4. 差模与共模噪声分离

在传导发射测试中,LISN(Line Impedance Stabilization Network,线路阻抗稳定网络)输出端测到的电压,实际上是差模噪声与共模噪声叠加后的结果。若不加分离就直接整改,很容易出现“加了X电容却对共模无效”“加了共模电感却压不下差模尖峰”的反复试错。因此,理解差模与共模的定义、各自的传播路径,以及LISN如何把两者转换为可测量的电压,是EMI滤波设计的第一步。

一、差模与共模的定义

以两线制电源(L线与N线)为例,定义两个噪声电流分量:

  • 差模噪声(DM):在L线与N线上大小相等、方向相反的电流,记为 IDM。它由L线与N线之间的电位差驱动,噪声源位于两条电源线之间,回路是“L线→噪声源→N线”。
  • 共模噪声(CM):在L线与N线上大小相等、方向相同的电流,记为 ICM。它由电源线与参考地(机壳/大地)之间的电位差驱动,回路是“L/N线→噪声源→寄生电容→地→LISN地”。

实际线路上的电流是两者的叠加:

I_L = I_CM + I_DM
I_N = I_CM - I_DM

由此可反解:
I_CM = (I_L + I_N) / 2
I_DM = (I_L - I_N) / 2

这两个公式是差模/共模分离的核心。它说明:只要分别测出L线和N线上的噪声电压,就能通过加、减运算把两种模式分离开。注意,这里的“方向”约定为:以从电源流向负载(从LISN流向EUT)为正方向,全文及图示均采用这一约定。

二、传播路径的差异

差模噪声的传播路径是“线—线”回路,回路面积小、阻抗低,主要出现在低频段(通常150 kHz~1 MHz),典型来源是开关电源的脉动电流、整流桥后的电解电容纹波电流。共模噪声的传播路径是“线—地”回路,必须经过寄生电容(如MOSFET漏极对散热器的Cds、变压器原副边之间的Cps、PCB走线对机壳的Cpcb),回路面积大、阻抗高,主要出现在高频段(通常1 MHz~30 MHz),典型来源是开关节点的高dv/dt。

下图给出两种噪声在LISN与EUT之间的传播路径,以及LISN内部如何把线电流转换为可测量的电压。

差模/共模噪声传播路径与LISN测量原理 LISN 50 µH 电感 + 1 kΩ 并联 L线支路 50 µH 电感 + 1 kΩ 并联 N线支路 50 Ω 测量阻抗 V_L / V_N 输出 参考地 EUT(onsemi评估板) 开关变换器 MOSFET / 二极管 高 dv/dt 节点 寄生电容 C_ds / C_ps / C_pcb → 机壳/地 机壳地 L线 N线 I_DM 差模回路 I_CM 共模回路 V_L V_N V_CM = (V_L + V_N) / 2 V_DM = (V_L − V_N) / 2

三、LISN的测量原理

LISN的作用可以概括为三点:

  1. 隔离电网阻抗:在EUT与电网之间插入50 µH电感,使EUT看到的电源阻抗在150 kHz~30 MHz范围内稳定为50 Ω,避免电网阻抗波动影响测量重复性。
  2. 提供稳定测量阻抗:L线与N线各通过一个50 Ω电阻(或50 Ω接收机输入阻抗)对地,把线电流转换为电压 VL 和 VN。
  3. 分离差模与共模:由于LISN对L线和N线是对称的,测量得到的 VL 和 VN 可以按上面的公式组合,得到 VCM 和 VDM。

需要特别说明:LISN输出的是电压,而差模/共模分离公式中的电流关系,在50 Ω对称阻抗下可以等效为电压关系。因此工程上直接使用 VCM 和 VDM 进行频谱分析即可。

四、用onsemi评估板进行差模/共模分离的实操方法

下面以onsemi某款同步Buck评估板(例如基于NCP/NCV系列控制器的评估板)为例,给出可复现的分离流程。示例参数为教学假设,实际应以评估板手册和实验室条件为准。

步骤1:搭建测试环境。将评估板输入端通过LISN接入交流电源,LISN的L线和N线测量端口分别接频谱仪或EMI接收机的两个通道(或使用同轴开关切换)。评估板输出端接额定负载(如12 V/5 A电子负载),确保工作在连续导通模式。频谱仪设置:起始频率150 kHz,终止频率30 MHz,RBW 9 kHz,检波方式准峰值或峰值,扫描时间自动。

步骤2:分别测量VL和VN。先测L线对地电压,保存频谱曲线为 VL(f);再测N线对地电压,保存为 VN(f)。两次测量之间保持评估板工作状态、负载和频谱仪设置完全一致,否则相位关系会被破坏。

步骤3:计算VCM和VDM。若频谱仪支持数学运算,可直接在仪器内做 (VL+VN)/2 和 (VL−VN)/2。若使用离线处理,把两条曲线导出为CSV,按复数形式计算(注意保留相位),再取模值。工程近似下,若只关心幅值包络,也可用幅值直接运算,但会引入最大6 dB的误差,建议优先使用复数运算。

步骤4:结果判读。典型结果如下(示例数据,非实测):

频段VDM主导VCM主导判断依据
150 kHz~1 MHz是否VDM比VCM高6~15 dB
1 MHz~5 MHz过渡过渡两者相差在3 dB以内
5 MHz~30 MHz否是VCM比VDM高10 dB以上

若在150 kHz~1 MHz发现VDM明显高于VCM,应优先在L线与N线之间增加X电容或差模电感;若在5 MHz以上发现VCM主导,应优先在L/N线与地之间增加Y电容,或改善变压器屏蔽、减小开关节点对散热器的寄生电容。这样,整改方向就由数据直接决定,而不是靠猜测。

实操提示:分离测量时,LISN的接地必须与评估板机壳地、频谱仪地保持同一点接地,避免地环路引入额外共模电流。若使用两个通道同时测量,注意通道间相位一致性,必要时先用已知信号校准。
常见误区:直接把VL和VN的幅值相减当作VDM,忽略相位,会在某些频点得到错误结论。差模/共模分离必须保留相位信息,或使用具备复数运算能力的接收机。

掌握差模与共模的定义、传播路径差异以及LISN的对称测量原理后,就能用onsemi评估板完成一次完整的噪声分离实验,并据此选择X电容、Y电容、共模电感或差模电感,使EMI整改从“试错”变为“定向设计”。