01
工艺适配概述
为什么需要工艺适配？工艺适配在时序收敛中的角色与价值。
基础概念
02
工艺库基础
标准单元库、IO库、宏单元库的结构与关键参数。
库标准单元
03
PVT 条件详解
工艺角（Process）、电压（Voltage）、温度（Temperature）对时序的影响。
PVT时序
04
RC 寄生参数提取
提取工具介绍、提取模式（C-only, RC, RCC）、提取精度与速度的权衡。
寄生RC
05
时序库（Liberty）解析
NLDM、CCS 模型、查找表结构、时序与功耗建模。
LibertyCCS
06
多工艺角（MC）与多模式（MM）分析
Setup/Hold 在不同 PVT 下的表现，OCV 与 AOCV 概念。
MC/MMOCV
07
工艺缩放策略
从 28nm 到 7nm 的挑战，FinFET 与平面晶体管的差异。
缩放FinFET
08
低功耗工艺适配
多阈值电压（Multi-Vt）单元的选择策略，MTCMOS 与电源门控。
低功耗Multi-Vt
09
片上变化（OCV）与先进 OCV（AOCV）
Derating 因子设置，基于路径深度的 AOCV 表。
OCVAOCV
10
统计静态时序分析（SSTA）
为什么需要 SSTA？高斯分布与最差情况分析的对比。
SSTA统计
11
工艺角压缩技术
CCS（Common Clock Path Pessimism Removal）与 CRPR（Clock Reconvergence Pessimism Removal）。
CCSCRPR
12
温度反转效应（TIE）
低温下延迟变大的现象，对 Hold 时序的影响。
TIE温度
13
电压降（IR Drop）对时序的影响
动态 IR Drop 分析，时序库中的电压缩放。
IR Drop电压
14
工艺偏差下的时钟树综合（CTS）
时钟偏差（Skew）与抖动（Jitter）的工艺相关性。
CTS时钟
15
自适应电压缩放（AVS）
根据工艺角动态调整电压，实现功耗与性能的平衡。
AVS动态
16
体偏置技术（Body Biasing）
正向偏置（FBB）与反向偏置（RBB）对阈值电压的调节。
Body BiasFBB/RBB
17
工艺适配中的时序约束
如何为不同工艺角设置不同的约束？SDC 文件的多模式管理。
SDC约束
18
Sign-off 标准与流程
Worst Case / Best Case / Typical Case 分析，Sign-off 裕量设定。
Sign-off裕量
19
工艺迁移中的时序重验证
从旧工艺到新工艺的库映射、约束转换与回归测试。
迁移回归
20
机器学习在工艺适配中的应用
预测时序热点，自动选择最优 Vt 组合。
ML优化
21
工艺适配中的功耗-性能权衡（PPA）
如何通过工艺选择优化 Power, Performance, Area。
PPA权衡
22
老化效应（Aging）与时序退化
NBTI/PBTI 效应，时序库中的老化模型。
老化NBTI
23
电磁迁移（EM）与自热效应
电流密度约束，对互连线延迟的影响。
EM自热
24
工艺适配中的可靠性设计（DFR）
冗余设计、抗辐射设计、高可靠性工艺选择。
DFR可靠性
25
跨工艺节点的 IP 复用
如何将 28nm 的 IP 迁移到 12nm？库映射与重定标的挑战。
IP复用
26
工艺设计套件（PDK）的解读
PDK 中包含的工艺适配相关文件与参数。
PDK文件
27
工艺角仿真与实测对比
流片后的硅后测试如何验证工艺适配策略的正确性。
硅后验证
28
工艺适配中的 ECO 流程
如何通过工程变更单（ECO）修复因工艺偏差导致的时序违例。
ECO修复
29
先进封装中的工艺适配
2.5D/3D IC 中不同芯片工艺的时序协调。
先进封装3D IC
30
未来趋势：GAA 晶体管与 2nm 以下
GAA 晶体管、2nm 以下工艺的时序挑战与适配策略展望。
GAA未来