗:从源极看进去,\( R_{in} = 1/g_m \)。这个值很小,一般在几十到几百欧姆。所以共栅极适合做电流输入,或者接在低阻抗源后面。

输出阻抗:从漏极看进去,\( R_{out} = r_o \)。如果考虑源极负反馈,输出阻抗还会更大。这个特性让共栅极可以作为电流源的输出级。

参数 共源 共漏(源跟随) 共栅
电压增益 高(\( -g_m R_D \)) ≈1 高(\( g_m R_D \))
输入阻抗 高 极高 低(\( 1/g_m \))
输出阻抗 高(\( r_o \)) 低(\( 1/g_m \)) 高(\( r_o \))
米勒效应 严重 轻微 无
带宽 中等 高 很高

3.3 典型应用场景

光讲理论没意思,咱们看看实际项目中怎么用。

3.3.1 源跟随器的应用

  • 缓冲器:连接高阻抗前级和低阻抗后级,比如ADC驱动、PLL的VCO输出缓冲
  • 电平移位:利用 \( V_{GS} \) 压降,把信号电平向下平移一个阈值电压
  • LDO的功率管驱动:用源跟随器驱动大尺寸功率管,提供足够的栅极驱动电流

3.3.2 共栅极的应用

  • 电流缓冲器:接收电流信号,输出到高阻抗负载
  • 共源共栅(Cascode):共源+共栅组合,提升输出阻抗和带宽
  • 宽带放大器:比如光接收机的前置放大器,需要高带宽和低输入阻抗
  • 混频器:吉尔伯特混频器中,输入级常用共栅结构

我个人的设计习惯: 在做高速比较器时,前级用共栅极做输入,后级用源跟随器做输出缓冲。共栅极提供低输入阻抗和宽带宽,源跟随器提供低输出阻抗驱动后级数字电路。这个组合在几百MHz到几GHz的电路中非常常见。

3.4 知识体系总览

下面这张图把三种单级放大器的核心特性串起来了,方便你对照记忆。

单级放大器核心特性对比 单级放大器核心特性对比 共源放大器 共漏(源跟随) 共栅放大器 增益特性 高增益(-gₘRᴅ) 增益≈1(跟随) 高增益(gₘRᴅ) 输入/输出阻抗 Rᵢₙ:高 Rₒᵤₜ:高(rₒ) Rᵢₙ:极高 Rₒᵤₜ:低(1/gₘ) Rᵢₙ:低(1/gₘ) Rₒᵤₜ:高(rₒ) 频率特性与米勒效应 米勒效应严重 米勒效应轻微 无米勒效应 💡 共栅极无米勒效应 → 带宽最高;源跟随器输出阻抗最低 → 驱动能力最强

3.5 避坑指南

最后,我把自己这些年踩过的坑总结一下,希望能帮你少走弯路。

源跟随器常见问题:

  • 输出摆幅受限:源跟随器的输出最高只能到 \( V_{DD} - V_{GS} \),最低到 \( V_{SS} + V_{DS,sat} \)。设计时一定要算好余量。
  • 稳定性问题:源跟随器驱动容性负载时,可能产生负阻效应,导致振荡。我建议在输出端串联一个小电阻(几十欧姆),或者加一个零点补偿电容。

共栅极常见问题:

  • 偏置复杂:栅极需要稳定的直流偏置,同时交流接地。我习惯用一个大电容(pF量级)把栅极对地交流短路。
  • 噪声性能:共栅极的噪声系数通常比共源级差一些,因为输入阻抗低,前级噪声电流会直接流入。在低噪声应用中要谨慎使用。

嗯,单级放大器的三种基本结构就聊到这儿。每种结构都有自己的“舒适区”,没有的好坏。关键是你得知道在什么场景下选什么结构,以及怎么避开那些常见的坑。下次做电路设计时,不妨多想想:这个位置用源跟随器是不是更合适?那个位置用共栅极能不能提升带宽?