01
PDN分析概述
什么是PDN · 重要性 · 基本流程
基础概念
02
工艺角（PVT）基础
工艺角概念 · TT/FF/SS/FS/SF · 对PDN影响
PVT波动
03
电阻模型与工艺适配
金属电阻温度系数 · 通孔波动 · 建模方法
电阻建模
04
电容模型与工艺适配
MOS电容电压特性 · MIM偏差 · 去耦建模
电容Decap
05
电感模型与工艺适配
互连电感频率特性 · 封装敏感性 · 提取方法
电感封装
06
电源网格（Power Grid）设计
网格拓扑 · 金属层分配 · EM考量
PGEM
07
IR Drop分析基础
静态/动态IR Drop · 仿真方法 · 验收标准
IR Drop仿真
08
IR Drop的工艺适配
不同工艺角变化 · 最差情况 · 自适应电压
工艺角AVS
09
电迁移（EM）分析基础
EM物理机制 · Black模型 · 检查流程
EM可靠性
10
EM的工艺适配
温度影响 · 电流密度与工艺角 · 裕量设计
EM温度
11
去耦电容（Decap）策略
工作原理 · 放置策略 · 工艺优化
Decap噪声
12
PDN阻抗分析
目标阻抗 · 频率响应 · 谐振控制
阻抗Z
13
PDN建模方法
集总参数 · 分布式RLC · 芯片-封装-板级
建模RLC
14
工艺波动对PDN的影响
全局/局部波动 · 蒙特卡洛 · 最差情况
波动MC
15
温度效应与PDN
电阻率温度效应 · 自热效应 · 高温可靠性
温度自热
16
低功耗PDN设计
多电压域 · 电源门控 · DVFS考量
低功耗DVFS
17
高速接口的PDN设计
高速I/O需求 · SSN抑制 · 片上去耦
高速SSN
18
3D IC与先进封装的PDN
TSV模型 · 微凸点电阻 · 中介层设计
3D ICTSV
19
PDN仿真工具与流程
RedHawk/Voltus · 流程搭建 · 结果解读
EDA仿真
20
PDN的测试与验证
片上测试结构 · IR Drop实测 · VNA测试
测试VNA
21
工艺迁移中的PDN适配
28nm→7nm挑战 · 寄生变化 · DRC与PDN
工艺迁移7nm
22
PDN与信号完整性（SI）协同
PDN噪声影响 · SSO分析 · 联合仿真
SISSO
23
PDN的可靠性设计
NBTI/PBTI老化 · 热循环 · 冗余设计
可靠性老化
24
片上稳压器（LDO）与PDN
LDO需求 · PSRR · 与去耦配合
LDOPSRR
25
开关电源（DC-DC）与PDN
输出阻抗 · 开关噪声 · 输入滤波器
DC-DC噪声
26
PDN的自动化设计方法
Tcl/Python脚本 · 优化算法 · 机器学习
自动化ML
27
特殊工艺的PDN考量
SOI · FinFET · GaN 特点与挑战
SOIFinFETGaN
28
PDN设计中的常见误区
过度去耦 · 忽略封装 · 错误目标阻抗
误区经验
29
PDN分析报告撰写
报告结构 · 关键指标 · 问题定位
报告文档
30
PDN设计案例实战
完整SoC分析 · 规格到签核 · 解决方案
实战SoC